IPC-Stelle: G03F 3/08 [Version 2018.01]

SymbolTypTitel
GSKSektion G — Physik
G03KLFotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie [4]
G03FUKLFotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür (Lichtsetzmaschinen B41B; lichtempfindliche Materialien oder fotografische Verfahren G03C; Elektrografie, lichtempfindliche Schichten oder Verfahren dafür G03G)
G03F 1/00HGRKopiervorlagen für die fotomechanische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Masken, Fotomasken oder Zielmarken; zugehörige Maskenrohlinge oder Pellicles; besonders hierfür ausgebildete Behälter; Herstellung derselben [1, 3, 2006.01, 2012.01]
G03F 1/20UGR1
.Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. mittels Elektronenstrahlung; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/22UGR1
.Masken oder Maskenrohlinge zur Abbildung mittels Strahlung von 100 nm oder kürzerer Wellenlänge, z.B. Röntgen-Masken, EUV-Masken; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/24UGR2
. .Reflexionsmasken; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/26UGR1
.Phasenverschiebungsmasken (PSM); PSM-Rohlinge; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/28UGR2
. .mit drei oder mehr unterschiedlichen Phasen auf derselben PSM; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/29UGR2
. .Rim-PSM oder Outrigger-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/30UGR2
. .Alternierende PSM, z.B. Levenson-Shibuya-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/32UGR2
. .Abschwächende PSM (attenuating PSM, att PSM), z.B. PSM mit einem halbdurchlässigen Phasenverschiebungsbereich, Halbton-PSM; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/34UGR2
. .Phasenkanten-PSM, z.B. chromlose PSM; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/36UGR1
.Masken mit Strukturen zur Proximity Correction; Herstellung derselben, z.B. Entwurfsprozesse (Optical Proximity Correction [OPC]) [2012.01]
G03F 1/38UGR1
.Masken mit Hilfsstrukturen, z.B. speziellen Beschichtungen oder Ausrichtungsmarken oder Prüfmarken; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/40UGR2
. .Besonderheiten, die auf die elektrostatische Entladung [ESD] bezogen sind, z.B. antistatische Beschichtungen oder ein elektrisch leitfähiger Metallmantel, der das Äußere des Maskensubstrates umschließt [2012.01]
G03F 1/42UGR2
. .Strukturen für Ausrichtung, Registrierung oder Identifizierung der Maske, z.B. Ausrichtungsmarken auf den Maskensubstraten [2012.01]
G03F 1/44UGR2
. .Prüf- oder Messstrukturen, z.B. Gitterstrukturen, Strukturen zur Fokusüberwachung, Sägezahn- oder Kerbskalen [2012.01]
G03F 1/46UGR2
. .Antireflexbeschichtungen [2012.01]
G03F 1/48UGR2
. .Schutzbeschichtungen [2012.01]
G03F 1/50UGR1
.Maskenrohlinge, die nicht durch die Gruppen G03F 1/20-G03F 1/26 abgedeckt werden; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/52UGR1
.Reflektoren [2012.01]
G03F 1/54UGR1
.Absorber, z.B. opakes Material [2012.01]
G03F 1/56UGR2
. .Organische Absorber, z.B. Fotolack [2012.01]
G03F 1/58UGR2
. .mit zwei oder mehr verschiedenen Absorberschichten, z.B. Mehrlagenabsorber [2012.01]
G03F 1/60UGR1
.Substrate [2012.01]
G03F 1/62UGR1
.Pellikel oder Pellikelanordnungen, z.B. Anordnung eines Pellikels auf einem Stützrahmen; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/64UGR2
. .charakterisiert durch die Rahmen, z.B. deren Struktur oder Material [2012.01]
G03F 1/66UGR1
.Behälter, besonders ausgebildet für Masken, Maskenrohlinge oder Pellikel; Herstellung derselben [2012.01]
G03F 1/68UGR1
.Herstellungsprozesse, die nicht durch die Gruppen G03F 1/20-G03F 1/50 abgedeckt sind [2012.01]
G03F 1/70UGR2
. .Anpassung des grundlegenden Entwurfs oder des Aufbaus der Masken an die Anforderungen des lithografischen Prozesses, z.B. Zweischrittkorrektur von Maskenmustern für Abbildungsverfahren [2012.01]
G03F 1/72UGR2
. .Reparatur oder Korrektur von Maskenfehlern [2012.01]
G03F 1/74UGR3
. . .mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. fokussierter Ionenstrahl [2012.01]
G03F 1/76UGR2
. .Erstellen von Mustern auf Masken durch Abbildungsverfahren [2012.01]
