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IPC-Stelle: H10D 62/824 3-Punkt Untergruppe [Version 2025.01 (aktuell), Sprache DE - Deutsch]

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Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol

Titel

Sektion A — Täglicher Lebensbedarf

Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren

Sektion C — Chemie; Hüttenwesen

Sektion D — Textilien; Papier

Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau

Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen

Sektion G — Physik

Sektion H — Elektrotechnik

H01

Elektrische Bauteile

H02

Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie

H03

Elektronische Schaltkreise

H04

Elektrische Nachrichtentechnik

H05

Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen

H10

Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]

H10B

Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]

H10D

Anorganische elektrische Halbleiterbauelemente [2025.01]

H10D 1/00

Einzelne Bauelemente [2025.01]

H10D 1/00

Widerstände, Kondensatoren, oder Induktivitäten [2025.01]

H10D 8/00

Dioden (Kapazitätsdioden H10D 1/64; Gate-Dioden H10D 12/00) [2025.01]

H10D 10/00

Bipolare Transistoren [BJT - Bipolar junction transistors] [2025.01]

H10D 12/00

Bipolare Bauelemente, die durch den Feldeffekt gesteuert werden, z.B. Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate [IGBT] [2025.01]

H10D 18/00

Thyristoren [2025.01]

H10D 30/00

Feldeffekt-Transistoren [FET] (Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate H10D 12/00) [2025.01]

H10D 44/00

Bauelemente mit Ladungsübertragung [2025.01]

H10D 48/00

Einzelne Bauelemente, die nicht von den Gruppen H10D 1/00-H10D 44/00 umfasst sind [2025.01]

H10D 62/00

Bauliche Einzelheiten [2025.01]

H10D 62/00

Halbleiterkörper, oder Bereiche davon, von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]

H10D 62/10

.	Formen, relative Größen oder Anordnungen der Bereiche der Halbleiterkörper; Formen der Halbleiterkörper [2025.01]

H10D 62/13

. .	Halbleiterbereiche, die mit Elektroden verbunden sind, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Source- oder Drainbereiche [2025.01]

H10D 62/17

. .	Halbleiterbereiche, die mit Elektroden verbunden sind, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen, z.B. Kanalbereiche [2025.01]

H10D 62/40

.	Kristalline Strukturen [2025.01]

H10D 62/50

.	Physikalische Gitterfehler [2025.01]

H10D 62/53

. .	wobei sich die Gitterfehler innerhalb des Halbleiterkörpers befinden [2025.01]

H10D 62/57

. .	wobei sich die Gitterfehler an der Oberfläche des Halbleiterkörpers befinden, z.B. weist der Körper eine aufgeraute Oberfläche auf [2025.01]

H10D 62/60

.	Verteilungen oder Konzentrationen von Fremdstoffen [2025.01]

H10D 62/80

.	gekennzeichnet durch die Materialien [2025.01]

H10D 62/81

. .	von Strukturen mit Quantum-Confinement-Effekten, z.B. einzelne Quantentöpfe [QW]; von Strukturen mit periodischen oder quasi-periodischen Potenzial-Änderungen [2025.01]

H10D 62/815

. . .

von Strukturen mit periodischen oder quasi-periodischen Potenzial-Änderungen, z.B. Übergitter oder mehrfache Quantentöpfe [MQW] [2025.01]

H10D 62/82

. .	Heteroübergänge [2025.01]

H10D 62/822

. . .

nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-IV-Materialien, z.B. Si/Ge-Heteroübergänge [2025.01]

H10D 62/824

. . .

nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-III-V-Materialien, z.B. GaN/AlGaN-Heteroübergänge [2025.01]

H10D 62/826

. . .

nur mit Heteroübergängen aus Gruppe-II-VI-Materialien, z.B. CdTe/HgTe-Heteroübergänge [2025.01]

H10D 62/83

. .	Gruppe-IV-Materialien, z.B. B-dotiertes Si oder undotiertes Ge [2025.01]

H10D 62/832

. . .

Gruppe-IV-Materialien, die zwei oder mehr Elemente enthalten, z.B. SiGe [2025.01]

H10D 62/834

. . .

ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]

H10D 62/84

. .	nur Selen oder Tellur [2025.01]

H10D 62/85

. .	Gruppe-III-V-Materialien, z.B. GaAs [2025.01]

H10D 62/852

. . .

Gruppe-III-V-Materialien, die drei oder mehr Elemente enthalten, z.B. AlGaN oder InAsSbP [2025.01]

H10D 62/854

. . .

ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]

H10D 62/86

. .	Gruppe-II-VI-Materialien, z.B. ZnO [2025.01]

H10D 62/862

. . .

Gruppe-II-VI-Materialien, die drei oder mehr Elemente enthalten, z.B. CdZnTe [2025.01]

H10D 62/864

. . .

ferner gekennzeichnet durch die Dotierstoffe [2025.01]

H10D 64/00

Elektroden von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]

H10D 80/00

Integrierte Bauelemente; Baugruppen aus mehreren Bauelementen [2025.01]

H10D 80/00

Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Bauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2025.01]

H10D 84/00

Integrierte Bauelemente, die in oder auf Halbleitersubstraten ausgebildet sind, die nur halbleitende Schichten enthalten, z.B. auf Si-Wafern oder auf GaAs-auf-Si-Wafern [2025.01]

H10D 86/00

Integrierte Bauelemente, die in oder auf isolierenden oder leitenden Substraten ausgebildet sind, z.B. in Silizium-auf-Isolator [SOI]-Substraten oder auf Edelstahl- oder Glassubstraten ausgebildet [2025.01]

H10D 87/00

Integrierte Bauelemente, die sowohl Bulk-Schaltungselemente als auch entweder SOI- oder SOS-Schaltungselemente auf demselben Substrat enthalten [2025.01]

H10D 88/00

Dreidimensional [3D] integrierte Bauelemente [2025.01]

H10D 89/00

Aspekte von integrierten Bauelementen, die nicht von den Gruppen H10D 84/00-H10D 88/00 umfasst sind [2025.01]

H10D 99/00

Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]

H10F

Anorganische Halbleiterbauelemente, die auf Infrarotstrahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge oder Korpuskularstrahlung ansprechen [2025.01]

H10H

Anorganische lichtemittierende Halbleiterbauelemente mit Potenzialbarrieren [2025.01]

H10K

Organische elektrische Festkörperbauelemente [2023.01]

H10N

Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]

H99

Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]

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