Halbleiterbauelemente, die auf Licht ansprechen und für die direkte Umwandlung des Lichts in elektrische Energie zum Zweck der Bereitstellung elektrischer Energie (nicht zum Zweck der Detektion von Licht) ausgebildet sind.
Diese Gruppe und deren Untergruppen umfassen keine lichtempfindlichen organischen Bauelemente, die gemäß dem einschränkenden Querverweis nach
H01L 31/00 von
H10K 30/00
umfasst werden.
Diese Gruppe und deren Untergruppen umfassen ebenfalls keine elektrolytischen lichtempfindlichen Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen, welche von H01G 9/20 umfasst werden, wie gemäß dem einschränkenden Querverweis auf H01G 9/00 nach dem Unterklassentitel von H01L zum Ausdruck gebracht wird.
| Prüfen von photovoltaischen Bauelementen während der Herstellung | H01L 21/66 |
| Elektrolytische lichtempfindliche Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen | H01G 9/20 |
| Organische Solarzellen | H10K 30/00 |
| Prüfen von photovoltaischen Bauelementen nach der Herstellung | H02S 50/10 |
| Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten, bestehend aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen | H01L 27/146 |
| Elektroden auf der Zellebene | H01L 31/0224 |
| Bauelemente, in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotodetektoren | H01L 31/08 |
| Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenstrahlung | F24S |
| Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren | G01T 1/24 |
| Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Widerstandsdetektoren | G01T 1/26 |
| Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiterdetektoren | G01T 3/08 |
| Verbinden von Lichtleitern mit optoelektronischen Bauelementen | G02B 6/42 |
| Anordnungen zur Gewinnung elektrischer Energie aus radioaktiven Quellen | G21H 1/12 |
| Elektrochemische Strom- oder Spannungserzeuger | H01M 6/00 - H01M 16/00 |
| a-Si α-Si | amorphes Silicium |
| c-Si | kristallines Silicium |
| mc-Si muc-Si | mikrokristallines Silicium |
| poly-Si | polykristallines Silicium |
| PIN p-i-n | PN-Übergang mit dicker intrinsischer Schicht dazwischen |
| AIBIIICVI compound | I-III-VI Verbindungen, Chalkogenide, Chalkopyrite |
| CIS | CuInSe2 |
| CIGS | CuInGaSe2 |
| CIGSS | CuInGaSSe |
| TCO | Transparente elektrisch leitfähige Oxide |
| ITO | Indiumzinnoxid |
| AZO | mit Aluminium dotiertes Zinkoxid |
| GZO | mit Gallium dotiertes Zinkoxid |
| QW | Quantentopf [quantum well] |
| MQW | Mehrfachquantentopf [multiple quantum well] |
| HIT | Heteroübergang
mit dünner intrinsischer Schicht |
| PERL solar cell | Passivated Emitter Rear Locally Diffused [PERL]-Solarzelle |
| ARC | Antireflexionsschicht |
| MPPT | Maximum Power Point Tracking (Regeln auf den Punkt höchster Leistung) |
| MWT | Metal Wrap Through |
| FMWT | Front Metal Wrap Through |
| EWT | Emitter Wrap Through |
| IBC | Solarzellen mit ineinander greifenden Rückseitenkontakten |
| Solarzellen | photovoltaische Zellen |
Semiconductor devices sensitive to light and adapted for the direct conversion of the light into electrical energy for the purpose of providing electrical energy (not for light detection purposes).
This group and subgroups do not cover organic light sensitive devices, which are covered by H10K 30/00 as expressed by the limiting reference after H01L 31/00.
This group and subgroups also do not cover electrolytic light sensitive devices, e.g. dye sensitized solar cells, which are covered by H01G 9/20, as expressed by the limiting reference to H01G 9/00 after the sub class title of H01L.
| Testing of PV devices during manufacture | H01L 21/66 |
| Electrolytic light sensitive devices, e.g. dye sensitized solar cells | H01G 9/20 |
| Organic solar cells | H10K 30/00 |
| Testing of PV devices after manufacture | H02S 50/10 |
| Imager structures consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate | H01L 27/146 |
| Electrodes at the cell level | H01L 31/0224 |
| Devices in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photodetectors | H01L 31/08 |
| Production of heat using solar radiation | F24S |
| Measurement of X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation or cosmic radiation with semiconductor detectors | G01T 1/24 |
| Measurement of X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation or cosmic radiation with resistance detectors | G01T 1/26 |
| Measurement of neutron radiation with semiconductor detectors | G01T 3/08 |
| Couplings of light guides with optoelectronic elements | G02B 6/42 |
| Arrangement for obtaining electrical energy from radioactive sources | G21H 1/12 |
| Electrochemical current or voltage generators | H01M 6/00-H01M 16/00 |
| solar cells | photovoltaic cells |