H04N 25/78

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Ausleseschaltungen für adressierte Bildsensoren, die Einzelheiten bezüglich der Spaltenausleseleitungen definieren, sowie mit diesen verbundenen Schaltungen. Obwohl die Ausleseleitungen im Sensorarray platziert werden, sind sie ein funktionaler Teil der Ausleseschaltungen.

Diese Einzelheiten sind, zum Beispiel, Ausleseanordnungen mit:

• mehrere Spaltenausleseleitungen pro Spalte von Pixeln;
• Spaltenleitungen, die mit Schaltern verbindbar sind, um eine Mittelung / ein Zusammenfassen [Binning] eines analogen Signals auszuführen;
• mehrere Spaltenleitungen werden multiplexed, um von gemeinsamen Verarbeitungsmitteln verarbeitet zu werden, wie korrelierte Doppelabtastung, A/D-Wandler, Puffer;
• Spaltenleitungen verbindbar mit unterschiedlichen Verarbeitungsmitteln (korrelierte Doppelabtastung, A/D-Wandler, Puffer) zum Randomisieren von Spalten-Rauschen;
• Spaltenleitungen, zufällig verbindbar mit unterschiedlichen Verarbeitungsmitteln (korrelierte Doppelabtastung, A/D-Wandler, Puffer) zum Randomisieren von Spalten-Rauschen;
• eine Spaltenleitung, die geteilt wird für Pixel in einer Zeile;
• mehrere Speicherkondensatoren pro Spalte zur Verwendung von korrelierter Doppelabtastung, Zusammenfassen [Binning], Speichern von mehreren Einzelbildern, usw.;
• Rücksetz- oder Klemmschaltungen, verbunden mit Spaltenleitungen.

Einzelheiten bezüglich der Ladeschaltung, z.B. der Stromquelle des Quellenfolgers, und Steuerung oder Regelung dieser.

Einzelheiten bezüglich Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern (Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern an sich – Gruppe H03M 1/12), verwendet in Sensorarray-Ausleseschaltungen.

Diese Einzelheiten beziehen sich zum Beispiel auf:

• den Typ des Analog-Digital-Wandlers, wie eine einzige Rampe, Flash, SAR, Sigma-Delta, Analog-Digital-Wandler in Verbindung mit der Verstärkung eines Verstärkungs-programmierbaren Verstärkers (Analog-Digital-Wandler dieses Typs als solche Gruppe H03M 1/18);

• Analog-Digital-Wandler-Anordnungen in der Ausleseschaltung;
• Analog-Digital Wandler angeordnet pro Spalte oder für eine Gruppe von Spalten;

• Analog-Digital-Wandler angeordnet am Ausgang des Sensors;
• Erzeugung der Rampenspannung des Analog-Digital-Wandlers - verschiedene Steigungen und Richtungen, nichtlinear, Rampenamplitude;
• Verarbeiten, implementiert im Analog-Digital-Wandler, wie korrelierte Doppelabtastung, Zusammenfassen [Binning].
• Einzelheiten bezüglich Ausgabeverstärkern:
• CTIA-Verstärker (normalerweise in passiven Bildsensoren verwendet);
• Verstärker mit steuer- oder regelbaren Verstärkung GCA, PGA;
• Verstärker, angeordnet pro Spalte oder für eine Gruppe von Spalten;
• Verstärker, angeordnet am Ausgang des Sensors.
• Einzelheiten der Anordnungen der Schaltung der korrelierten Doppelabtastung als Teil der Ausleseschaltung:
• korrelierte Doppelabtastung, angeordnet pro Spalte;

• korrelierte Doppelabtastung, angeordnet am Ausgang des Sensors.
• Schaltungen der korrelierten Doppelabtastung als solche werden in Gruppe H04N 25/616 klassifiziert.
  
  

Querverweise

Informative Querverweise

Verstärker an sich	H03F
Analog-Digital-Umsetzung an sich	H03M 1/00

H04N 25/78

Definition Statement

This place covers:

Readout circuits for addressed image sensors defining details related to the column readout lines and the circuits associated with them. Although the readout lines are placed in the sensor array, they are a functional part of the readout circuits.

These details are, for example, readout arrangements with:

• several column readout lines per column of pixels;
• column lines connectable by switches to perform analogue signal averaging/binning;
• multiple column lines are multiplexed to be processed by common processing means, like CDS, ADC, buffers;
• column lines connectable to different processing means (CDS, ADC, buffers) to randomise the column pattern noise;
• column lines randomly connectable to different processing means (CDS, ADC, buffers) to randomise the column pattern noise;
• a column line being shared for pixels in a row;
• several storage capacitors per column used for CDS, binning, multi frame storage, etc;
• reset or clamping circuits connected to the column lines.

Details related to the load circuit, e. g. current source of the source follower and control thereof.

Details related to ADC circuits (ADC circuits as such – group H03M 1/12) used in sensor array readout circuits.

These details are for example, related to:

• ADC type, like single slope, flash, SAR, sigma-delta, ADC combined with the gain of a programmable gain amplifier (ADC of this type as such group H03M 1/18);

• ADC arrangement in the readout circuit;
• ADC arranged per-column or for group of columns;

• ADC arranged at the output of the sensor;
• ADC ramp voltage generation - different slopes and directions, non-linear, ramp amplitude;
• Processing implemented in the ADC, like CDS, binning.
• Details related to output amplifiers:
• CTIA amplifiers (normally used in passive image sensors);
• Amplifiers with controllable gain GCA, PGA;
• Amplifiers arranged per-column or for group of columns;
• Amplifiers arranged at the output of the sensor.
• Details of arrangement of the CDS circuit as part of the readout circuit:
• CDS arranged per column;

• CDS arranged at the output of the sensor.
• CDS circuits as such are classified in group H04N 25/616.

References

Informative references

Amplifiers per se	H03F
Analogue/digital conversion per se	H03M 1/00