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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Elektrische Bauteile
H02
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Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
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Elektronische Schaltkreise
H04
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Elektrische Nachrichtentechnik
H05
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Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10
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HalbleiterbauelementeElektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10B
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Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]
H10D
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Anorganische elektrische Halbleiterbauelemente [2025.01]
H10F
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Anorganische Halbleiterbauelemente, die auf Infrarotstrahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge oder Korpuskularstrahlung ansprechen [2025.01]
H10F 10/00
Photovoltaik [2025.01]
H10F 10/00
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Einzelne photovoltaische Zellen, z.B. Solarzellen (elektrolytische lichtempfindliche Bauelemente, z.B. Farbstoffsolarzellen, H01G 9/20) [2025.01]
H10F 19/00
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Integrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einer photovoltaischen Zelle, die von Gruppe H10F 10/00 umfasst ist, z.B. Photovoltaikmodule [2025.01]
H10F 30/00
Strahlungsgesteuerte Bauelemente [2025.01]
H10F 30/00
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Einzelne strahlungsempfindliche Halbleiterbauelemente, bei denen die Strahlung den Stromfluss durch die Bauelemente steuert, z.B. Photodetektoren [2025.01]
H10F 30/10
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wobei die Bauelemente empfindlich für infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung sind und keine Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Photowiderstände [2025.01]
H10F 30/20
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wobei die Bauelemente Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/21
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. . wobei die Bauelemente empfindlich sind für infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung [2025.01]
H10F 30/22
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. . . wobei die Bauelemente nur eine Potenzialbarriere aufweisen, z.B. Photodioden [2025.01]
H10F 30/221
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. . . . wobei die Potenzialbarriere ein PN-Homoübergang ist [2025.01]
H10F 30/222
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. . . . wobei die Potenzialbarriere ein PN-Heteroübergang ist [2025.01]
H10F 30/223
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. . . . wobei die Potenzialbarriere eine PIN-Barriere ist [2025.01]
H10F 30/225
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. . . . wobei die Potenzialbarriere mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Avalanche-Photodioden [2025.01]
H10F 30/227
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. . . . wobei die Potenzialbarriere eine Schottky-Barriere ist [2025.01]
H10F 30/24
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. . . wobei die Bauelemente nur zwei Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. bipolare Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/26
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. . . wobei die Bauelemente drei oder mehr Potenzialbarrieren aufweisen, z.B. Photothyristoren [2025.01]
H10F 30/28
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. . . wobei die Bauelemente durch Feldeffekt-Betrieb gekennzeichnet sind, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt-Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/282
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. . . . Feldeffekt-Transistoren mit isoliertem Gate [IGFET], z.B. MISFET [Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekt-Transistor]-Phototransistoren [2025.01]
H10F 30/29
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. . wobei die Bauelemente empfindlich sind für Strahlung mit sehr kurzen Wellenlängen, z.B. Röntgenstrahlen, Gammastrahlen oder Korpuskularstrahlung [2025.01]
H10F 30/292
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. . . Strahlungsdetektoren mit Volumeneffekt, z.B. Ge-Li-kompensierte PIN-Gammastrahlen-Detektoren [2025.01]
H10F 30/295
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. . . Strahlungsdetektoren mit Oberflächen-Barriere oder flachen PN-Übergängen, z.B. Alpha-Teilchen-Detektoren mit Oberflächen-Barriere [2025.01]
H10F 30/298
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. . . wobei die Bauelemente durch Feldeffekt-Betrieb gekennzeichnet sind, z.B. MIS-Detektoren [2025.01]
H10F 39/00
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Integrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Schaltungselement, das von Gruppe H10F 30/00 umfasst ist, z.B. Strahlungsdetektoren mit Photodioden-Arrays [2025.01]
H10F 55/00
Andere Bauelemente [2025.01]
H10F 55/00
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Strahlungsempfindliche Halbleiterbauelemente, die von den Gruppen H10F 10/00, H10F 19/00 oder H10F 30/00 umfasst sind, und die mit elektrischen Lichtquellen strukturell verbunden und elektrisch oder optisch an diese gekoppelt sind [2025.01]
H10F 71/00
Herstellung oder BehandlungBauliche Einzelheiten [2025.01]
H10F 71/00
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Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, die von dieser Unterklasse umfasst sind (Strukturierungsverfahren zum Verbinden dünner photovoltaischer Zellen in integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die photovoltaische Zellen aufweisen, H10F 19/33; Herstellung oder Behandlung von Einkapselungen oder Gehäusen für integrierte Bauelemente oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die photovoltaischen Zellen aufweisen, H10F 19/80; Herstellung oder Behandlung von integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die mindestens ein Schaltungselement umfassen, in dem Strahlung den Stromfluss steuert, H10F 39/00) [2025.01]
H10F 77/00
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Bauliche Einzelheiten von Bauelementen, die von dieser Unterklasse umfasst sind (bauliche Einzelheiten von integrierten Bauelementen oder Baugruppen aus mehreren Bauelementen, die mindestens ein Schaltungselement umfassen, in dem Strahlung den Stromfluss steuert, H10F 39/00) [2025.01]
H10F 99/00

H10F 99/00
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Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]
H10H
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Anorganische lichtemittierende Halbleiterbauelemente mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10K
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Organische elektrische Festkörperbauelemente [2023.01]
H10N
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Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]