G03F 1/78UGR3
. . .mittels Strahlung geladener Teilchen, z.B. Elektronenstrahlung [2012.01]
G03F 1/80UGR2
. .Ätzen [2012.01]
G03F 1/82UGR2
. .Hilfsprozesse, z.B. Reinigen [2012.01]
G03F 1/84UGR3
. . .Überprüfen [2012.01]
G03F 1/86UGR4
. . . .mittels Strahlung geladener Teilchen [2012.01]
G03F 1/88UGR1
.hergestellt mittels fotografischer Arbeitsgänge, um Kopiervorlagen zu bilden, die ein Relief simulieren [2012.01]
G03F 1/90UGR1
.hergestellt durch Montageverfahren [2012.01]
G03F 1/92UGR1
.hergestellt ausgehend von Druckflächen [2012.01]
G03F 3/00HGRFarbtrennung; Berichtigung des Farbwertes (fotografische Kopierapparate allgemein G03B) [1, 2006.01]
G03F 3/02UGR1
.durch Retuschieren [1, 2006.01]
G03F 3/04UGR1
.durch fotografische Verfahren [1, 2006.01]
G03F 3/06UGR2
. .durch Maskieren [1, 2006.01]
G03F 3/08UGR1
.durch fotoelektrische Mittel [1, 2006.01]
G03F 3/10UGR1
.Prüfen des Farb- oder Tonwertes der Auszugsnegative oder -positive [1, 2006.01]
G03F 5/00HGRRasterverfahren; Raster dafür [1, 2006.01]
G03F 5/02UGR1
.durch Projektion (Kameras G03B) [1, 2006.01]
G03F 5/04UGR2
. .durch Wechsel der Rasterwirkung [1, 2006.01]
G03F 5/06UGR2
. .durch Wechsel der Blendenwirkung [1, 2006.01]
G03F 5/08UGR2
. .durch Linienraster [1, 2006.01]
G03F 5/10UGR2
. .durch Kreuzlinienraster [1, 2006.01]
G03F 5/12UGR2
. .durch andere, z.B. Kornraster [1, 2006.01]
G03F 5/14UGR1
.durch Kontaktverfahren [1, 2006.01]
G03F 5/16UGR2
. .durch graue Halbtonraster [1, 2006.01]
G03F 5/18UGR2
. .durch Farb-Halbtonraster [1, 2006.01]
G03F 5/20UGR1
.durch Raster für Tiefdruck [1, 2006.01]
G03F 5/22UGR1
.durch Kombination verschiedener Raster; Beseitigung von Moire. [1, 2006.01]
G03F 5/24UGR1
.durch mehrfache Belichtung, z.B. Kombination von Strich- und Linienraster [1, 2006.01]
G03F 7/00HGRFotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür (Fotolackstrukturen für spezielle Herstellungsverfahren siehe die entsprechenden Stellen z.B. B44C , H01L , z.B. H01L 21/00 , H05K) [1, 3, 5, 2006.01]
G03F 7/004UGR1
.Lichtempfindliche Materialien (G03F 7/12 , G03F 7/14 haben Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/008UGR2
. .Azide (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/012UGR3
. . .Makromolekulare Azide; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
G03F 7/016UGR2
. .Diazoniumsalze oder -verbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/021UGR3
. . .Makromolekulare Diazoniumverbindungen; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
G03F 7/022UGR2
. .Chinondiazide (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/023UGR3
. . .Makromolekulare Chinondiazide; makromolekulare Zusätze, z.B. Bindemittel [5, 2006.01]
G03F 7/025UGR2
. .Nicht-makromolekulare fotopolymerisierbare Verbindungen mit Kohlenstoff-Kohlenstoff-Dreifachbindung, z.B. Acetylenverbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/027UGR2
. .Nicht-makromolekulare fotopolymerisierbare Verbindungen mit Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung, z.B. Ethylenverbindungen (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/028UGR3
. . .mit Zusätzen zum Erhöhen der Lichtempfindlichkeit, z.B. Fotoinitiatoren [5, 2006.01]
G03F 7/029UGR4
. . . .Anorganische Verbindungen; Oniumverbindungen; organische Verbindungen mit anderen Heteroatomen als Sauerstoff, Stickstoff oder Schwefel [5, 2006.01]
G03F 7/031UGR4
. . . .Organische Verbindungen soweit nicht von G03F 7/029 umfasst [5, 2006.01]
G03F 7/032UGR3
. . .mit Bindemitteln [5, 2006.01]
G03F 7/033UGR4
. . . .mit Polymeren als Bindemittel, erhalten durch Reaktionen, an denen nur ungesättigte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen beteiligt sind, z.B. Vinylpolymere [5, 2006.01]
G03F 7/035UGR4
. . . .mit Polyurethanen als Bindemittel [5, 2006.01]
G03F 7/037UGR4
. . . .mit Polyamiden oder Polyimiden als Bindemittel [5, 2006.01]
G03F 7/038UGR2
. .makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden (G03F 7/075 hat Vorrang; makromolekulare Azide G03F 7/012; makromolekulare Diazoniumverbindungen G03F 7/021) [5, 2006.01]
G03F 7/039UGR2
