Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand in magnetischen Domänen von magnetischen Schichten in einem Speicherschaltungselement gespeichert ist. Die Speicherzelle kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden. Beispiele hierfür sind MTJ-basierte Speicher und STT-MRAM.
| Schaltungen von MRAM (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf MRAM (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 11/14, G11C 11/16 |
| Dünne magnetische Schichten | H01F 10/00 |
| Galvanomagnetische Bauelemente | H10N 50/00 |
| GMR | Riesen-Magnetowiderstand |
| MR | Magnetowiderstand |
| MTJ | Magnetischer Tunnelübergang, MR-Tunnelübergang |
| TMR | Tunnel-Magnetowiderstand |
| MRAM | Magnetoresistives RAM |
| STT | Spin-Übertragungsmoment |
Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is stored in magnetic domains of magnetic layers in a storage component. The memory cell can be electrically erased and reprogrammed. Examples include MTJ-based memory and STT-MRAM.
| Circuits (e.g. data buffers, decoders or amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of MRAM | G11C 11/14, G11C 11/16 |
| Thin magnetic films | H01F 10/00 |
| Galvanomagnetic devices | H10N 50/00 |
| GMR | Giant magnetoresistance |
| MR | Magnetoresistance |
| MTJ | Magnetic tunnel junction MR tunnel junction |
| TMR | Tunnel magnetoresistance |
| MRAM | Magnetoresistive RAM |
| STT | Spin-transfer torque |