IPC-Stelle: H10F 55/00 [Version 2025.01 (aktuell)]

SymbolTypTitel
HSKSektion H — Elektrotechnik
H10KLHalbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10FUKLAnorganische Halbleiterbauelemente, die auf Infrarotstrahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge oder Korpuskularstrahlung ansprechen [2025.01]
H10F 10/00ZWPhotovoltaik [2025.01]
H10F 10/00HGREinzelne photovoltaische Zellen, z.B. Solarzellen (elektrolytische lichtempfindliche Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen, H01G 9/20) [2025.01]
H10F 10/10UGR1
.mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/11UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit Punktkontakt-Potenzialbarrieren (H10F 10/18 hat Vorrang) [2025.01]
H10F 10/12UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit ausschließlich Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/13UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit absorbierenden Schichten mit sich allmählich ändernden Bandlücken [graded bandgap] [2025.01]
H10F 10/14UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit ausschließlich PN-Homoübergangs-Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/142UGR3
. . .mit mehreren PN-Homoübergängen, z.B. Tandemzellen [2025.01]
H10F 10/144UGR3
. . .die ausschließlich Gruppe-III-V-Materialien enthalten, z.B. photovoltaische GaAs-, AlGaAs- oder InP-Zellen [2025.01]
H10F 10/16UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit ausschließlich PN-Heteroübergangs-Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/161UGR3
. . .mit mehreren PN-Heteroübergängen, z.B. Tandemzellen [2025.01]
H10F 10/162UGR3
. . .die ausschließlich Gruppe-II-VI-Materialien enthalten, z.B. photovoltaische CdS/CdTe-Zellen [2025.01]
H10F 10/163UGR3
. . .die ausschließlich Gruppe-III-V-Materialien enthalten, z.B. photovoltaische GaAs/AlGaAs- oder InP/GaInAs-Zellen [2025.01]
H10F 10/164UGR3
. . .mit Heteroübergängen enthaltend Gruppe-IV-Materialien, z.B. photovoltaische ITO/Si- oder GaAs/SiGe-Zellen [2025.01]
H10F 10/165UGR4
. . . .wobei die Heteroübergänge Gruppe-IV-IV-Heteroübergänge sind, z.B. photovoltaische Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Zellen [2025.01]
H10F 10/166UGR5
. . . . .wobei die Gruppe-IV-IV-Heteroübergänge aus kristallinen und amorphen Materialien sind, z.B. photovoltaische Silizium-Heteroübergangs [SHJ] zellen [2025.01]
H10F 10/167UGR3
. . .die Gruppe-I-III-VI-Materialien enthalten, z.B. photovoltaische CdS/CuInSe2 [CIS]-Heteroübergangszellen [2025.01]
H10F 10/17UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit ausschließlich PIN-Übergangs-Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/172UGR3
. . .mit mehreren PIN-Übergängen, z.B. Tandemzellen [2025.01]
H10F 10/174UGR3
. . .mit mono- oder polykristallinen Materialien [2025.01]
H10F 10/18UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit ausschließlich Schottky-Potenzialbarrieren [2025.01]
H10F 10/19UGR2
. .Photovoltaische Zellen mit mehreren Potenzialbarrieren unterschiedlicher Art, z.B. Tandemzellen mit PN- und PIN-Übergängen [2025.01]
H10F 19/00HGRIntegrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einer photovoltaischen Zelle, die von Gruppe H10F 10/00 umfasst ist, z.B. Photovoltaikmodule [2025.01]
H10F 19/10UGR1
.mit photovoltaischen Zellen in Arrays in demselben Halbleitersubstrat, wobei die photovoltaischen Zellen vertikale Übergänge oder Übergänge in V-förmigen Gräben aufweisen [2025.01]
H10F 19/20UGR1
