Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als Polarisationszustand eines ferroelektrischen Materials innerhalb eines Kondensators, z.B. in einem ferroelektrischen Kondensator-Dielektrikum, gespeichert ist. Auf die Zelle wird mit einem Auswahlschaltungselement zugegriffen und diese kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.
| Schaltungen von FeRAM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf FeRAM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 11/22 |
| DRAM | H10B 12/00 |
| Ferroelektrische Speicherbauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren | H10B 51/00 |
Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is stored as a polarisation state of a ferroelectric material within a capacitor, e.g. in a ferroelectric capacitor dielectric. The cell is accessed by a selection component and can be electrically erased and reprogrammed.
| Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of FeRAM devices | G11C 11/22 |
| DRAM | H10B 12/00 |
| Ferroelectric memory devices comprising ferroelectric memory transistors | H10B 51/00 |