H10B

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Speicherbauelemente, die aus mehreren Halbleiter- oder Festkörperschaltungselementen bestehen. Hierzu gehören die mehreren Speicherzellen, die den Speicherkernbereich bilden, und die Logikschaltungselemente im unmittelbaren Peripheriebereich, der den Speicherkernbereich umgibt. In den Speicherzellen befinden sich Speicherschaltungselemente, auf die durch Auswahlschaltungselemente zugegriffen werden kann.

Dazu gehören die folgenden Arten von Bauelementen:

Flüchtige Speicherbauelemente:

Static Random Access Memory [SRAM];
Dynamic Random Access Memory [DRAM].

Nicht-flüchtige Speicherbauelemente:

Read-Only Memory [ROM];
Programmierbares ROM [PROM];
Lösch-und-programmierbares ROM [EPROM];
Elektrisch lösch-und-programmierbares ROM [EEPROM];
Ferroelektrischer Speicher, z.B. FeRAM oder FeFET;
Magnetisches Random Access Memory [MRAM];
Resistives Random Access Memory [ReRAM oder RRAM], Phasenwechsel-RAM [PRAM oder PCRAM].

Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Speicherbauelement aus dieser Unterklasse.

Verfahren und Apparate, die besonders für die Herstellung oder Behandlung solcher Bauelemente ausgebildet sind.

Beziehungen zu anderen Klassifikationsstellen

Wenn der Schwerpunkt der Erfindung auf der Struktur des Bauelements liegt, erfolgt die Klassifikation in H10B. Liegt der Schwerpunkt der Erfindung auf den Strukturen, die für den Zugriff auf das Bauelement verwendet werden, z. B. Strukturen oder Schaltungen zum Lesen, Schreiben oder Löschen von Daten in dem Bauelement, erfolgt die Klassifikation in G11C
.

Querverweise

Informative Querverweise

Schaltungen von Speicherbauelementen (z.B. Datenpuffer, Decoder, Leseverstärker) und Zugriff auf Speicherbauelemente (z.B. Lese-, Schreib- und Löschvorgänge)

G11C

Synonyme und Stichwörter

Abkürzungen

RAM	Random Access Memory
SRAM	Statisches RAM
DRAM	Dynamisches RAM
ReRAM, RRAM	Resistives RAM
PRAM, PCRAM	Phasenwechsel-RAM
FeRAM, FRAM	Ferroelektrisches RAM
CBRAM	Leitfähige-Filamente (Conductive-Bridging) RAM
MRAM	Magnetoresistives RAM
ROM	Read-Only Memory
PROM	Programmierbares ROM
MPROM	Masken-programmiertes ROM
OTPROM	Einmalig-programmierbares (One-Time Programmable) ROM
EPROM	Lösch-und-programmierbares (Erasable-and-Programmable) ROM
Flüchtiger Speicher	Speicher, der zur Aufrechterhaltung der gespeicherten Informationen mit Strom versorgt werden muss: er verliert alle geschriebenen Daten, wenn das System ausgeschaltet wird
Nicht-flüchtiger Speicher	Speicher, der keine Stromversorgung benötigt, um die gespeicherten Informationen aufrechtzuerhalten: er behält die geschriebenen Daten, auch wenn das System ausgeschaltet wird
Ferroelektrischer Speicher-Kondensator	Kondensator mit ferroelektrischen Speichereigenschaften
Ferroelektrischer Speicher-Transistor	Transistor mit ferroelektrischen Speichereigenschaften, die in eine Schicht der Gate-Elektroden eingebettet sind, z.B. in eine MFS- oder MFMIS-Schicht
MFS	Metall-Ferroelektrikum-Halbleiter
MFMIS	Metall-Ferroelektrikum-Metall-Isolator-Halbleiter

H10B

Definition Statement

This place covers:

Memory devices consisting of multiple semiconductor or solid-state components. This includes the multiple memory cells constituting the memory core region and logic components within the immediate peripheral region surrounding the memory core region. The memory cells have storage components therein, which may be accessed by selection components.

This includes the following kind of devices:

Volatile Memory Devices:

Static random access memory
Dynamic random access memory

Non-Volatile Memory Devices:

Read-only memory [ROM]
Programmable ROM [PROM]
Erasable and programmable ROM [EPROM]
Electrically erasable and programmable ROM [EEPROM]
Ferroelectric memory, e.g. FeRAM or FeFET
Magnetic random access memory [MRAM]
Resistive random access memory [ReRAM or RRAM], Phase change RAM [PRAM or PCRAM]

Assemblies of multiple devices comprising at least one memory device of this subclass

Processes and apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices.

Relationships with other classification places

When the focus of the invention is on the structure of the device, classification is made in H10B. When the focus of the invention is on the structures used for accessing the device, such as structures or circuits for reading, writing, or erasing data in the device, classification is made in G11C.

References

Informative references

Circuits (e.g. data buffers, decoders, sense amplifiers) and accessing (e.g. read, write or erase operations) of memory devices

G11C

Synonyms and Keywords

Abbreviations

RAM	Random access memory
SRAM	Static RAM
DRAM	Dynamic RAM
ReRAM, RRAM	Resistive RAM
PRAM, PCRAM	Phase change RAM
FeRAM, FRAM	Ferroelectric RAM
CBRAM	Conductive-bridging RAM
MRAM	Magnetoresistive RAM
ROM	Read-only memory
PROM	Programmable ROM
MPROM	Mask-programmed ROM
OTPROM	One-time programmable ROM
EPROM	Erasable-and-programmable ROM
Volatile memory	Memory requiring power supply to maintain the stored information: it loses any written data when the system is turned off
Non-volatile memory	Memory not requiring power supply to maintain the stored information: it retains the written data even when the system is turned off
Ferroelectric memory capacitor	Capacitor with ferroelectric memory properties
Ferroelectric memory transistor	Transistor with ferroelectric memory properties embedded in a layer of the gate electrodes, e.g. in a MFS or MFMIS layer
MFS	Metal-ferroelectric-semiconductor
MFMIS	Metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor