G03F 1/54

Definition

Diese Klassifikationsstelle umfasst:

Gegenstand der Hauptgruppe G03F 1/00, wobei die Strahlen modifizierenden Produkte einen Absorber (z.B. von lichtundurchlässigem Material) haben, der zum Absorbieren von einfallender Strahlung dient.

(1) Anmerkung: Der Absorber kann ein besonderes lichtundurchlässiges Material sein, das chemisch definiert ist (z.B. Tantal (Ta), Gold (Au), Chrom (Cr), Kohlenstoff (C), Molybdänsilizid (MoSi)). Alternativ kann der Absorber ein spezifisches Muster haben (z.B. ein eine Grautonmaske bewirkendes, nicht auflösbares Gittermuster, eine Gradientenmaske), eine besondere Dicke (z.B. durch semi-transparente Gestaltung der Absorberregion, um einen Durchlässigkeitsgrad von nur 20% für die eingehende Strahlung bei der Zielwellenlänge für die Bildgebung bereit zu stellen) oder eine vorgegebene interne Struktur (z.B. Mehrschichtabsorber, eine durch Ionenimplantation gewonnene lichtundurchlässige Schicht zur Änderung der optischen Eigenschaften zur Absorption von mehr eingehender Strahlung).

(2) Anmerkung: Ausgenommen von dieser Untergruppe sind abschwächende Phasenverschiebungsmasken (PSM), welche phasenverschiebende Regionen besitzen, die durch ausreichende Dickenreduktion eines normalerweise lichtundurchlässigen Absorberschichtmaterials erzeugt werden, wie eine dünne Schicht von Chrom (Cr), oft "leaky chrome" genannt.

G03F 1/54

Definition Statement

This place covers:

Subject matter of main group G03F 1/00 in which the radiation modifying products have an absorber (e.g., of opaque material) which functions to absorb incident radiation.

(1) Note. The absorber can be a particular opaque material that is chemically defined (e.g., tantalum (Ta), gold (Au), chromium (Cr), carbon (C), molybdenum silicide (MoSi)). Alternatively, the absorber can have a specific pattern (e.g., an unresolvable grid pattern leading to a grey tone mask, a gradient mask), a particular thickness (e.g., making the absorber region semi-transparent to provide only 20% transmittance for incident radiation at a target wavelength for imaging), or a given internal structure (e.g., multilayer absorber, ion implanted opaque layer to change an optical property for absorbing more incident radiation).

(2) Note. Excluded from this subgroup are attenuating phase shift masks (PSMs) having PS regions created by sufficiently reducing the thickness of a normally opaque absorber layer material, such as a thin layer of chromium (Cr) often called "leaky chrome".