Nichtflüchtige Speicherbauelemente mit mehreren Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand als Ladung auf einem ladungseinfangenden Gate-Dielektrikum gespeichert ist. Die Speicherzelle kann elektrisch gelöscht und neu programmiert werden.
| Speichertransistoren an sich, bei denen die Ladung in einer isolierenden ladungseinfangenden Schicht gespeichert wird | H01L 29/792 |
| Schaltungen von EEPROM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf EEPROM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 16/04 |
| EEPROM-Bauelemente mit Floating-Gates | H10B 41/00 |
| Ferroelektrische Speicherbauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren | H10B 51/00 |
Non-volatile memory devices having multiple memory cells, wherein in each cell, the logic state is stored as charge on a charge-trapping gate dielectric. The memory cell can be electrically erased and reprogrammed.
| Memory transistors in which the charge is stored in an insulating charge-trapping layer per se | H01L 29/792 |
| Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of EEPROM devices | G11C 16/04 |
| EEPROM devices comprising floating gates | H10B 41/00 |
| Ferroelectric memory devices comprising ferroelectric memory transistors | H10B 51/00 |