Gegenstand der Untergruppe
G03F 1/26,
wobei die Phasenverschiebungsmaske (PSM) klare Regionen mit alternierend angeordnet unterschiedlichen Phasen aufweist, die jeweils durch eine Absorberregion getrennt sind, welche ein zu reproduzierendes Muster darstellt, wobei die Absorberregion gewöhnlich in der Form ist von Absorberlinien getrennt durch alternierende phasenverschiebende und nicht-phasenverschiebende Bereiche in wiederholter Abfolge über eine Hauptoberfläche der Phasenverschiebungsmaske (z.B. Levenson-Shibuya PSM usw.), und wobei das Herstellungsverfahren auf die Herstellung von solch einer alternierenden Phasenverschiebungsmaske gerichtet ist.
Subject matter of subgroup G03F 1/26 in which the phase shift mask (PSM) has alternating diverse phase clear regions separated by an absorber region that represents a pattern to be reproduced, where the absorber region is usually in the form of absorber lines separated by alternating phase shift (PS) spaces and non-phase shift (non-PS) spaces in repeating sequence across a major surface of the PSM (e.g., Levenson-Shibuya PSM, etc.); and in which the process of preparing is directed to preparation of such an alternating PSM (alt-PSM).