.mit photovoltaischen Zellen in Arrays in oder auf demselben Halbleitersubstrat, wobei die photovoltaischen Zellen planare Übergänge aufweisen (mit mehreren auf demselben Substrat abgeschiedenen photovoltaische Dünnschichtzellen H10F 19/31) [2025.01]
H10F 19/30UGR1
.mit photovoltaischen Dünnschichtzellen [2025.01]
H10F 19/31UGR2
. .mit mehreren seitlich benachbarten photovoltaischen Dünnschichtzellen, die auf demselben Substrat abgeschieden sind [2025.01]
H10F 19/33UGR3
. . .Strukturierungsverfahren zum Verbinden der photovoltaischen Zellen, z.B. Laserschneiden von leitenden oder aktiven Schichten [2025.01]
H10F 19/35UGR3
. . .Strukturen für die Verbindung benachbarter photovoltaischer Zellen, z.B. Verbindungsleitungen oder isolierende Abstandshalter [2025.01]
H10F 19/37UGR3
. . .mit Mitteln zum Erzielen einer teilweisen Lichtdurchlässigkeit durch die integrierten Bauelemente oder die Baugruppen aus mehreren Bauelementen, z.B. teilweise transparente Dünnschicht-Photovoltaikmodule für Fenster [2025.01]
H10F 19/40UGR1
.mit photovoltaischen Zellen in einer mechanisch gestapelten Konfiguration [2025.01]
H10F 19/50UGR1
.Integrierte Bauelemente, die mindestens eine photovoltaische Zelle und andere Arten von Halbleiter- oder Festkörperschaltungselementen enthalten (H10F 19/75 hat Vorrang) [2025.01]
H10F 19/70UGR1
.mit Bypass-Dioden (Bypass-Dioden in einer Anschlussdose H02S 40/34) [2025.01]
H10F 19/75UGR2
. .wobei die Bypass-Dioden mit den photovoltaischen Zellen integriert oder direkt mit ihnen verbunden sind, z.B. in oder auf demselben Substrat ausgebildet [2025.01]
H10F 19/80UGR1
.Einkapselungen oder Gehäuse für integrierte Bauelemente, oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, mit photovoltaischen Zellen [2025.01]
H10F 19/85UGR2
. .Schützende Rückseitenfolien [2025.01]
H10F 19/90UGR1
.Strukturen für die Verbindung zwischen photovoltaischen Zellen, z.B. Verbindungsleitungen oder isolierende Abstandshalter (zwischen photovoltaischen Dünnschichtzellen auf demselben Substrat H10F 19/35) [2025.01]
H10F 30/00ZWStrahlungsgesteuerte Bauelemente [2025.01]
H10F 30/00HGREinzelne strahlungsempfindliche Halbleiterbauelemente, bei denen die Strahlung den Stromfluss durch die Bauelemente steuert, z.B. Photodetektoren [2025.01]
H10F 30/10UGR1
.wobei die Bauelemente empfindlich für infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung sind und keine Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Photowiderstände [2025.01]
H10F 30/20UGR1
.wobei die Bauelemente Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/21UGR2
. .wobei die Bauelemente empfindlich sind für infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung [2025.01]
H10F 30/22UGR3
. . .wobei die Bauelemente nur eine Potenzialbarriere aufweisen, z.B. Photodioden [2025.01]
H10F 30/221UGR4
. . . .wobei die Potenzialbarriere ein PN-Homoübergang ist [2025.01]
H10F 30/222UGR4
. . . .wobei die Potenzialbarriere ein PN-Heteroübergang ist [2025.01]
H10F 30/223UGR4
. . . .wobei die Potenzialbarriere eine PIN-Barriere ist [2025.01]
H10F 30/225UGR4
. . . .wobei die Potenzialbarriere mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Avalanche-Photodioden [2025.01]
H10F 30/227UGR4
. . . .wobei die Potenzialbarriere eine Schottky-Barriere ist [2025.01]
H10F 30/24UGR3
. . .wobei die Bauelemente nur zwei Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. bipolare Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/26UGR3
. . .wobei die Bauelemente drei oder mehr Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Photothyristoren [2025.01]
H10F 30/28UGR3
. . .wobei die Bauelemente durch Feldeffekt-Betrieb gekennzeichnet sind, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt-Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/282UGR4
. . . .Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate [IGFET], z.B. MISFET [Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor]-Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/29UGR2
. .wobei die Bauelemente empfindlich sind für Strahlung mit sehr kurzen Wellenlängen, z.B. Röntgenstrahlen, Gammastrahlen oder Korpuskularstrahlung [2025.01]
H10F 30/292UGR3
. . .Strahlungsdetektoren mit Volumeneffekt, z.B. Ge-Li-kompensierte PIN-Gammastrahlen-Detektoren [2025.01]
H10F 30/295UGR3
. . .Strahlungsdetektoren mit Oberflächen-Barriere oder flachen PN-Übergängen, z.B. Alpha-Teilchen-Detektoren mit Oberflächen-Barriere [2025.01]
H10F 30/298UGR3
. . .wobei die Bauelemente durch Feldeffekt-Betrieb gekennzeichnet sind, z.B. MIS-Detektoren [2025.01]
H10F 39/00HGRIntegrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Schaltungselement, das von Gruppe H10F 30/00 umfasst ist, z.B. Strahlungsdetektoren mit Photodioden-Arrays [2025.01]
H10F 39/10UGR1
.Integrierte Bauelemente [2025.01]
H10F 39/12UGR2
. .Bildsensoren [2025.01]
H10F 39/15UGR3
. . .Bildsensoren mit ladungsgekoppelten Bauelementen [CCD] [2025.01]
H10F 39/18UGR3
. . .Komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter [CMOS]-Bildsensoren; Photodioden-Array-Bildsensoren [2025.01]
H10F 39/90UGR1
.Baugruppen aus mehreren Bauelementen [2025.01]
H10F 39/95UGR2
. .mit mindestens einem integrierten Bauelement, das von Gruppe H10F 39/10 umfasst ist, z.B. mit integrierten Bildsensoren [2025.01]
H10F 55/00ZWAndere Bauelemente [2025.01]
H10F 55/00HGRStrahlungsempfindliche Halbleiterbauelemente, die von den Gruppen H10F 10/00, H10F 19/00 oder H10F 30/00 umfasst sind, und die mit elektrischen Lichtquellen strukturell verbunden und elektrisch oder optisch an diese gekoppelt sind [2025.01]
H10F 55/10UGR1
.wobei die strahlungsempfindlichen Halbleiterbauelemente die elektrische Lichtquelle steuern, z.B. Bildwandler, Bildverstärker oder Bildspeichergeräte [2025.01]
H10F 55/15UGR2
. .wobei die strahlungsempfindlichen Bauelemente und die elektrische Lichtquelle alle Halbleiterbauelemente sind [2025.01]
H10F 55/155UGR3
. . .die in, oder auf, einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind [2025.01]
H10F 55/20UGR1
.wobei die elektrische Lichtquelle die strahlungsempfindlichen Halbleiterbauelemente steuert, z.B. Optokoppler [2025.01]
H10F 55/25UGR2
. .wobei die strahlungsempfindlichen Bauelemente und die elektrische Lichtquelle alle Halbleiterbauelemente sind [2025.01]
H10F 55/255UGR3
. . .die in, oder auf, einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind [2025.01]
H10F 71/00ZWHerstellung oder Behandlung; Bauliche Einzelheiten [2025.01]
H10F 71/00HGRHerstellung oder Behandlung von Bauelementen, die von dieser Unterklasse umfasst sind (Strukturierungsverfahren zum Verbinden dünner photovoltaischer Zellen in integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die photovoltaische Zellen aufweisen, H10F 19/33; Herstellung oder Behandlung von Einkapselungen oder Gehäusen für integrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die photovoltaischen Zellen aufweisen, H10F 19/80; Herstellung oder Behandlung von integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die mindestens ein Schaltungselement umfassen, in dem Strahlung den Stromfluss steuert, H10F 39/00) [2025.01]
