IPC-Stelle: H10D 64/27 [Version 2025.01 (aktuell)]

SymbolTypTitel
HSKSektion H — Elektrotechnik
H10KLHalbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10DUKLAnorganische elektrische Halbleiterbauelemente [2025.01]
H10D 1/00ZWEinzelne Bauelemente [2025.01]
H10D 1/00HGRWiderstände, Kondensatoren, oder Induktivitäten [2025.01]
H10D 1/20UGR1
.Induktivitäten [2025.01]
H10D 1/40UGR1
.Widerstände [2025.01]
H10D 1/43UGR2
. .Widerstände mit PN-Übergängen [2025.01]
H10D 1/47UGR2
. .Widerstände ohne Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 1/60UGR1
.Kondensatoren [2025.01]
H10D 1/62UGR2
. .Kondensatoren mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 1/64UGR3
. . .Kapazitätsdioden, z.B. Varaktoren [2025.01]
H10D 1/66UGR3
. . .Leiter-Isolator-Halbleiter-Kondensatoren, z.B. MOS-Kondensatoren [2025.01]
H10D 1/68UGR2
. .Kondensatoren ohne Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 8/00HGRDioden (Kapazitätsdioden H10D 1/64; Gate-Dioden H10D 12/00) [2025.01]
H10D 8/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 8/20UGR1
.Durchbruch-Dioden, z.B. Avalanche-Dioden [2025.01]
H10D 8/25UGR2
. .Zener-Dioden [2025.01]
H10D 8/30UGR1
.Punktkontakt-Dioden [2025.01]
H10D 8/40UGR1
.Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT- oder TRAPATT-Dioden [2025.01]
H10D 8/50UGR1
.PIN-Dioden [2025.01]
H10D 8/60UGR1
.Schottky-Barriere-Dioden [2025.01]
H10D 8/70UGR1
.Tunneleffekt-Dioden [2025.01]
H10D 8/75UGR2
. .Tunneleffekt-PN-Dioden, z.B. Esaki-Dioden [2025.01]
H10D 8/80UGR1
.PNPN-Dioden, z.B. Shockley-Dioden oder Kipp-Punkt-Dioden [2025.01]
H10D 10/00HGRBipolare Transistoren [BJT - Bipolar junction transistors] [2025.01]
H10D 10/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 10/40UGR1
.Vertikale BJTs [2025.01]
H10D 10/60UGR1
.Laterale BJTs [2025.01]
H10D 10/80UGR1
.Heteroübergangs-BJTs [2025.01]
H10D 12/00HGRBipolare Bauelemente, die durch den Feldeffekt gesteuert werden, z.B. Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate [IGBT] [2025.01]
H10D 12/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 18/00HGRThyristoren [2025.01]
H10D 18/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 18/40UGR1
.einschaltbar durch Feldeffekt [2025.01]
H10D 18/60UGR1
.GTO-Bauelemente [GTO - Gate-turn-off] [2025.01]
H10D 18/65UGR2
. .abschaltbar durch Feldeffekt [2025.01]
H10D 18/80UGR1
.Bidirektionale Bauelemente, z.B. Triacs [2025.01]
H10D 30/00HGRFeldeffekt-Transistoren [FET] (Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate H10D 12/00) [2025.01]
H10D 30/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 30/40UGR1
.FETs mit nulldimensionalen [0D], eindimensionalen [1D] oder zweidimensionalen [2D] Kanälen für das Ladungsträgergas [2025.01]
H10D 30/43UGR2
. .mit 1D-Kanälen für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FETs oder Transistoren mit 1D-Quantum-Confinement-Kanälen [2025.01]
H10D 30/47UGR2
. .mit 2D-Kanälen für das Ladungsträgergas, z.B. Nanoribbon-FETs oder Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit [HEMT] [2025.01]
H10D 30/60UGR1
.Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate [IGFET] (H10D 30/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 30/62UGR2
. .Finnen-Feldeffekt-Transistoren [FinFET] [2025.01]
H10D 30/63UGR2
. .Vertikale IGFETs (H10D 30/66 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 30/64UGR2
. .Doppelt diffundierte Metall-Oxid-Halbleiter [DMOS] FETs [2025.01]
H10D 30/65UGR3
. . .Laterale DMOS [LDMOS] FETs [2025.01]
H10D 30/66UGR3
. . .Vertikale DMOS [VDMOS] FETs [2025.01]
H10D 30/67UGR2
. .Dünnschicht-Transistoren [TFT] [2025.01]
H10D 30/68UGR2
. .Floating-Gate-IGFETs [2025.01]
H10D 30/69UGR2
. .IGFETs mit ladungseinfangenden Gate-Isolatoren, z.B. MNOS-Transistoren [2025.01]
H10D 30/80UGR1
.FETs mit Gate-Elektroden, die einen gleichrichtenden Übergang hervorrufen (H10D 30/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 30/83UGR2
. .FETs mit PN-Übergangs-Gate-Elektroden [2025.01]
H10D 30/87UGR2
. .FETs mit Schottky-Gate-Elektroden, z.B. Metall-Halbleiter-FETs [MESFET] [2025.01]
H10D 44/00HGRBauelemente mit Ladungsübertragung [2025.01]
H10D 44/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 44/40UGR1
.Ladungsgekoppelte Bauelemente [CCD - Charge-coupled devices] [2025.01]
H10D 44/45UGR2
. .mit einem durch isolierte Gate-Elektroden erzeugten Feldeffekt [2025.01]
H10D 48/00HGREinzelne Bauelemente, die nicht von den Gruppen H10D 1/00-H10D 44/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 48/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 48/04UGR2
. .von Bauelementen mit Körpern, die Selen oder Tellur in elementarer Form enthalten [2025.01]
H10D 48/042UGR3
. . .Vorbereitung der Grundplatten [2025.01]
H10D 48/043UGR3
. . .Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2025.01]
H10D 48/044UGR4
. . . .Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2025.01]
H10D 48/045UGR4
. . . .Behandlung der Oberfläche der Selenschicht oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2025.01]
H10D 48/046UGR4
. . . .Einbau diskreter isolierender Schichten [2025.01]
H10D 48/047UGR3
. . .Anbringen einer Elektrode an die freiliegende Selenoberfläche oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2025.01]
H10D 48/048UGR3
. . .Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Ausbilden einer Barriere [2025.01]
H10D 48/049UGR4
. . . .Alterung [2025.01]
H10D 48/07UGR2
. .von Bauelementen mit Körpern, die Kupfer(I)-oxid [Cu2O] oder Kupfer(I)-iodid [CuI] enthalten [2025.01]
H10D 48/30UGR1
.Bauelemente, die durch elektrische Ströme oder Spannungen gesteuert werden [2025.01]
H10D 48/32UGR2
. .Bauelemente, die allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder das an sie angelegte elektrische Potenzial gesteuert werden [2025.01]
H10D 48/34UGR3
. . .Bipolare Bauelemente [2025.01]
H10D 48/36UGR3
. . .Unipolare Bauelemente [2025.01]
H10D 48/38UGR2
. .Bauelemente, die allein durch Änderung des einer oder mehrerer Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder des an sie angelegten elektrischen Potenzials gesteuert werden [2025.01]
H10D 48/40UGR1
.Bauelemente, die durch Magnetfelder gesteuert werden [2025.01]
H10D 48/50UGR1
.Bauelemente, die durch mechanische Kräfte gesteuert werden, z.B. Druck [2025.01]
H10D 62/00ZWBauliche Einzelheiten [2025.01]
H10D 62/00HGRHalbleiterkörper, oder Bereiche davon, von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 62/10UGR1
.Formen, relative Größen oder Anordnungen der Bereiche der Halbleiterkörper; Formen der Halbleiterkörper [2025.01]
H10D 62/13UGR2
. .Halbleiterbereiche, die mit Elektroden verbunden sind, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Source- oder Drainbereiche [2025.01]
H10D 62/17UGR2
. .Halbleiterbereiche, die mit Elektroden verbunden sind, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Kanalbereiche [2025.01]
H10D 62/40UGR1
.Kristalline Strukturen [2025.01]
H10D 62/50UGR1
.Physikalische Gitterfehler [2025.01]
H10D 62/53UGR2
. .wobei sich die Gitterfehler innerhalb des Halbleiterkörpers befinden [2025.01]
H10D 62/57UGR2
. .wobei sich die Gitterfehler an der Oberfläche des Halbleiterkörpers befinden, z.B. weist der Körper eine aufgeraute Oberfläche auf [2025.01]
H10D 62/60UGR1
.Verteilungen oder Konzentrationen von Fremdstoffen [2025.01]
H10D 62/80UGR1
.gekennzeichnet durch die Materialien [2025.01]
H10D 62/81UGR2
. .von Strukturen mit Quantum-Confinement-Effekten, z.B. einzelne Quantentöpfe [QW]; von Strukturen mit periodischen oder quasi-periodischen Potenzial-Änderungen [2025.01]
H10D 62/815UGR3
. . .von Strukturen mit periodischen oder quasi-periodischen Potenzial-Änderungen, z.B. Übergitter oder mehrfache Quantentöpfe [MQW] [2025.01]
H10D 62/82UGR2
. .Heteroübergänge [2025.01]
H10D 62/822UGR3
. . .nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-IV-Materialien, z.B. Si/Ge-Heteroübergänge [2025.01]
H10D 62/824UGR3
. . .nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-III-V-Materialien, z.B. GaN/AlGaN-Heteroübergänge [2025.01]
H10D 62/826UGR3
. . .nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-II-VI-Materialien, z.B. CdTe/HgTe-Heteroübergänge [2025.01]
H10D 62/83UGR2
. .Gruppe-IV-Materialien, z.B. B-dotiertes Si oder undotiertes Ge [2025.01]
H10D 62/832UGR3
. . .Gruppe-IV-Materialien, die zwei oder mehr Elemente enthalten, z.B. SiGe [2025.01]
H10D 62/834UGR3
. . .ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]
H10D 62/84UGR2
. .nur Selen oder Tellur [2025.01]
H10D 62/85UGR2
. .Gruppe-III-V-Materialien, z.B. GaAs [2025.01]
H10D 62/852UGR3
. . .Gruppe-III-V-Materialien, die drei oder mehr Elemente enthalten, z.B. AlGaN oder InAsSbP [2025.01]
H10D 62/854UGR3
. . .ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]
H10D 62/86UGR2
. .Gruppe-II-VI-Materialien, z.B. ZnO [2025.01]
H10D 62/862UGR3
. . .Gruppe-II-VI-Materialien, die drei oder mehr Elemente enthalten, z.B. CdZnTe [2025.01]
H10D 62/864UGR3
. . .ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]
H10D 64/00HGRElektroden von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 64/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 64/20UGR1
.Elektroden, die durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung gekennzeichnet sind [2025.01]
H10D 64/23UGR2
. .Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Sources, Drains, Anoden oder Kathoden [2025.01]
H10D 64/27UGR2
. .Elektroden, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Gates [2025.01]
H10D 64/60UGR1
.Elektroden gekennzeichnet durch ihre Materialien [2025.01]
H10D 64/62UGR2
. .Elektroden, die ohm'sch an einen Halbleiter gekoppelt sind [2025.01]
H10D 64/64UGR2
. .Elektroden mit einer Schottky-Barriere zu einem Halbleiter [2025.01]
H10D 64/66UGR2
. .Elektroden mit einem Leiter, der über einen Isolator kapazitiv an einen Halbleiter gekoppelt ist, z.B. MIS-Elektroden [2025.01]
H10D 64/68UGR3
. . .gekennzeichnet durch den Isolator, z.B. durch den Gate-Isolator [2025.01]
H10D 80/00ZWIntegrierte Bauelemente; Baugruppen aus mehreren Bauelementen [2025.01]
H10D 80/00HGRBaugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Bauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2025.01]
H10D 80/20UGR1
.wobei das mindestens eine Bauelement von den Gruppen H10D 1/00-H10D 48/00 umfasst ist, z.B. Baugruppen mit Kondensatoren, Leistungs-FETs oder Schottky-Dioden [2025.01]
H10D 80/30UGR1
.wobei das mindestens eine Bauelement von den Gruppen H10D 84/00-H10D 86/00 umfasst ist, z.B. Baugruppen mit Prozessorchips aus integrierten Schaltungen [2025.01]
