IPC-Stelle: G11C [Version 2011.01]

SymbolTypTitel
GSKSektion G — Physik
G11KLInformationsspeicherung
G11CUKLStatische Speicher (Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler G11B; Halbleiterbauelemente zur Speicherung H01L , z.B. H01L 27/108-H01L 27/115; Impulstechnik allgemein H03K , z.B. elektronische Schalter H03K 17/00)
G11C 5/00HGREinzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C 11/00 umfasst sind
G11C 5/02UGR1
.Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix
G11C 5/04UGR2
. .Halterungen für Speicherelemente; Anbringen oder Befestigen von Speicherelementen an diesen Halterungen
G11C 5/05UGR3
. . .Halterung der Kerne in der Matrix [2]
G11C 5/06UGR1
.Anordnungen zur elektrischen Verbindung von Speicherelementen, z.B. durch Verdrahtung
G11C 5/08UGR2
. .zur gegenseitigen Verbindung von magnetischen Elementen, z.B. von Ringkernen
G11C 5/10UGR2
. .zur gegenseitigen Verbindung von Kondensatoren
G11C 5/12UGR1
.Geräte oder Verfahren zur gegenseitigen Verbindung von Speicherelementen, z.B. zum Einfädeln von Magnetkernen
G11C 5/14UGR1
.Anordnungen zur Spannungsversorgung (Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193; allgemein G05F , H02J , H02M) [5, 7]
G11C 7/00HGRAnordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher (G11C 5/00 hat Vorrang; Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]
G11C 7/02UGR1
.unter Vermeidung von Störsignalen
G11C 7/04UGR1
.unter Vermeidung von Störungen durch Temperatureinflüsse
G11C 7/06UGR1
.Leseverstärker; zugehörige Schaltungen (Verstärker an sich H03F , H03K) [1, 7]
G11C 7/08UGR2
. .Steuerungen hierfür [7]
G11C 7/10UGR1
.Eingabe/Ausgabe [I/O]-Datenschnittstellenanordnungen, z.B. I/O-Datensteuerungen, I/O-Datenpuffer (Pegelumsetzer allgemein H03K 19/0175) [7]
G11C 7/12UGR1
.Bitleitungssteuerungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen, Entzerrerschaltungen für Bitleitungen [7]
G11C 7/14UGR1
.Dummyzellenverwaltung; Lesevergleichsspannungserzeuger [7]
G11C 7/16UGR1
.Speichern von Analogsignalen in digitalen Speichern unter Verwendung von Anordnungen, die Analog/Digital [A/D]-Wandler, digitale Speicher und Digital/Analog [D/A]-Wandler umfassen [7]
G11C 7/18UGR1
.Organisation der Bitleitungen; Layout der Bitleitungen [7]
G11C 7/20UGR1
.Initialisierungsschaltungen für Speicherzellen, z.B. während des Ein- oder Ausschaltens, Löschen des Speichers, latenter Bildspeicher [7]
G11C 7/22UGR1
.Lese-/Schreib [R/W]-Zeitsteuerungs- oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Lese-/Schreib [R/W]-Steuersignalen [7]
G11C 7/24UGR1
.Sicherheits- oder Schutzschaltungen für Speicherzellen, z.B. Anordnungen zur Verhinderung unbeabsichtigten Lesens oder Schreibens; Statuszellen; Testzellen [7]
G11C 8/00HGRAnordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher (für Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]
G11C 8/02UGR1
.unter Verwendung einer Auswahlmatrix [2]
G11C 8/04UGR1
.mit sequenziell adressierender Einrichtung, z.B. Schieberegister, Zähler (Verwendung von FIFO-Registern zur Veränderung der Geschwindigkeit des digitalen Datenflusses G06F 5/06; Verwendung von LIFO-Registern zur Verarbeitung digitaler Daten durch Eingriff in deren Reihenfolge G06F 7/00) [5]
G11C 8/06UGR1
.Adressier-Schnittstellenanordnungen, z.B. Adressenpuffer (Pegelumwandlungsschaltungen allgemein H03K 19/0175) [7]
G11C 8/08UGR1
.Steuerungsschaltungen für Wortleitungen, z.B. Treiber, Verstärker, Pull-up-Schaltungen, Pull-down-Schaltungen, Voraufladungsschaltungen für Wortleitungen [7]
G11C 8/10UGR1
.Decoder [7]
G11C 8/12UGR1
.Gruppenauswahlschaltungen, z.B. zur Speicherblockauswahl, Chipauswahl, Matrixauswahl [7]
G11C 8/14UGR1
.Organisation der Wortleitungen; Layout der Wortleitungen [7]
G11C 8/16UGR1
.Speichermatrix mit Mehrfachzugriff, z.B. Adressieren eines Speicherelements über mindestens zwei unabhängige Adressleitungsgruppen [7]
G11C 8/18UGR1
.Adressen-Zeitsteuerungs- oder Taktschaltungen; Erzeugung oder Verwaltung von Adressensteuersignalen, z.B. für Zeilenadresstakt-Signale [RAS] oder Spaltenadresstakt-Signale [CAS] [7]
G11C 8/20UGR1
.Sicherheits- oder Schutzschaltungen für Adressen, d.h. Anordnungen zur Verhinderung unberechtigter oder unbeabsichtigter Zugriffe [7]
G11C 11/00HGRDigitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [5]
G11C 11/02UGR1
.mit magnetischen Elementen
G11C 11/04UGR2
. .mit zylinderförmigen Speicherelementen, z.B. Stab, Draht (G11C 11/12 , G11C 11/14 haben Vorrang) [2]
G11C 11/06UGR2
. .mit Speicherlementen mit einer einzigen Öffnung, z.B. Ringkern; mit Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet
G11C 11/061UGR3
. . .mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen gelöscht wird [2]
G11C 11/063UGR4
. . . .bit-organisiert, z.B. 2L/2D-, 3D-Organisation, d.h. organisiert zur Auswahl eines Elements mit wenigstens zwei koinzidenten Teilströmen sowohl zum Auslesen als auch zum Einschreiben [2]
G11C 11/065UGR4
. . . .wort-organisiert, z.B. mit 2D-Organisation oder lineare Auswahl, d.h. organisiert zur Auswahl aller Elemente eines Wortes mittels eines einzigen Vollstroms beim Auslesen [2]
G11C 11/067UGR3
. . .mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen nicht gelöscht wird [2]
G11C 11/08UGR2
. .mit Speicherelementen mit mehreren Öffnungen, z.B. Transfluxoren; mit Platten, die verschiedene, jeweils mit mehreren Öffnungen versehene Speicherelemente bilden (G11C 11/10 hat Vorrang; Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet G11C 11/06) [2]
G11C 11/10UGR2
. .mit mehraxialen Speicherelementen
G11C 11/12UGR2
. .mit Tensoren; mit Twistoren, d.h. mit Elementen, in denen eine Achse der Magnetisierung gedreht ist
G11C 11/14UGR2
. .mit Dünnschichtelementen
G11C 11/15UGR3
. . .mit mehreren magnetischen Schichten (G11C 11/155 hat Vorrang) [2]
G11C 11/155UGR3
. . .mit zylindrischer Konfiguration [2]
G11C 11/16UGR2
. .mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht
G11C 11/18UGR1
.mit Halleffekt-Elementen
G11C 11/19UGR1
.mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2]
G11C 11/20UGR2
. .mit Parametrons [2]
G11C 11/21UGR1
.mit elektrischen Elementen [2]
G11C 11/22UGR2
. .mit ferroelektrischen Elementen [2]
G11C 11/23UGR2
. .mit elektrostatischer Speicherung auf einer gemeinsamen Schicht, z.B. Forrester-Haeff-Röhren (G11C 11/22 hat Vorrang) [2]
G11C 11/24UGR2
. .mit Kondensatoren (G11C 11/22 hat Vorrang; in Kombination mit Halbleitern und Kondensatoren G11C 11/34 , z.B. G11C 11/40) [2, 5]
G11C 11/26UGR2
. .mit Entladungsröhren [2]
G11C 11/28UGR3
. . .mit gasgefüllten Röhren [2]
G11C 11/30UGR3
. . .mit Hochvakuumröhren (G11C 11/23 hat Vorrang) [2]
G11C 11/34UGR2
. .mit Halbleitern [2]
G11C 11/35UGR3
. . .mit Ladungsspeicherung in einer Verarmungsschicht, z.B. ladungsgekoppelte Bauelemente [Charge Coupled Devices = CCD] [7]
G11C 11/36UGR3
. . .mit Dioden, z.B. als Schwellwertelemente [2]
G11C 11/38UGR4
. . . .mit Tunneldioden [2]
G11C 11/39UGR3
. . .mit Thyristoren [5]
G11C 11/40UGR3
. . .mit Transistoren [2]
G11C 11/401UGR4
. . . .bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5]
G11C 11/402UGR5
. . . . .mit Ladungsregeneration für jede einzelne Speicherzelle, d.h. interne Auffrischung [5]
G11C 11/403UGR5
. . . . .mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5]
G11C 11/404UGR6
. . . . . .mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5]
G11C 11/405UGR6
. . . . . .mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5]
G11C 11/406UGR5
. . . . .Überwachung oder Regelung der Auffrisch- oder Ladungsregenerationszyklen [5]
G11C 11/4063UGR5
. . . . .Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7]
G11C 11/4067UGR6
. . . . . .für bipolare Speicherzellen [7]
G11C 11/407UGR6
. . . . . .Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5]
G11C 11/4072UGR7
. . . . . . .Schaltungen zum Initialisieren, zum Einschalten, zum Abschalten in den Ruhezustand, zum Löschen des Speichers oder zum Voreinstellen [7]
G11C 11/4074UGR7
. . . . . . .Schaltungen zur Stromversorgung oder zur Spannungserzeugung, z.B. Vorspannungserzeuger, Substratspannungserzeuger, Reservestromversorgung, Stromversorgungssteuerung [7]
G11C 11/4076UGR7
. . . . . . .Zeitsteuerungen (zur Überwachung der Regeneration G11C 11/406) [7]
G11C 11/4078UGR7
. . . . . . .Sicherheits- oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder Schreibens; Zustandszellen; Prüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7]
G11C 11/408UGR7
. . . . . . .Adressierschaltungen [5]
G11C 11/409UGR7
. . . . . . .Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/4091UGR8
. . . . . . . .Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen [7]
G11C 11/4093UGR8
. . . . . . . .Anordnungen für Dateneingabe-/Datenausgabe[I/O]-Schnittstellen, z.B. Datenpuffer (Pegelumsetzer allgemein H03K 19/0175) [7]
G11C 11/4094UGR8
. . . . . . . .Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Bitleitungen [7]
G11C 11/4096UGR8
. . . . . . . .Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Dateneingabe/-ausgabe [I/O], z.B. Lese- oder Schreibschaltungen, I/O-Treiber, Bitleitungsschalter [7]
G11C 11/4097UGR8
. . . . . . . .Bitleitungsorganisation, z. B. bit-line layout, folded bit-lines [7]
G11C 11/4099UGR8
. . . . . . . .Behandlung von Leerzellen; Referenzspannungserzeuger [7]
G11C 11/41UGR4
. . . .bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5]
G11C 11/411UGR5
. . . . .nur mit Bipolartransistoren [5]
G11C 11/412UGR5
. . . . .nur mit Feldeffekttransistoren [5]
G11C 11/413UGR5
. . . . .Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5]
G11C 11/414UGR6
. . . . . .für bipolare Speicherzellen [5]
G11C 11/415UGR7
. . . . . . .Adressierschaltungen [5]
G11C 11/416UGR7
. . . . . . .Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/417UGR6
. . . . . .für Feldeffekt-Speicherzellen [5]
G11C 11/418UGR7
. . . . . . .Adressierschaltungen [5]
G11C 11/419UGR7
. . . . . . .Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/4193UGR3
. . .für spezielle Halbleiterspeicherbauelemente typische Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Treiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung, Stromversorgung, Signalausbreitung (G11C 11/4063 , G11C 11/413 haben Vorrang) [7]