H10F 71/10UGR1
.wobei die Bauelemente amorphes Halbleitermaterial enthalten [2025.01]
H10F 77/00HGRBauliche Einzelheiten von Bauelementen, die von dieser Unterklasse umfasst sind (bauliche Einzelheiten von integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die mindestens ein Schaltungselement umfassen, in dem Strahlung den Stromfluss steuert, H10F 39/00) [2025.01]
H10F 77/10UGR1
.Halbleiterkörper [2025.01]
H10F 77/12UGR2
. .Aktive Materialien [2025.01]
H10F 77/121UGR3
. . .nur Selen oder nur Tellur enthaltend [2025.01]
H10F 77/122UGR3
. . .nur Gruppe-IV- Materialien enthaltend [2025.01]
H10F 77/1223UGR4
. . . .gekennzeichnet durch die Dotierungen [2025.01]
H10F 77/1226UGR4
. . . .mehrere Elemente der Gruppe IV enthaltend, z.B. SiC [2025.01]
H10F 77/123UGR3
. . .nur Gruppe-II-VI-Materialien enthaltend, z.B. CdS, ZnS oder HgCdTe [2025.01]
H10F 77/124UGR3
. . .nur Gruppe-III-V-Materialien enthaltend, z.B. GaAs [2025.01]
H10F 77/14UGR2
. .Form von Halbleiterkörpern; Formen, relative Größen oder Anordnungen von Halbleiterbereichen in Halbleiterkörpern [2025.01]
H10F 77/16UGR2
. .Materialstrukturen, z.B. kristalline Strukturen, Schichtstrukturen oder Orientierungen von Kristallebenen [2025.01]
H10F 77/162UGR3
. . .Nicht-monokristalline Materialien, z.B. in isolierende Materialien eingebettete Halbleiterpartikel (H10F 77/169 hat Vorrang) [2025.01]
H10F 77/164UGR4
. . . .Polykristalline Halbleiter [2025.01]
H10F 77/166UGR4
. . . .Amorphe Halbleiter [2025.01]
H10F 77/169UGR3
. . .Dünne Halbleiterschichten auf metallischen oder isolierenden Substraten [2025.01]
H10F 77/20UGR1
.Elektroden [2025.01]
H10F 77/30UGR1
.Beschichtungen (Anordnungen zur Verhinderung von Schäden an photovoltaischen Zellen durch korpuskulare Strahlung H10F 77/80) [2025.01]
H10F 77/40UGR1
.Optische Elemente oder Anordnungen (Oberflächentexturen H10F 77/70) [2025.01]
H10F 77/42UGR2
. .die direkt mit den photovoltaischen Zellen verbunden oder integriert sind, z.B. Lichtreflexionsmittel oder Lichtkonzentrationsmittel [2025.01]
H10F 77/45UGR3
. . .Mittel zur Wellenlängenkonversion, z.B. durch Verwendung von Leuchtstoffen, Fluoreszenzkonzentratoren oder Anordnungen zur Aufwärtskonvertierung [up-conversion] [2025.01]
H10F 77/48UGR3
. . .Rückseiten-Reflektoren [BSR] [2025.01]
H10F 77/50UGR1
.Einkapselungen oder Gehäuse (für Photovoltaikmodule H10F 19/80) [2025.01]
H10F 77/60UGR1
.Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Lüften oder zur Kompensation von Temperaturschwankungen [2025.01]
H10F 77/63UGR2
. .Anordnungen zur Kühlung, die direkt mit den photovoltaischen Zellen verbunden oder integriert sind, z.B. direkt mit den photovoltaischen Zellen verbundene Wärmesenken oder integrierte Peltier-Elemente zur aktiven Kühlung [2025.01]
H10F 77/67UGR3
. . .einschließlich direkt mit den photovoltaischen Zellen verbundenen Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, z.B. integrierte Seebeck-Elemente [2025.01]
H10F 77/70UGR1
.Oberflächentexturen, z.B. Pyramidenstrukturen [2025.01]
H10F 77/80UGR1
.Anordnungen zur Vermeidung von Schäden an photovoltaischen Zellen durch korpuskulare Strahlung, z.B. für Weltraumanwendungen [2025.01]
H10F 77/90UGR1
.Energiespeicher, die direkt mit photovoltaischen Zellen verbunden oder integriert sind, z.B. in photovoltaischen Zellen integrierte Kondensatoren [2025.01]
H10F 99/00ZWE
H10F 99/00HGRSachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]