Gegenstand der Hauptgruppe
G03F 1/00,
wobei die gemusterten und Strahlung modifizierenden Produkte Masken sind, wobei die Maske ein Muster hat, das eine Struktur zur Proximity Correction oder eine veränderte Dimension einer abzubildenden Struktur umfasst (z.B. Resolution- Enhancement-Techniken, Reduzierung von Nebenkeulenbildung zwischen eng benachbarten Mustern) zur Verbesserung eines resultierenden, dadurch geformten, abgebildeten Musters, und wobei die Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solchen Masken mit Strukturen zur Proximity Correction (z.B. "optimal proximity correction [OPC]" Entwurfsverfahren) gerichtet ist.
(1) Anmerkung: Die Proximity Correction befasst sich mit Problemen, die aus der Miniaturisierung von Mustern für Strahlung modifizierende Masken entstehen, die typischerweise in der Degradation des Musters resultieren, wobei die Degradation nicht gleichförmig zwischen Arten des Musters, wie z.B. Linien- und Raum-Muster, isolierte Muster usw., ist.
(2) Anmerkung: Die Strukturen zur Proximity Correction können unteraufgelöste Muster (z.B. Serifen, Hilfsstrukturen wie sub-resolution assist features [SRAF] oder assist bars) oder modifizierte Muster (z.B. verzerrt) sein, um optische Nachbarschaftseffekte im grundlegenden Entwurf eines Maskenmusters zu kompensieren. Alternativ können die Strukturen zur Proximity Correction Dummy-Muster sein, die in einem freien Bereich eines Maskenmusters platziert werden zur Reduktion von (lokalen) Inhomogenitäten eines (z.B. Entwicklungs- und/oder Ätz-) Prozesses in Folge von Nachbarschaftseffekten.
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Anpassung des grundlegenden Entwurfs oder Aufbaus einer Maske an die Anforderungen eines lithografischen Verfahrens zur Herstellung von Masken ohne Strukturen zur Proximity Correction
| G03F 1/70 |
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Rechnergestütztes Entwurfssystem allgemein
| G06F 30/00 |
Subject matter of main group G03F 1/00 in which the patterned radiation modifying products are masks, where the mask has a pattern that includes a proximity correction feature or a changed dimension of a printing feature for improving a resulting printed pattern formed thereby (e.g., enhancing sub-resolution sized patterns, reducing side-lobe formation between closely spaced patterns); and in which the processes of preparing are directed to preparation of such masks having proximity correction features (e.g., optical proximity correction [OPC] design processes).
(1) Note. Proximity correction addresses problems resulting from the miniaturization of patterns for radiation modifying masks, which typically results in degradation of the pattern, with the degradation not being uniform between sorts of pattern such as, for example, a line-and-space pattern, an isolated pattern, etc.
(2) Note. The proximity correction features can be sub-resolution patterns (e.g. serifs, assist bars) or modified patterns (e.g. biased) to compensate for optical proximity effects in a basic layout of a mask pattern. Alternatively, the proximity correction features can be dummy patterns, which are placed in a vacant region of a mask pattern to reduce inhomogeneous processing due to proximity effects.
| Adapting basic layout or design of a mask to a lithographic process requirement for preparation of masks without proximity correction features | G03F 1/70 |
| Computer-aided design in general | G06F 30/00 |