G11C 11/4195UGR4
. . . .Adressierschaltungen [7]
G11C 11/4197UGR4
. . . .Schreib-/Lese[R/W]-Schaltungen [7]
G11C 11/42UGR2
. .mit optoelektrischen Bauelementen, d.h. elektrisch oder optisch gekoppelten lichtemittierenden und fotoelektrischen Bauelementen
G11C 11/44UGR2
. .mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotron [2]
G11C 11/46UGR1
.mit thermoplastischen Elementen
G11C 11/48UGR1
.mit verschiebbaren Koppelelementen, z.B. mit ferromagnetischen Kernen, zum Kippen zwischen verschiedenen Zuständen einer induktiven Kopplung oder Selbstinduktion
G11C 11/50UGR1
.mit elektrischen Kontakten zur Speicherung von Informationen (mechanische Speicher G11C 23/00; Schalter, mit denen durch eine einzige manuelle Betätigung des Betätigungsteiles eine ausgewählte Anzahl von aufeinanderfolgenden Schaltvorgängen bewirkt wird H01H 41/00)
G11C 11/52UGR2
. .mit elektromagnetischen Relais
G11C 11/54UGR1
.mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen
G11C 11/56UGR1
.mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind (Zählanordnungen, die multistabile Elemente dieser Art aufweisen H03K 25/00 , H03K 29/00) [2]
G11C 13/00HGRDigitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C 11/00 , G11C 23/00 oder G11C 25/00 umfasst sind
G11C 13/02UGR1
.mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht (Verwendung elektrochemischer Ladung G11C 11/00)
G11C 13/04UGR1
.mit optischen Elementen
G11C 13/06UGR2
. .mit magnetooptischen Elementen (Magnetooptik allgemein G02F) [2]
G11C 14/00HGRDigitale Speicher, gekennzeichnet durch Speicherzellenanordnungen mit flüchtigem und nichtflüchtigem Speicherverhalten zum Informationserhalt bei ausgefallener Spannung [5]
G11C 15/00HGRDigitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher (Speicher, in denen Informationen an einen bestimmten Speicherplatz gebunden sind G11C 11/00) [2]
G11C 15/02UGR1
.mit magnetischen Elementen [2]
G11C 15/04UGR1
.mit Halbleiterelementen [2]
G11C 15/06UGR1
.mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotrons [2]
G11C 16/00HGRLöschbare, programmierbare Festwertspeicher (G11C 14/00 hat Vorrang) [5]
G11C 16/02UGR1
.elektrisch programmierbar [5]
G11C 16/04UGR2
. .unter Verwendung von Transistoren mit variablem Schwellenwert, z.B. FAMOS [5]
G11C 16/06UGR2
. .Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher (allgemein G11C 7/00) [5]
G11C 16/08UGR3
. . .Adressierschaltungen; Decoder; Steuerschaltungen für Wortleitungen [7]
G11C 16/10UGR3
. . .Programmier- oder Dateneingabeschaltungen [7]
G11C 16/12UGR4
. . . .Programmierspannungsschaltungen [7]
G11C 16/14UGR4
. . . .elektrische Löschschaltungen, z.B. Löschspannungsschaltungen [7]
G11C 16/16UGR5
. . . . .zum Löschen von Blöcken, z.B. Arrays, Wörter, Gruppen [7]
G11C 16/18UGR4
. . . .Optische Löschschaltungen [7]
G11C 16/20UGR4
. . . .Initialisierung; Datenvoreinstellung; Chipidentifizierung [7]
G11C 16/22UGR3
. . .Sicherheits- oder Schutzschaltungen zur Verhinderung des unerlaubten oder zufälligen Zugriffs auf Speicherzellen [7]
G11C 16/24UGR3
. . .Bitleitungskontrollschaltungen [7]
G11C 16/26UGR3
. . .Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen [7]
G11C 16/28UGR4
. . . .mit differenzieller Abtastung oder mit Referenzzellen, z.B. Leerzellen [7]
G11C 16/30UGR3
. . .Spannungsversorgungsschaltungen [7]
G11C 16/32UGR3
. . .Zeitgeberschaltungen [7]
G11C 16/34UGR3
