Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als Polarisationszustand eines ferroelektrischen Materials innerhalb eines Transistors, z.B. in einem ferroelektrischen Gate-Dielektrikum, gespeichert ist. Die Speicherzelle kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.
| Ferroelektrische Transistoren an sich | H01L 29/78 |
| Schaltungen von FeRAM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf FeRAM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 11/22 |
| EEPROM-Bauelemente mit Floating-Gates | H10B 41/00 |
| EEPROM-Bauelemente mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang | H10B 43/00 |
| Ferroelektrische Speicherbauelemente mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren | H10B 53/00 |
Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is stored as a polarisation state of a ferroelectric material within a transistor, e.g. in a ferroelectric gate dielectric. The memory cell can be electrically erased and reprogrammed.
| Ferroelectric transistors per se | H01L 29/78 |
| Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of FeRAM devices | G11C 11/22 |
| EEPROM devices comprising floating gates | H10B 41/00 |
| EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators | H10B 43/00 |
| Ferroelectric memory devices comprising ferroelectric memory capacitors | H10B 53/00 |