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IPC-Stelle: H10D 84/00 Hauptgruppe [Version 2025.01 (aktuell), Sprache DE - Deutsch]

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Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol		Titel
A Hierarchieinformationen		Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B Hierarchieinformationen		Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C Hierarchieinformationen		Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D Hierarchieinformationen		Sektion D — Textilien; Papier
E Hierarchieinformationen		Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Hierarchieinformationen		Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Hierarchieinformationen		Sektion G — Physik
H Hierarchieinformationen		Sektion H — Elektrotechnik
H01 Hierarchieinformationen		Elektrische Bauteile
H02 Hierarchieinformationen		Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03 Hierarchieinformationen		Elektronische Schaltkreise
H04 Hierarchieinformationen		Elektrische Nachrichtentechnik
H05 Hierarchieinformationen		Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10B Hierarchieinformationen		Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]
H10D Hierarchieinformationen		Anorganische elektrische Halbleiterbauelemente [2025.01]
H10D 1/00		Einzelne Bauelemente [2025.01]
H10D 1/00 Hierarchieinformationen		Widerstände, Kondensatoren, oder Induktivitäten [2025.01]
H10D 8/00 Hierarchieinformationen		Dioden (Kapazitätsdioden H10D 1/64; Gate-Dioden H10D 12/00) [2025.01]
H10D 10/00 Hierarchieinformationen		Bipolare Transistoren [BJT - Bipolar junction transistors] [2025.01]
H10D 12/00 Hierarchieinformationen		Bipolare Bauelemente, die durch den Feldeffekt gesteuert werden, z.B. Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate [IGBT] [2025.01]
H10D 18/00 Hierarchieinformationen		Thyristoren [2025.01]
H10D 30/00 Hierarchieinformationen		Feldeffekt-Transistoren [FET] (Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate H10D 12/00) [2025.01]
H10D 44/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente mit Ladungsübertragung [2025.01]
H10D 48/00 Hierarchieinformationen		Einzelne Bauelemente, die nicht von den Gruppen H10D 1/00-H10D 44/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 62/00		Bauliche Einzelheiten [2025.01]
H10D 62/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterkörper, oder Bereiche davon, von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 64/00 Hierarchieinformationen		Elektroden von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 80/00		Integrierte Bauelemente; Baugruppen aus mehreren Bauelementen [2025.01]
H10D 80/00 Hierarchieinformationen		Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Bauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2025.01]
H10D 84/00 Hierarchieinformationen		Integrierte Bauelemente, die in oder auf Halbleitersubstraten ausgebildet sind, die nur halbleitende Schichten enthalten, z.B. auf Si-Wafern oder auf GaAs-auf-Si-Wafern [2025.01]
H10D 84/01 Hierarchieinformationen		. Herstellung oder Behandlung [2025.01]
H10D 84/02 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch den Einsatz materialbasierter Technologien [2025.01]
H10D 84/03 Hierarchieinformationen		. . . von Gruppe-IV-Technologie, z.B. Siliziumtechnologie oder Siliziumkarbid [SiC]-Technologie [2025.01]
H10D 84/05 Hierarchieinformationen		. . . von Gruppe III-V-Technologie [2025.01]
H10D 84/07 Hierarchieinformationen		. . . von Gruppe II-VI-Technologie [2025.01]
H10D 84/08 Hierarchieinformationen		. . . von Kombinationen von Technologien, z.B. von Si- und SiC-Technologien oder von Si- und Gruppe-III-V-Technologien [2025.01]
H10D 84/40 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 12/00 oder H10D 30/00 umfasst ist, mit mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 10/00 oder H10D 18/00 umfasst ist, z.B. Integration von IGFETs mit BJTs [2025.01]
H10D 84/60 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 10/00 oder H10D 18/00 umfasst ist, z.B. Integration von BJTs (H10D 84/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 84/63 Hierarchieinformationen		. . Kombinationen von vertikalen und lateralen BJTs [2025.01]
H10D 84/65 Hierarchieinformationen		. . Integrierte Injektionslogik [2025.01]
H10D 84/67 Hierarchieinformationen		. . Komplementäre BJTs [2025.01]
H10D 84/80 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Integration von mindestens einem Schaltungselement, das von den Gruppen H10D 12/00 oder H10D 30/00 umfasst ist, z.B. Integration von IGFETs (H10D 84/40 hat Vorrang) [2025.01]
H10D 84/82 Hierarchieinformationen		. . von nur Feldeffekt-Schaltungselementen [2025.01]
H10D 84/83 Hierarchieinformationen		. . . von nur FETs mit isoliertem Gate [IGFET] [2025.01]
H10D 84/84 Hierarchieinformationen		. . . . Kombinationen von IGFETs vom Anreicherungstyp und IGFETs vom Verarmungstyp [2025.01]
H10D 84/85 Hierarchieinformationen		. . . . Komplementäre IGFETs, z.B. CMOS [2025.01]
H10D 84/86 Hierarchieinformationen		. . von FETs mit Schottky-Barrieren-Gate [2025.01]
H10D 84/87 Hierarchieinformationen		. . von FETs mit PN-Übergangs-Gate [2025.01]
H10D 84/90 Hierarchieinformationen		. integrierte Masterslice-Schaltungen [2025.01]
H10D 86/00 Hierarchieinformationen		Integrierte Bauelemente, die in oder auf isolierenden oder leitenden Substraten ausgebildet sind, z.B. in Silizium-auf-Isolator [SOI]-Substraten oder auf Edelstahl- oder Glassubstraten ausgebildet [2025.01]
H10D 87/00 Hierarchieinformationen		Integrierte Bauelemente, die sowohl Bulk-Schaltungselemente als auch entweder SOI- oder SOS-Schaltungselemente auf demselben Substrat enthalten [2025.01]
H10D 88/00 Hierarchieinformationen		Dreidimensional [3D] integrierte Bauelemente [2025.01]
H10D 89/00 Hierarchieinformationen		Aspekte von integrierten Bauelementen, die nicht von den Gruppen H10D 84/00-H10D 88/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 99/00
H10D 99/00 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]
H10F Hierarchieinformationen		Anorganische Halbleiterbauelemente, die auf Infrarotstrahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge oder Korpuskularstrahlung ansprechen [2025.01]
H10H Hierarchieinformationen		Anorganische lichtemittierende Halbleiterbauelemente mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10K Hierarchieinformationen		Organische elektrische Festkörperbauelemente [2023.01]
H10N Hierarchieinformationen		Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]