Photovoltaische Bauelemente, bei denen die Sperrschicht aus einem p-n-Übergang aus einem einzigen Material (gleiche Zusammensetzung und gleiche Kristallstruktur) mit unterschiedlichen Dotierstoffen (sogenannter
" Homoübergang")
besteht. Diese Gruppe umfasst hauptsächlich Silicium-Solarzellen mit p-n- Homoübergang.
Beispiel für Bulk-Silicium-Solarzelle:
Beispiel für Dünnschicht-Solarzelle:
PIN-Solarzellen | H01L 31/075 |
Bauelemente, bei denen die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN- Heteroübergang
gebildet wird, z.B. a-Si-/ c-Si-Solarzellen
| H01L 31/072 |
Fotodetektoren mit PN- Homoübergang | H01L 31/103 |
Verfahren zur Herstellung von Solarzellen mit
Homoübergang | H01L 31/18 |
Amorphes Silicium wird nicht als das gleiche Material wie kristallines Silicium angesehen, da a-Si und
c-Si
eine unterschiedliche Kristallstruktur und einen unterschiedlichen Bandabstand aufweisen. Eine a-Si/ c-Si-Struktur wird daher als
Heteroübergang
betrachtet, der von
H01L 31/072 umfasst wird.
Photovoltaic devices where the potential barrier is a p-n junction involving one single material (same composition and same crystal structure) with different dopants (so called "homojunction"). This group covers mostly silicon homojunction p-n solar cells.
Example of bulk silicon solar cell :
Example of thin film solar cell :
p-i-n solar cells | H01L 31/075 |
Devices having potential barriers being only of the PN heterojunction type, e.g. a-Si / c-Si solar cell | H01L 31/072 |
Photodetectors with p-n-homojunction structure | H01L 31/103 |
Methods for manufacturing homojunction solar cells | H01L 31/18 |
Amorphous silicon is not considered to be the same material as crystalline silicon, because a-Si and c-Si have a different crystal structure, and a different band gap. An a-Si / c-Si structure is, therefore, considered a heterojunction, which are covered by H01L 31/072.