IPC-Stelle: C30B 33/00 [Version 2012.01]

SymbolTypTitel
CSKSektion C — Chemie; Hüttenwesen
C30KLZüchten von Kristallen [3]
C30BUKLZüchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06); Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B); Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F); Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L); Apparate hierfür [3]
C30B 1/00ZWEinkristallwachstum aus festen Stoffen oder Gelen [3]
C30B 1/00HGREinkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 1/02UGR1
.durch Wärmebehandlung, z.B. Ausglühen von Gitterspannungen (C30B 1/12 hat Vorrang) [3]
C30B 1/04UGR2
. .Isotherme Rekristallisation [3]
C30B 1/06UGR2
. .Rekristallisation unter einem Temperaturgradienten [3]
C30B 1/08UGR3
. . .Zonenrekristallisation [3]
C30B 1/10UGR1
.durch Feststoffreaktion oder Mehrphasen- Diffusion [3]
C30B 1/12UGR1
.durch Druckbehandlung während des Wachstums [3]
C30B 3/00HGRGerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3]
C30B 5/00HGREinkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 5/02UGR1
.unter Zugabe von Dotierstoffen [3]
C30B 7/00ZWEinkristallwachstum aus Flüssigkeiten; gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 7/00HGREinkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 7/02UGR1
.durch Verdampfung des Lösungsmittels [3]
C30B 7/04UGR2
. .unter Verwendung von wässrigen Lösungsmitteln [3]
C30B 7/06UGR2
. .unter Verwendung von nichtwässrigen Lösungsmitteln [3]
C30B 7/08UGR1
.durch Abkühlen der Lösung [3]
C30B 7/10UGR1
.durch Anwendung von Druck, z.B. hydrothermale Verfahren [3]
C30B 7/12UGR1
.durch Elektrolyse [3]
C30B 7/14UGR1
.die auskristallisierenden Stoffe werden durch chemische Reaktionen in der Lösung gebildet [3]
C30B 9/00HGREinkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 9/02UGR1
.durch Verdampfen des geschmolzenen Lösungsmittels [3]
C30B 9/04UGR1
.durch Kühlen der Lösung [3]
C30B 9/06UGR2
. .unter Verwendung von einer Komponente der Kristallverbindung als Lösungsmittel [3]
C30B 9/08UGR2
. .unter Verwendung von anderen Lösungsmitteln [3]
C30B 9/10UGR3
. . .metallische Lösungsmittel [3]
C30B 9/12UGR3
. . .Salze als Lösungsmittel, z.B. Wachstum aus Schmelzen mit Flussmitteln [3]
C30B 9/14UGR1
.durch Elektrolyse [3]
C30B 11/00HGRErzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman- Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 11/02UGR1
.ohne Lösungsmittel (C30B 11/06 hat Vorrang) [3]
C30B 11/04UGR1
.Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]
C30B 11/06UGR2
. .wobei wenigstens eine, aber nicht alle Komponenten der Kristallverbindung zugegeben werden [3]
C30B 11/08UGR2
. .wobei alle Komponenten der Kristallverbindung während der Kristallisation zugegeben werden [3]
C30B 11/10UGR3
. . .feste oder flüssige Komponenten, z.B. Verneuil-Methode [3]
C30B 11/12UGR3
. . .dampfförmige Komponenten, z.B. VLS- [vapour-liquid-solid] Verfahren [3]
C30B 11/14UGR1
.gekennzeichnet durch den Keimkristall, z.B. seine kristallografische Orientierung [3]
C30B 13/00HGRErzeugen von Einkristallen durch Zonenschmelzen; Reinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00; Zonenreinigen von besonderen Stoffen siehe die entsprechenden Unterklassen für die Stoffe) [3, 5]
C30B 13/02UGR1
.Zonenschmelzen mit einem Lösungsmittel, z.B. travelling-solvent-Methode [Verwendung einer wandernden Schmelzlösungsmittelzone] [3]
C30B 13/04UGR1
.Homogenisieren durch "zone-levelling" [3]
C30B 13/06UGR1
.die Schmelzzone nimmt nicht den ganzen Querschnitt ein [3]
C30B 13/08UGR1
.Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelzzone [3]
C30B 13/10UGR2
. .unter Zusetzen von Dotierstoffen [3]
C30B 13/12UGR3
. . .in gasförmigem oder dampfförmigem Zustand [3]
C30B 13/14UGR1
.Tiegel oder Gefäße [3]
C30B 13/16UGR1
.Erhitzen der Schmelzzone [3]
C30B 13/18UGR2
. .wobei das Heizelement in Kontakt mit der Schmelzzone steht oder in sie eingetaucht ist [3]
C30B 13/20UGR2
. .durch Induktion, z.B. Heißdraht-Technik (C30B 13/18 hat Vorrang) [3]
C30B 13/22UGR2
. .durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]
C30B 13/24UGR3
. . .mit elektromagnetischen Wellen [3]
