Gegenstand der Hauptgruppe
G03F 1/00,
wobei die Strahlung modifizierende Produkte entweder gemusterte Phasenverschiebungsmasken (PSM), PSM-Rohlinge dafür, oder spezialisierte Substrate zur Herstellung solcher PSM sind; sowie Herstellungsverfahren zur Herstellung solcher gemusterten PSM, Herstellung von PSM-Rohlingen dafür, oder Herstellung spezialisierter Substrate dafür.
(1) Anmerkung: In dieser Untergruppe hat die Phasenverschiebungsmaske (PSM) eine die Phase verschiebende transmissive oder reflektive Region (PS-Region), die eine verschiedene effektive optische Weglänge für die aus der PS-Region austretende Strahlung bereit stellt im Vergleich zu einer anderen (gewöhnlich benachbarten nicht-PS) Region, so dass Strahlung, welche aus den separaten Regionen austritt, eine unterschiedliche relative Phase besitzt. Wenn die Phasendifferenz zwischen benachbarten PS- und nicht-PS-Regionen 180 Grad ist, ist die destruktive Interferenz maximal für die austretende Strahlung zwischen diesen Bereichen, was ein Minimum für die kombinierte gebeugte Lichtintensität verursacht, was wiederum in einer verdunkelten projizierten Lichtintensität resultiert, die die Auflösung bei der Belichtung einer fotosensitiven Schicht (wie ein Fotolack) verbessert.
(2) Anmerkung: Für eine transmissive Phasenverschiebungsmaske (PSM) wird die phasenverschiebende (PS-) Region gewöhnlich durch die selektive Addition einer transparenten PS-Schicht erzeugt, die die effektive Dicke eines transmissiven Substrats erhöht, oder durch selektives Ätzen, um eine Aussparung zu erzeugen, die die Dicke des transmissiven Substrates verringert, wobei beides ausgehende Strahlung bereitstellt, die sich in der Phase von ausgehender Strahlung einer anderen, unveränderten Region des transmissiven Substrates unterscheidet. Jedoch kann die Phasendifferenz in der phasenverschiebenden Region auch durch selektives Dotieren oder Implantation von speziellen Ionen in das transmissive Substrat erzeugt werden, um selektiv den Brechungsindex oder ein anderes optisches Merkmal des transparenten Substrates zu ändern, und somit den Durchgang von Licht, welches aus der phasenverschiebenden Region austritt, relativ zu Licht, welches aus einer anderen nicht-phasenverschiebenden Region des transmissiven Substrates austritt, zu ändern.
Subject matter of main group G03F 1/00 in which the radiation modifying products are either patterned phase shift masks (PSM’s), PSM blanks therefor, or specialized substrates for preparing such patterned PSM’s; and the processes of preparing are directed to preparation of such patterned PSM’s, preparation of PSM blanks therefor, or preparation of specialized substrates therefor.
(1) Note. In this subgroup, the phase shift mask (PSM) has a phase shift (PS) transmissive or reflective region that provides a different effective optical path length for illumination exiting the PS region than that of another (usually adjacent non-PS) region, so that exiting illumination from these separate regions are at different phases from each other. When the phase difference between adjacent PS and non-PS regions is 180 degrees, destructive interference is maximized for the exiting illumination between these regions, causing minimum combined diffracted light intensity, which results in a darkened projected light intensity that improves resolution when exposing a photosensitive layer (such as a photoresist).
(2) Note. For a transmissive PSM, the phase shift (PS) region is usually produced by selective addition of a transparent PS layer that increases the effective thickness of a transmissive substrate or by selective etching to create a recess that decreases the thickness of the transmissive substrate, each of which provides exiting illumination that differs in phase from illumination exiting another unchanged region of the transmissive substrate. However, the difference in phase at the phase shifting region can also be produced by selective doping or implantation of particular ions into the transmissive substrate to selectively change the refractive index or other optical characteristic of the transparent substrate, altering the passage of illuminated light exiting from the phase shifting region relative to light exiting from another (non-PS) region of the transmissive substrate for the PSM.