Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/68,
wobei die Herstellungsverfahren zum Anpassen des grundlegenden Layouts von gemusterten und Strahlung modifizierenden Produkten an eine lithografische Verfahrensanforderung dienen, umfassend Verfahren zum Anpassen, Modifizieren oder Korrigieren der grundlegenden Muster für eine Strahlungsmaske zur Benutzung für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen (z.B. zweite Iterationskorrektur eines Maskenmusters für die Bildgebung).
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Proximity Correction Layouts oder Entwurfsprozesse für die Herstellung von Masken mit Strukturen zur Proximity Correction, z.B. OPC-Strukturen
| G03F 1/36 |
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Rechnergestütztes Entwurfsystem allgemein
| G06F 30/00 |
Subject matter of subgroup G03F 1/68 in which the preparation processes are for adapting basic layout of patterned radiation modifying products to a lithographic process requirement, which include methods for adapting, modifying or correcting of basic patterns for a radiation mask used for photomechanical production of textured or patterned surfaces (e.g. second iteration correction of mask pattern for imaging).
| Proximity correction layout or design processes for preparation of masks with proximity correction features, e.g. OPC features | G03F 1/36 |
| Computer-aided design in general | G06F 30/00 |