H10B 12/00

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Dynamische Speicherbauelemente mit mehreren flüchtigen Speicherzellen, wobei jede Zelle aufweist:

• eine Speicherkomponente (z.B. ein Kondensator), deren gespeicherte Ladung den logischen Zustand der Vorrichtung bestimmt; und
• mindestens ein Auswahlschaltungselement (z.B. Zugriffstransistor) für den Zugriff auf das Speicherschaltungselement.
  
  

Querverweise

Informative Querverweise

Schaltungen von DRAM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf DRAM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge)

G11C 11/24, G11C 11/401

H10B 12/00

Definition Statement

This place covers:

Dynamic memory devices having multiple volatile memory cells, wherein, each cell has:

• a storage component (e.g. capacitor) whose stored charge determines the logic state of the device; and
• at least one selection component (e.g. access transistor) for accessing the storage component.

References

Informative references

Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of DRAM devices

G11C 11/24, G11C 11/401