C30B 13/26UGR1
.unter Rühren der Schmelzzone [3]
C30B 13/28UGR1
.Steuern oder Regeln [3]
C30B 13/30UGR2
. .Stabilisation oder Formgebung der Schmelzzone, z.B. durch Verdichten, durch elektromagnetische Felder; Steuern des Kristallquerschnitts [3]
C30B 13/32UGR1
.Vorrichtungen, um entweder die Charge oder das Heizelement zu bewegen [3]
C30B 13/34UGR1
.gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]
C30B 15/00HGRErzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 15/02UGR1
.Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]
C30B 15/04UGR2
. .unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3]
C30B 15/06UGR1
.Nicht-senkrechtes Ziehen [3]
C30B 15/08UGR1
.Abwärtsziehen [3]
C30B 15/10UGR1
.Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3]
C30B 15/12UGR2
. .Doppeltiegel-Verfahren [3]
C30B 15/14UGR1
.Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3]
C30B 15/16UGR2
. .durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]
C30B 15/18UGR2
. .mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3]
C30B 15/20UGR1
.Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
C30B 15/22UGR2
. .Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen Kristall; Steuern des Kristallquerschnitts [3]
C30B 15/24UGR3
. . .unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3]
C30B 15/26UGR3
. . .unter Verwendung von Fernsehkameras; unter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3]
C30B 15/28UGR3
. . .unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3]
C30B 15/30UGR1
.Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3]
C30B 15/32UGR1
.Keimhalter, z.B. Spannfutter [3]
C30B 15/34UGR1
.kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3]
C30B 15/36UGR1
.gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]
C30B 17/00HGREinkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3]
C30B 19/00HGRFlüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3]
C30B 19/02UGR1
.mit geschmolzenen Lösungsmitteln, z.B. Flussmitteln [3]
C30B 19/04UGR2
. .wobei das Lösungsmittel eine Komponente der Kristallverbindung ist [3]
C30B 19/06UGR1
.Reaktionskammern; Gefäße für die Schmelze; Substratträger [3]
C30B 19/08UGR1
.Erhitzen der Reaktionskammern oder des Substrates [3]
C30B 19/10UGR1
.Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
C30B 19/12UGR1
.gekennzeichnet durch das Substrat [3]
C30B 21/00HGRGerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 21/02UGR1
.durch einfaches Gießen oder Kühlen mit Temperaturgradient [3]
C30B 21/04UGR1
.durch Zonenschmelzen [3]
C30B 21/06UGR1
.durch Ziehen aus einer Schmelze [3]
C30B 23/00ZWEinkristallwachstum aus der Dampfphase [3]
C30B 23/00HGRErzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3]
C30B 23/02UGR1
.Epitaktisches Schichtenwachstum [3]
C30B 23/04UGR2
. .Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]
C30B 23/06UGR2
. .Erhitzen der Abscheidekammer, des Substrats oder der zu verdampfenden Stoffe [3]
C30B 23/08UGR2
. .durch Niederschlagen von ionisierten Dämpfen (durch reaktives Sputtering C30B 25/06) [3]
C30B 25/00HGRErzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3]
C30B 25/02UGR1
.Epitaktisches Schichtenwachstum [3]
C30B 25/04UGR2
. .Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]
C30B 25/06UGR2
. .durch reaktives Sputtering [3]
C30B 25/08UGR2
. .Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]
C30B 25/10UGR2
. .Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3]
C30B 25/12UGR2
. .Substrathalter oder -träger [3]
C30B 25/14UGR2
. .Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]
C30B 25/16UGR2
. .Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
C30B 25/18UGR2
. .gekennzeichnet durch das Substrat [3]
C30B 25/20UGR3
. . .wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3]
C30B 25/22UGR2
. .Sandwich-Verfahren [3]
C30B 27/00ZWE
C30B 27/00HGREinkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3]
C30B 27/02UGR1
.durch Ziehen aus einer Schmelze [3]
C30B 28/00HGRHerstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5]
C30B 28/02UGR1
.direkt aus dem festen Zustand [5]
C30B 28/04UGR1
.aus Flüssigkeiten [5]
