Speicherbauelemente mit mehreren flüchtigen Speicherzellen, wobei in jeder Zelle der logische Zustand in einem von zwei stabilen Zuständen eines kreuzgekoppelten Inverters gespeichert wird. SRAM-Zellen haben in der Regel vier oder mehr Transistoren.
| Schaltungen von SRAM-Bauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf SRAM-Bauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge) | G11C 11/41 |
Memory devices having multiple volatile memory cells, wherein, in each cell, the logic state is stored in one of two stable states of a cross-coupled inverter. SRAM cells commonly have four or more transistors.
| Circuits (e.g. data buffers, decoders, amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of SRAM devices | G11C 11/41 |