. . .Ermitteln des Programmierzustands, z.B. Schwellenspannung, Über- oder Unterprogrammierung, Datenhaltung [7]
G11C 17/00HGRNur einmal programmierbare Festwertspeicher; Halbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten (löschbare programmierbare Festwertspeicher G11C 16/00; Codieren, Decodieren oder Codeumsetzung allgemein H03M) [2, 5]
G11C 17/02UGR1
.mit magnetischen oder induktiven Elementen oder mit magnetischer oder induktiver Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5]
G11C 17/04UGR1
.mit kapazitiven Elementen oder kapazitiver Kopplung (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [2, 5]
G11C 17/06UGR1
.mit Dioden oder mit Dioden-Kopplung (G11C 17/14 hat Vorrang) [2, 5]
G11C 17/08UGR1
.mit Halbleiterbauelementen, z.B. bipolaren Bauelementen (G11C 17/06 , G11C 17/14 haben Vorrang) [5]
G11C 17/10UGR2
. .in denen der Speicherinhalt während des Herstellungsvorgangs durch eine vorher festgelegte Anordnung von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. maskenprogrammierbarer Festwertspeicher [ROM] [5]
G11C 17/12UGR3
. . .mit Feldeffekt-Bauelementen [5]
G11C 17/14UGR1
.in denen der Speicherinhalt durch selektives Herstellen, Unterbrechen oder Ändern von Verbindungsstellen durch bleibende Änderung des Zustands von Koppelelementen bestimmt wird, z.B. PROM [5]
G11C 17/16UGR2
. .mit Koppelelementen, die die Funktion einer elektrischen Sicherung aufweisen [5]
G11C 17/18UGR2
. .Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher (allgemein G11C 7/00) [5]
G11C 19/00HGRDigitale Speicher, in denen die Information schrittweise bewegt wird, z.B. Schieberegister (Zählketten H03K 23/00)
G11C 19/02UGR1
.mit magnetischen Elementen (G11C 19/14 hat Vorrang) [2]
G11C 19/04UGR2
. .mit Kernen mit einer Öffnung oder einem Magnetkreis [2]
G11C 19/06UGR2
. .mit mehreren Öffnungen oder Magnetkreisen, z.B. Transfluxoren [2]
G11C 19/08UGR2
. .mit dünnen Filmen in ebener Anordnung [2]
G11C 19/10UGR2
. .mit dünnen Filmen auf Stäben; mit Twistoren [2]
G11C 19/12UGR1
.mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2]
G11C 19/14UGR1
.mit magnetischen Elementen in Kombination mit aktiven Elementen, z.B. mit Entladungsröhren, mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/34 hat Vorrang) [2, 7]
G11C 19/18UGR1
.mit Kondensatoren als Hauptelemente der Stufen [2]
G11C 19/20UGR1
.mit Entladungsröhren (G11C 19/14 hat Vorrang) [2]
G11C 19/28UGR1
.mit Halbleiterbauelementen (G11C 19/14 , G11C 19/36 haben Vorrang) [2, 7]
G11C 19/30UGR1
.mit optoelektronischen Anordnungen, d.h. lichtemittierenden und fotoelektrischen Anordnungen, die elektrisch oder optisch gekoppelt sind [2]
G11C 19/32UGR1
.mit supraleitenden Elementen [2]
G11C 19/34UGR1
.mit Speicherelementen, die mehr als zwei stabile, durch Stufen verkörperte Zustände aufweisen, z.B. Spannung, Strom, Phase, Frequenz [7]
G11C 19/36UGR2
. .mit Halbleiterbauelementen [7]
G11C 19/38UGR1
.zweidimensional, z.B. horizontale und vertikale Schieberegister [7]
G11C 21/00HGRDigitale Speicher, in denen die Information zirkuliert (schrittweise G11C 19/00)
G11C 21/02UGR1
.mit elektromechanischen Verzögerungsleitungen, z.B. mit Quecksilber-Behälter
G11C 23/00HGRDigitale Speicher, gekennzeichnet durch die Bewegung mechanischer Teile zur Herstellung eines Speichereffektes, z.B. Kugeln; Speicherelemente hierfür (Speicherung durch Betätigen von Kontakten G11C 11/48)
