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IPC-Stelle: H10B 41/00 Hauptgruppe [Version 2023.01, Sprache DE - Deutsch]

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Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol		Titel
A Hierarchieinformationen		Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B Hierarchieinformationen		Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C Hierarchieinformationen		Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D Hierarchieinformationen		Sektion D — Textilien; Papier
E Hierarchieinformationen		Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Hierarchieinformationen		Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Hierarchieinformationen		Sektion G — Physik
H Hierarchieinformationen		Sektion H — Elektrotechnik
H01 Hierarchieinformationen		Elektrische Bauteile
H02 Hierarchieinformationen		Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03 Hierarchieinformationen		Elektronische Schaltkreise
H04 Hierarchieinformationen		Elektrische Nachrichtentechnik
H05 Hierarchieinformationen		Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H10B Hierarchieinformationen		Elektronische Speicherbauelemente [2023.01]
H10B 10/00		Flüchtige Speicherbauelemente [2023.01]
H10B 10/00 Hierarchieinformationen		Static Random Access Memory [SRAM] Bauelemente [2023.01]
H10B 12/00 Hierarchieinformationen		Dynamic Random Access Memory [DRAM] Bauelemente [2023.01]
H10B 20/00		Nicht-flüchtige Speicherbauelemente [2023.01]
H10B 20/00 Hierarchieinformationen		Read-Only Memory [ROM] Bauelemente [2023.01]
H10B 41/00 Hierarchieinformationen		Elektrisch lösch-und-programmierbare ROM [EEPROM] Bauelemente mit Floating-Gates [2023.01]
H10B 41/10 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch das Layout in Aufsicht [2023.01]
H10B 41/20 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch dreidimensionale Anordnungen, z.B. mit Zellen auf unterschiedlichen Höhenniveaus [2023.01]
H10B 41/23 Hierarchieinformationen		. . mit Source und Drain auf verschiedenen Niveaus, z.B. mit geneigten Kanälen [2023.01]
H10B 41/27 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Kanäle vertikale Teile umfassen, z.B. Kanäle in U-Form [2023.01]
H10B 41/30 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Kernregion des Speichers [2023.01]
H10B 41/35 Hierarchieinformationen		. . mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01]
H10B 41/40 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Region der peripheren Schaltung [2023.01]
H10B 41/41 Hierarchieinformationen		. . von Speicherregionen mit einem Zell-Auswahl-Transistor, z.B. NAND [2023.01]
H10B 41/42 Hierarchieinformationen		. . Simultanes Herstellen von Peripherie und Speicherzellen [2023.01]
H10B 41/43 Hierarchieinformationen		. . . mit nur einem Typ eines peripheren Transistors [2023.01]
H10B 41/44 Hierarchieinformationen		. . . . mit einer Control-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]
H10B 41/46 Hierarchieinformationen		. . . . mit einer dielektrischen Zwischen-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]
H10B 41/47 Hierarchieinformationen		. . . . mit einer Floating-Gate-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]
H10B 41/48 Hierarchieinformationen		. . . . mit einer dielektrischen Tunnel-Schicht, die auch als Teil des peripheren Transistors verwendet wird [2023.01]
H10B 41/49 Hierarchieinformationen		. . . mit verschiedenen Typen von peripheren Transistoren [2023.01]
H10B 41/50 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Grenzregion zwischen der Kernregion und der Region der peripheren Schaltung [2023.01]
H10B 41/60 Hierarchieinformationen		. wobei das Control-Gate eine dotierte Region ist, z.B. Single-Poly-Speicherzelle [2023.01]
H10B 41/70 Hierarchieinformationen		. wobei das Floating-Gate eine Elektrode ist, die von mehreren Schaltungselementen geteilt wird [2023.01]
H10B 43/00 Hierarchieinformationen		EEPROM Bauelemente mit Gate-Isolatoren zum Ladungseinfang [2023.01]
H10B 51/00 Hierarchieinformationen		Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speichertransistoren [2023.01]
H10B 53/00 Hierarchieinformationen		Ferroelektrische RAM [FeRAM] Bauelemente mit ferroelektrischen Speicherkondensatoren [2023.01]
H10B 61/00 Hierarchieinformationen		Magnetische Speicherbauelemente, z.B. magnetoresistive RAM [MRAM] Bauelemente [2023.01]
H10B 63/00 Hierarchieinformationen		Speicherbauelemente mit Widerstandsänderung, z.B. resistive RAM [ReRAM] Bauelemente [2023.01]
H10B 69/00 Hierarchieinformationen		Lösch-und-programmierbare ROM [EPROM] Bauelemente, die nicht in den Gruppen H10B 41/00-H10B 63/00 vorgesehen sind, z.B. UV-lösch-und-programmierbare ROM [UVEPROM] Bauelemente [2023.01]
H10B 80/00
H10B 80/00 Hierarchieinformationen		Baugruppen aus mehreren Bauelementen mit mindestens einem Speicherbauelement, das von dieser Unterklasse umfasst ist [2023.01]
H10B 99/00 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2023.01]
H10K Hierarchieinformationen		Organische elektrische Festkörperbauelemente [2023.01]
H10N Hierarchieinformationen		Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]