H10D 84/00HGRIntegrierte Bauelemente, die in oder auf Halbleitersubstraten ausgebildet sind, die nur halbleitende Schichten enthalten, z.B. auf Si-Wafern oder auf GaAs-auf-Si-Wafern [2025.01]
H10D 84/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 84/02UGR2
. .gekennzeichnet durch den Einsatz materialbasierter Technologien [2025.01]
H10D 84/03UGR3
. . .von Gruppe-IV-Technologie, z.B. Siliziumtechnologie oder Siliziumkarbid [SiC]-Technologie [2025.01]
H10D 84/05UGR3
. . .von Gruppe III-V-Technologie [2025.01]
H10D 84/07UGR3
. . .von Gruppe II-VI-Technologie [2025.01]
H10D 84/08UGR3
. . .von Kombinationen von Technologien, z.B. von Si- und SiC-Technologien oder von Si- und Gruppe-III-V-Technologien [2025.01]
H10D 84/40UGR1
.gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 12/00 oder H10D 30/00 umfasst ist, mit mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 10/00 oder H10D 18/00 umfasst ist, z.B. Integration von IGFETs mit BJTs [2025.01]
H10D 84/60UGR1
.gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 10/00 oder H10D 18/00 umfasst ist, z.B. Integration von BJTs (H10D 84/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 84/63UGR2
. .Kombinationen von vertikalen und lateralen BJTs [2025.01]
H10D 84/65UGR2
. .Integrierte Injektionslogik [2025.01]
H10D 84/67UGR2
. .Komplementäre BJTs [2025.01]
H10D 84/80UGR1
.gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 12/00 oder H10D 30/00 umfasst ist, z.B. Integration von IGFETs (H10D 84/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 84/82UGR2
. .von nur Feldeffekt-Schaltungselementen [2025.01]
H10D 84/83UGR3
. . .von nur FETs mit isoliertem Gate [IGFET] [2025.01]
H10D 84/84UGR4
. . . .Kombinationen von IGFETs vom Anreicherungstyp und IGFETs vom Verarmungstyp [2025.01]
H10D 84/85UGR4
. . . .Komplementäre IGFETs, z.B. CMOS [2025.01]
H10D 84/86UGR2
. .von FETs mit Schottky-Barrieren-Gate [2025.01]
H10D 84/87UGR2
. .von FETs mit PN-Übergangs-Gate [2025.01]
H10D 84/90UGR1
.integrierte Masterslice-Schaltungen [2025.01]
H10D 86/00HGRIntegrierte Bauelemente, die in oder auf isolierenden oder leitenden Substraten ausgebildet sind, z.B. in Silizium-auf-Isolator [SOI]-Substraten oder auf Edelstahl- oder Glassubstraten ausgebildet [2025.01]
H10D 86/01UGR1
.Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 86/03UGR2
. .wobei das Substrat Saphir enthält, z.B. Silizium-auf-Saphir [SOS] [2025.01]
H10D 86/40UGR1
.gekennzeichnet durch mehrere TFTs [2025.01]
H10D 86/60UGR2
. .wobei die TFTs in aktiven Matrizen vorliegen [2025.01]
H10D 86/80UGR1
.gekennzeichnet durch mehrere passive Schaltungselemente, z.B. Widerstände, Kondensatoren oder Induktivitäten [2025.01]
H10D 86/85UGR2
. .gekennzeichnet durch nur passive Schaltungselemente [2025.01]
H10D 87/00HGRIntegrierte Bauelemente, die sowohl Bulk-Schaltungselemente als auch entweder SOI- oder SOS-Schaltungselemente auf demselben Substrat enthalten [2025.01]
H10D 88/00HGRDreidimensional [3D] integrierte Bauelemente [2025.01]
H10D 89/00HGRAspekte von integrierten Bauelementen, die nicht von den Gruppen H10D 84/00-H10D 88/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 89/10UGR1
.Layouts von integrierten Bauelementen [2025.01]
H10D 89/60UGR1
.Integrierte Bauelemente mit Einrichtungen zum elektrischen oder thermischen Schutz, z.B. Schutzschaltungen gegen elektrostatische Entladung [ESD] [2025.01]
H10D 99/00ZWE
H10D 99/00HGRSachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]