G11C 25/00HGRDigitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung fließfähiger Medien; Speicherelemente hierfür
G11C 27/00HGRElektrische Analogspeicher, z.B. zur Speicherung von Augenblickswerten
G11C 27/02UGR1
.Abtast- und Speicheranordnungen (G11C 27/04 hat Vorrang; Abtasten elektrischer Signale allgemein H03K) [2, 4]
G11C 27/04UGR1
.Schieberegister (ladungsgekoppelte Bauelemente an sich H01L 29/76) [4]
G11C 29/00HGRPrüfen von Speichern auf richtige Arbeitsweise; Testen von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs [1, 2006.01]
G11C 29/02UGR1
.Ermitteln oder Lokalisieren defekter Hilfsschaltungen, z.B. defekter Refresh- Zähler [2006.01]
G11C 29/04UGR1
.Ermitteln oder Lokalisieren defekter Speicherelemente [2006.01]
G11C 29/06UGR2
. .zeitraffende Prüfung [2006.01]
G11C 29/08UGR2
. .Funktionsprüfung, z.B. Prüfung während einer Auffrischung, Einschalt-Selbsttest [ power- on self testing (POST)] oder verteilter Prüfung [2006.01]
G11C 29/10UGR3
. . .Prüfalgorithmen, z.B. Speicher- Scan- Algorithmen (MScan); Prüfmuster, z.B. Schachbrettmuster [2006.01]
G11C 29/12UGR3
. . .eingebaute Prüfanordnungen, z.B. eingebauter Selbsttest (BIST) [2006.01]
G11C 29/14UGR4
. . . .Implementierung von Steuerlogik, z.B. Testmodusdecoder [2006.01]
G11C 29/16UGR5
. . . . .unter Verwendung mikroprogrammierter Einheiten, z.B. Zustandsmaschinen [2006.01]
G11C 29/18UGR4
. . . .Adressengeneratoren; Einrichtungen für Speicherzugriff, z.B. Einzelheiten von Adressierschaltungen [2006.01]
G11C 29/20UGR5
. . . . .unter Verwendung von Zählern oder Schieberegistern mit linearer Rückkopplung (LFSR) [2006.01]
G11C 29/22UGR5
. . . . .Zugriff auf serielle Speicher [2006.01]
G11C 29/24UGR5
. . . . .Zugriff auf Zusatzzellen, z.B. Dummy-Zellen oder redundante Zellen [2006.01]
G11C 29/26UGR5
. . . . .Zugriff auf Mehrfach-Arrays (G11C 29/24 hat Vorrang) [2006.01]
G11C 29/28UGR6
. . . . . .Abhängige Mehrfach-Arrays, z.B. Multibit-Arrays [2006.01]
G11C 29/30UGR5
. . . . .Zugriff auf Einfach-Arrays [2006.01]
G11C 29/32UGR6
. . . . . .serieller Zugriff; Scan- Test [2006.01]
G11C 29/34UGR6
. . . . . .simultaner Zugriff auf mehrere Bits [2006.01]
G11C 29/36UGR4
. . . .Bauelemente zur Datenerzeugung, z.B. Dateninverter [2006.01]
G11C 29/38UGR4
. . . .Bauelemente zur Überprüfung der Antwort [2006.01]
G11C 29/40UGR5
. . . . .Unter Verwendung von Kompressionstechniken [2006.01]
G11C 29/42UGR5
. . . . .Unter Verwendung von Fehlerkorrekturcodes (ECC) oder Paritätsprüfung [2006.01]
G11C 29/44UGR4
. . . .Anzeige oder Feststellung von Fehlern, z.B. zur Reparatur [2006.01]
G11C 29/46UGR4
. . . .Testauslöselogik [2006.01]
G11C 29/48UGR3
. . .Anordnungen in statischen Speichern speziell angepasst an die Prüfung mit Mitteln außerhalb des Speichers, z.B. unter Verwendung von direktem Speicherzugriff (DMA) oder unter Verwendung externer Zugriffspfade (externe Prüfsysteme G11C 29/56) [2006.01]
G11C 29/50UGR2
. .Grenzwertprüfung, z.B. Race, Spannungs- oder Stromprüfung [2006.01]
G11C 29/52UGR1
.Schutz von Speicherinhalten; Fehlererkennung in Speicherinhalten [2006.01]
G11C 29/54UGR1
.Anordnungen zum Entwurf von Testschaltungen, z.B. design for test (DFT) tools [2006.01]
G11C 29/56UGR1
.externe Prüfsysteme für statische Speicher, z.B. automatische Testsysteme (ATE); Schnittstellen hierfür [2006.01]
G11C 99/00HGRSachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2006.01]