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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Elektrische Bauteile
H02
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Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
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Elektronische Schaltkreise
H04
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Elektrische Nachrichtentechnik
H05
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Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10
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HalbleiterbauelementeElektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10B
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Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]
H10D
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Anorganische elektrische Halbleiterbauelemente [2025.01]
H10D 1/00
Einzelne Bauelemente [2025.01]
H10D 1/00
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Widerstände, Kondensatoren, oder Induktivitäten [2025.01]
H10D 1/20
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Induktivitäten [2025.01]
H10D 1/40
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Widerstände [2025.01]
H10D 1/43
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. . Widerstände mit PN-Übergängen [2025.01]
H10D 1/47
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. . Widerstände ohne Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 1/60
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Kondensatoren [2025.01]
H10D 1/62
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. . Kondensatoren mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 1/64
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. . . Kapazitätsdioden, z.B. Varaktoren [2025.01]
H10D 1/66
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. . . Leiter-Isolator-Halbleiter-Kondensatoren, z.B. MOS-Kondensatoren [2025.01]
H10D 1/68
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. . Kondensatoren ohne Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 8/00
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Dioden (Kapazitätsdioden H10D 1/64; Gate-Dioden H10D 12/00) [2025.01]
H10D 10/00
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Bipolare Transistoren [BJT - Bipolar junction transistors] [2025.01]
H10D 12/00
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Bipolare Bauelemente, die durch den Feldeffekt gesteuert werden, z.B. Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate [IGBT] [2025.01]
H10D 18/00
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Thyristoren [2025.01]
H10D 30/00
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Feldeffekt-Transistoren [FET] (Bipolare Transistoren mit isoliertem Gate H10D 12/00) [2025.01]
H10D 44/00
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Bauelemente mit Ladungsübertragung [2025.01]
H10D 48/00
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Einzelne Bauelemente, die nicht von den Gruppen H10D 1/00-H10D 44/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 62/00
Bauliche Einzelheiten [2025.01]
H10D 62/00
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Halbleiterkörper, oder Bereiche davon, von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 64/00
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Elektroden von Bauelementen mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10D 80/00
Integrierte BauelementeBaugruppen aus mehreren Bauelementen [2025.01]
H10D 80/00
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Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Bauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2025.01]
H10D 84/00
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Integrierte Bauelemente, die in oder auf Halbleitersubstraten ausgebildet sind, die nur halbleitende Schichten enthalten, z.B. auf Si-Wafern oder auf GaAs-auf-Si-Wafern [2025.01]
H10D 86/00
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Integrierte Bauelemente, die in oder auf isolierenden oder leitenden Substraten ausgebildet sind, z.B. in Silizium-auf-Isolator [SOI]-Substraten oder auf Edelstahl- oder Glassubstraten ausgebildet [2025.01]
H10D 87/00
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Integrierte Bauelemente, die sowohl Bulk-Schaltungselemente als auch entweder SOI- oder SOS-Schaltungselemente auf demselben Substrat enthalten [2025.01]
H10D 88/00
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Dreidimensional [3D] integrierte Bauelemente [2025.01]
H10D 89/00
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Aspekte von integrierten Bauelementen, die nicht von den Gruppen H10D 84/00-H10D 88/00 umfasst sind [2025.01]
H10D 99/00

H10D 99/00
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Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2025.01]
H10F
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Anorganische Halbleiterbauelemente, die auf Infrarotstrahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge oder Korpuskularstrahlung ansprechen [2025.01]
H10H
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Anorganische lichtemittierende Halbleiterbauelemente mit Potenzialbarrieren [2025.01]
H10K
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Organische elektrische Festkörperbauelemente [2023.01]
H10N
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Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]