Oszillatoren unter Verwendung eines aktiven Elements mit negativem Widerstand zwischen zwei seiner Elektroden, mit frequenzbestimmendem Element, welches eine konzentrierte Induktivität und Kapazität umfasst, wobei das aktive Element aus einem Halbleiterbauelement besteht, z.B. Oszillatoren mit negativem differentiellen Widerstand wie zum Beispiel
Gunndioden,
insofern, als dass ihr
Laufzeiteffekt
nicht von Belang ist.
Oscillators using an active element having a negative resistance between two of its electrodes with a frequency-determining element comprising a lumped inductance and capacitance, the active element being semiconductor device, e.g. oscillators with negative differential resistance elements such as Gunn diodes in so far as their transit time effect is not relevant.