Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/26,
wobei die Phasenverschiebungsmaske (PSM) mindestens zwei klare direkt benachbarte Regionen hat, die unterschiedliche Phasen erzeugen (gewöhnlich 180° Phasenunterschied), um eine Phasenkante zwischen diesen verschiedenen klaren Regionen in Bezug auf die ausgehende Strahlung zu erzeugen, wobei die Phasenkante ein zu reproduzierendes Muster darstellt (z.B. chromlose PSM usw.), und wobei das Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solchen Phasenkanten-Phasenverschiebungsmasken gerichtet ist.
Anmerkung: In dieser Untergruppe kann eine solche Phasenkanten-Phasenverschiebungsmaske ohne jegliche lichtundurchlässige Region (wie eine chromlose PSM) ausgebildet sein. Alternativ ist erlaubt, dass die Phasenkanten-Phasenverschiebungsmaske eine lichtundurchlässige Region oder eine Absorberregion umfasst, wie eine Randzone einer Phasenkanten-Phasenverschiebungsmaske zur Vermeidung ungewollter Artefakte, die ansonsten in einer gemeinsamen Fotolackschicht durch Belichtung nach dem Step-and-Repeat-Prinzip in diesen Phasenkanten-Phasenverschiebungsmasken entstehen könnten. Jedoch muss eine solche Phasenkanten-Phasenverschiebungsmaske immer noch mindestens eine freie Phasenkante zwischen zwei direkt benachbarten klaren Regionen besitzen, die ausgehende Strahlung unterschiedlicher Phase (z.B. 0° und 180° usw.) erzeugt, wobei die Phasenkante, wie oben beschrieben, ein zu reproduzierendes Muster darstellt.
Subject matter of subgroup G03F 1/26 in which the phase shift mask (PSM) has at least two clear regions directly adjacent to each other that produce different phases (usually 180 degrees apart) to create a phase edge between these diverse clear regions in corresponding portions of exiting illumination, where the phase edge represents a pattern to be reproduced (e.g., chromeless PSM, etc.); and in which the process of preparing is directed to preparation of such a phase edge PSM.
Note. In this subgroup, such a phase edge PSM can be without any opaque region (as a chromeless PSM). Alternatively, the phase edge PSM is permitted to include an opaque region or an absorber region, such as at the peripheral border of this phase edge PSM to avoid unwanted artifacts that might otherwise be produced in a common photoresist layer by step-and-repeat exposures from this phase edge PSM. However, this phase edge PSM must still have at least one unobstructed phase edge between two directly adjacent clear regions that produce exiting illumination having different phases (e.g., at 0° and 180°, etc.), where the phase edge represents a pattern to be reproduced, as described above.