Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/26,
wobei die Phasenverschiebungsmaske (PSM) eine abschwächende Region hat, die eine phasenverschobene ausgehende Strahlung erzeugt mit verschiedener Phase im Vergleich zu Strahlung, die durch die nicht-abschwächende klare Region der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (PSM) erzeugt wird (z.B. Phasenverschiebungsmasken mit semi-transparenten Phasenverschiebungsteilen, Halbton-PSM), und wobei das Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solch einer abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (att-PSM) gerichtet ist.
(1) Anmerkung: In diesen abschwächenden Phasenverschiebungsmasken (att-PSM, Halbton-PSM) ist die abschwächende oder Halbton-Region teilweise durchlässig und stellt eine Phasenverschiebung der ausgehenden Strahlung bereit. Der Grad der Phasenverschiebung und der Durchlässigkeit der abschwächenden Phasenverschiebungs-Region hängt vom Material und der Dicke der abschwächenden Phasenverschiebungs-Region ab, sowie von der Wellenlänge der Strahlung. Solch eine abschwächende Phasenverschiebungs-Region oder Halbton-Phasenverschiebungs-Region kann durch das Hinzufügen eines geeigneten Materials passender Dicke gebildet werden, durch Reduzierung der Dicke einer vorher gebildeten Schicht (ein tragendes Substrat der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske oder eine zusätzliche Schicht darauf), oder durch andere Nachbehandlung eines Teilbereiches der abschwächenden Phasenverschiebungsmaske (wie das selektive Dotieren oder die Ionenimplantation).
(2) Anmerkung: Eine abschwächende Phasenverschiebungs-Region kann durch ausreichende Dickenreduktion eines normalerweise lichtundurchlässigen Absorberschichtmaterials erzeugt werden, wie eine dünne Schicht aus Chrom (Cr), oft "leaky chrome" genannt.
Subject matter of subgroup G03F 1/26 in which the phase shift mask (PSM) has an attenuating region that produces phase shifted exiting illumination at a different phase from that produced by a non-attenuating clear region of the attenuating PSM (e.g., PSM having semi-transparent phase shift portion, halftone PSM); and in which the process of preparing is directed to preparation of such an attenuating PSM (att-PSM).
(1) Note. In this attenuating PSM (att-PSM, halftone PSM), the attenuating or halftone region is partially transmissive and provides a phase shift (PS) in exiting illumination. The degree of PS and the transmissiveness of the att-PS region depends on the material and thickness of the att-PS region, as well as depending on the wavelength of the illumination. Such an att-PS region or a halftone PS region can be formed by adding an appropriate material at a suitable thickness, reducing the thickness of a previously formed layer (whether a supporting substrate of the att-PSM or an additional layer thereon), or other post-treatment of an att-PSM portion (such as selective doping or ion implantation).
(2) Note. An att-PS region can be created by sufficiently reducing the thickness of a normally opaque absorber layer material, such as a thin layer of chromium (Cr) often called "leaky chrome".