. .Makromolekulare fotodepolymerisierbare Verbindungen, z.B. positiv arbeitende elektronenempfindliche Fotolacke [Resists] (G03F 7/075 hat Vorrang; makromolekulare Chinondiazide G03F 7/023) [5, 2006.01]
G03F 7/04UGR2
. .Chromate (G03F 7/075 hat Vorrang) [1, 5, 2006.01]
G03F 7/06UGR2
. .Silbersalze (G03F 7/075 hat Vorrang) [1, 5, 2006.01]
G03F 7/07UGR3
. . .für Diffusionsübertragung [5, 2006.01]
G03F 7/075UGR2
. .Siliciumhaltige Verbindungen [5, 2006.01]
G03F 7/085UGR2
. .Lichtempfindliche Zusammensetzungen, gekennzeichnet durch haftungsverbessernde nicht-makromolekulare Zusätze (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/09UGR2
. .gekennzeichnet durch Einzelheiten des Aufbaus, z.B. Schichtträger, Hilfsschichten (Schichtträger für Druckformen allgemein B41N) [5, 2006.01]
G03F 7/095UGR3
. . .mit mehr als einer lichtempfindlichen Schicht (G03F 7/075 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/105UGR3
. . .mit Substanzen, z.B. Indikatoren, zum Sichtbarmachen der Strukturen [5, 2006.01]
G03F 7/11UGR3
. . .mit Deck- oder Zwischenschichten, z.B. Trennschichten [5, 2006.01]
G03F 7/115UGR3
. . .mit Schichtträgern oder Schichten zum Erhalt eines Rastereffektes oder zum Verbessern des Kontaktes beim Kontaktkopieren in einem Vakuumrahmen [5, 2006.01]
G03F 7/12UGR1
.Herstellen von Siebdruck- oder ähnlichen Druckformen, z.B. Schablonen [1, 2006.01]
G03F 7/14UGR1
.Herstellen von Lichtdruckformen [1, 2006.01]
G03F 7/16UGR1
.Beschichtungsverfahren; Vorrichtungen dafür (Aufbringen von Beschichtungen auf Trägermaterialien allgemein B05; Aufbringen lichtempfindlicher Zusammensetzungen auf den Schichtträger für fotografische Zwecke G03C 1/74) [1, 2006.01]
G03F 7/18UGR2
. .Beschichten gekrümmter Oberflächen [1, 2006.01]
G03F 7/20UGR1
.Belichten; Vorrichtungen dafür (fotografische Kopiergeräte G03B 27/00) [1, 4, 2006.01]
G03F 7/207UGR2
. .Vorrichtungen zum Scharfeinstellen, z.B. selbsttätig (Kombinationen von Positionieren und Scharfeinstellen G03F 9/02; Systeme zum automatischen Erzeugen von Scharfeinstellungssignalen allgemein G02B 7/28; Vorrichtungen zum selbsttätigen Scharfeinstellen von Projektions-Kopier- Geräten G03B 27/34) [4, 2006.01]
G03F 7/213UGR2
. .gleichzeitiges Belichten von verschiedenen Stellen derselben Oberfläche mit demselben Lichtmuster (G03F 7/207 hat Vorrang) [4, 2006.01]
G03F 7/22UGR2
. .aufeinanderfolgendes Belichten von verschiedenen Stellen derselben Oberfläche mit demselben Lichtmuster (G03F 7/207 hat Vorrang) [1, 4, 2006.01]
G03F 7/23UGR3
. . .selbsttätige Vorrichtungen dafür [4, 2006.01]
G03F 7/24UGR2
. .Gekrümmte Oberflächen [1, 2006.01]
G03F 7/26UGR1
.Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür (G03F 7/12-G03F 7/24 haben Vorrang) [3, 5, 2006.01]
G03F 7/28UGR2
. .zur Herstellung von Pulverbildern (G03F 3/10 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G03F 7/30UGR2
. .Bildmäßiges Entfernen mit Hilfe von Flüssigkeiten [5, 2006.01]
G03F 7/32UGR3
. . .Flüssigkeitszusammensetzungen dafür, z.B. Entwickler [5, 2006.01]
G03F 7/34UGR2
. .Bildmäßiges Entfernen durch selektive Übertragung, z.B. Abziehverfahren [5, 2006.01]
G03F 7/36UGR2
. .Bildmäßiges Entfernen, soweit nicht von den Gruppen G03F 7/30-G03F 7/34 umfasst, z.B. mittels eines Gasstromes, Plasmas [5, 2006.01]
G03F 7/38UGR2
. .Vorbehandlung vor dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Vorbacken [5, 2006.01]
G03F 7/40UGR2
. .Nachbehandlung nach dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Backen [5, 2006.01]
G03F 7/42UGR2
. .Abziehen oder Agenzien dafür [5, 2006.01]
G03F 9/00HGRRegistergerechtes oder sonstiges Positionieren von Kopiervorlagen, Masken, Rastern, fotografischen Folien oder strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. selbsttätig (G03F 7/22 hat Vorrang; Herstellen von Kopiervorlagen G03F 1/00; bei fotografischen Kopiergeräten zur Herstellung von Kopien G03B 27/00) [1, 4, 2006.01]
G03F 9/02UGR1
.kombiniert mit Mitteln zum automatischen Scharfeinstellen (automatisches Scharfeinstellen allgemein G02B 7/09; Systeme zum automatischen Erzeugen von Scharfeinstellsignalen G02B 7/28) [4, 2006.01]