C30B 28/06UGR2
. .durch normales Ausfrieren oder Ausfrieren unter einem Temperaturgradienten [5]
C30B 28/08UGR2
. .durch Zonenschmelzen [5]
C30B 28/10UGR2
. .durch Ziehen aus einer Schmelze [5]
C30B 28/12UGR1
.direkt aus dem Gaszustand [5]
C30B 28/14UGR2
. .durch chemische Reaktion reaktionsfähiger Gase [5]
C30B 29/00HGREinkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form [3, 5]
C30B 29/02UGR1
.Elemente [3]
C30B 29/04UGR2
. .Diamant [3]
C30B 29/06UGR2
. .Silicium [3]
C30B 29/08UGR2
. .Germanium [3]
C30B 29/10UGR1
.Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen [3]
C30B 29/12UGR2
. .Halogenide [3]
C30B 29/14UGR2
. .Phosphate [3]
C30B 29/16UGR2
. .Oxide [3]
C30B 29/18UGR3
. . .Quarz [3]
C30B 29/20UGR3
. . .Aluminiumoxide [3]
C30B 29/22UGR3
. . .Zusammengesetzte Oxide [3]
C30B 29/24UGR4
. . . .der Formel AMeO3 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Orthoferrite [3]
C30B 29/26UGR4
. . . .der Formel BMe2O4 , wobei B ist Mg, Ni, Co, Al, Zn oder Cd, und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al [3]
C30B 29/28UGR4
. . . .der Formel A3 Me5O12 , wobei A ein Metall der Seltenen Erden ist und Me ist Fe, Ga, Sc, Cr, Co oder Al, z.B. Granate [3]
C30B 29/30UGR4
. . . .Niobate; Vanadate; Tantalate [3]
C30B 29/32UGR4
. . . .Titanate; Germanate; Molybdate; Wolframate [3]
C30B 29/34UGR2
. .Silicate [3]
C30B 29/36UGR2
. .Carbide [3]
C30B 29/38UGR2
. .Nitride [3]
C30B 29/40UGR2
. .AIIIBV-Verbindungen [3]
C30B 29/42UGR3
. . .Galliumarsenid [3]
C30B 29/44UGR3
. . .Galliumphosphid [3]
C30B 29/46UGR2
. .Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen [3]
C30B 29/48UGR3
. . .AIIBVI-Verbindungen [3]
C30B 29/50UGR4
. . . .Cadmiumsulfid [3]
C30B 29/52UGR2
. .Legierungen [3]
C30B 29/54UGR1
.Organische Verbindungen [3]
C30B 29/56UGR2
. .Tartrate [3]
C30B 29/58UGR2
. .Makromolekulare Verbindungen [3]
C30B 29/60UGR1
.gekennzeichnet durch die Form [3]
C30B 29/62UGR2
. .Whisker oder Nadeln [3]
C30B 29/64UGR2
. .Flache Kristalle, z.B. Platten, Bänder, Scheiben [5]
C30B 29/66UGR2
. .Kristalle komplexer geometrischer Form, z.B. Rohre, Zylinder [5]
C30B 29/68UGR2
. .Kristalle mit Schichtstrukturen, z.B. "Übergitter" ["Superlattices"] [5]
C30B 30/00HGRHerstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5]
C30B 30/02UGR1
.durch Anwendung elektrischer Felder, z.B. Elektrolyse [5]
C30B 30/04UGR1
.durch Anwendung magnetischer Felder [5]
C30B 30/06UGR1
.durch Anwendung mechanischer Schwingungen [5]
C30B 30/08UGR1
.unter Schwerelosigkeit oder geringer Schwerkraft [5]
C30B 31/00ZWNachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
C30B 31/00HGRDiffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Vorrichtungen dafür [3, 5]
C30B 31/02UGR1
.durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in festem Zustand [3]
C30B 31/04UGR1
.durch Kontaktieren mit Diffusionsstoffen im flüssigen Zustand [3]
C30B 31/06UGR1
.durch Inberührungbringen mit Diffusionsstoffen in gasförmigem Zustand (C30B 31/18 hat Vorrang) [3]
C30B 31/08UGR2
. .wobei die Diffusionsstoffe Verbindungen der zu diffundierenden Elemente sind [3]
C30B 31/10UGR2
. .Reaktionskammern; Auswahl der Materialien dafür [3]
C30B 31/12UGR2
. .Heizen der Reaktionskammer [3]
C30B 31/14UGR2
. .Substrathalter oder -träger [3]
C30B 31/16UGR2
. .Zu- und Ableitungen für die Gase; Regulierung des Gasstroms [3]
C30B 31/18UGR2
. .Steuern oder Regeln [3]
C30B 31/20UGR1
.Dotieren durch Bestrahlen mit elektromagnetischen Wellen oder durch Teilchenstrahlung [3]
C30B 31/22UGR2
. .durch Ionen-Implantation [3]
C30B 33/00HGRNachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang) [3, 5]
C30B 33/02UGR1
.Wärmebehandlung (C30B 33/04 , C30B 33/06 haben Vorrang) [5]
C30B 33/04UGR1
.durch Anwendung elektrischer oder magnetischer Felder oder von Teilchenstrahlung [5]
C30B 33/06UGR1
.Zusammenfügen von Kristallen [5]
C30B 33/08UGR1
.Ätzen [5]
C30B 33/10UGR2
. .in Lösungen oder Schmelzen [5]
C30B 33/12UGR2
. .in Gasatmosphäre oder Plasma [5]
C30B 35/00ZWE
C30B 35/00HGRVorrichtungen, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur, sofern nicht anderweitig vorgesehen [3, 5]