Internationale Patentklassifikation

Recherche
Merkliste

IPC-Version

Sprache

Anzeigesprachen

Recherche-Kriterium

Symbol	Version, Sprache	Auswahl

Suche in DEPATISnet Suche in DPMAregister

Suchanfrage: Es wurde noch keine Recherche ausgeführt.

IPC-Stelle: H01L 31/07 3-Punkt Untergruppe [Version 2014.01, Sprache DE - Deutsch]

Anzeigeoptionen

Definitionen

Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol		Titel
A Hierarchieinformationen		Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B Hierarchieinformationen		Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C Hierarchieinformationen		Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D Hierarchieinformationen		Sektion D — Textilien; Papier
E Hierarchieinformationen		Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Hierarchieinformationen		Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Hierarchieinformationen		Sektion G — Physik
H Hierarchieinformationen		Sektion H — Elektrotechnik
H01 Hierarchieinformationen		Grundlegende elektrische Bauteile
H01B Hierarchieinformationen		Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C Hierarchieinformationen		Widerstände
H01F Hierarchieinformationen		Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G Hierarchieinformationen		Kondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht H01L 29/00)
H01H Hierarchieinformationen		Elektrische Schalter; Relais; Wählschalter; Schutzvorrichtungen [Sicherungen] für Not- oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J Hierarchieinformationen		Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K Hierarchieinformationen		Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00 Hierarchieinformationen		Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [1, 2006.01]
H01L 23/00 Hierarchieinformationen		Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)
H01L 25/00 Hierarchieinformationen		Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5]
H01L 27/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6]
H01L 31/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/02 Hierarchieinformationen		. Einzelheiten [2]
H01L 31/0203 Hierarchieinformationen		. . Gehäuse; Einkapselungen ( für photovoltaische Bauelemente H01L 31/048; für organische lichtempfindliche Bauelemente H01L 51/44) [5, 2014.01]
H01L 31/0216 Hierarchieinformationen		. . Beschichtungen, Überzüge (H01L 31/041 hat Vorrang) [5, 2014.01]
H01L 31/0224 Hierarchieinformationen		. . Elektroden [5]
H01L 31/0232 Hierarchieinformationen		. . Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind ( H01L 31/0236 hat Vorrang; für photovoltaische Zellen H01L 31/054; für Photovoltaik [PV]-Module H02S 40/20) [5, 2014.01]
H01L 31/0236 Hierarchieinformationen		. . besondere Oberflächen-Texturen [5]
H01L 31/024 Hierarchieinformationen		. . Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation (für photovoltaische Bauelemente H01L 31/052) [5, 2014.01]
H01L 31/0248 Hierarchieinformationen		. gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5]
H01L 31/0256 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch das Material [5]
H01L 31/0264 Hierarchieinformationen		. . . Anorganische Materialien [5]
H01L 31/0272 Hierarchieinformationen		. . . . Selen oder Tellur [5]
H01L 31/028 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0288 Hierarchieinformationen		. . . . . gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5]
H01L 31/0296 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit A_IIB_VI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
H01L 31/0304 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit A_IIIB_V-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0312 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit A_IVB_IV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5]
H01L 31/032 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0328 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0336 Hierarchieinformationen		. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu₂ X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der Gruppe VI des Periodensystems ist [5]
H01L 31/0352 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5]
H01L 31/036 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5]
H01L 31/0368 Hierarchieinformationen		. . . mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0376 Hierarchieinformationen		. . . mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0384 Hierarchieinformationen		. . . mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0392 Hierarchieinformationen		. . . mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5]
H01L 31/04 Hierarchieinformationen		. eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen (deren Prüfung während der Herstellung H01L 21/66; deren Prüfung nach der Herstellung H02S 50/10) [2, 2014.01]
H01L 31/041 Hierarchieinformationen		. . Maßnahmen zum Verhindern von Schäden die durch Teilchenstrahlung verursacht werden, z.B. für Weltraum-Anwendungen [2014.01]
H01L 31/042 Hierarchieinformationen		. . PV-Module oder Anordnungen von einzelnen PV-Zellen ( Tragkonstruktionen für PV-Module H02S 20/00) [5, 2014.01]
H01L 31/043 Hierarchieinformationen		. . . mechanisch gestapelte PV-Zellen [2014.01]
H01L 31/044 Hierarchieinformationen		. . . umfassend Bypass-Dioden (Bypass-Dioden in Anschlussdosen H02S 40/34) [2014.01]
H01L 31/0443 Hierarchieinformationen		. . . . umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind, z.B. Bypass-Dioden integriert oder gebildet in oder auf demselben Substrat mit den PV-Zellen [2014.01]
H01L 31/0445 Hierarchieinformationen		. . . umfassend Dünnschicht-Solarzellen, z.B. einzelne Dünnschicht- a-Si, CIS oder CdTe-Solarzellen [2014.01]
H01L 31/045		(überführt nach H02S 30/20)
H01L 31/046 Hierarchieinformationen		. . . . Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind [2014.01]
H01L 31/0463 Hierarchieinformationen		. . . . . gekennzeichnet durch spezielle Strukturierungsverfahren zum Verbinden der PV-Zellen in einem Modul, z.B. Laserschneiden der leitenden oder aktiven Schichten [2014.01]
H01L 31/0465 Hierarchieinformationen		. . . . . umfassend besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter PV-Zellen in dem Modul (H01L 31/0463 hat Vorrang) [2014.01]
H01L 31/0468 Hierarchieinformationen		. . . . . umfassend bestimmte Mittel zum Erhalten einer partiellen Lichtdurchlässigkeit, z.B. teiltransparente Dünnschicht-Solarmodule für Fenster [2014.01]
H01L 31/047 Hierarchieinformationen		. . . Anordnungen von PV-Zellen umfassend PV-Zellen mit mehreren senkrechten Übergängen oder mit mehreren Übergängen in V-förmigen Gräben, welche in einem Halbleitersubstrat gebildet sind [2014.01]
H01L 31/0475 Hierarchieinformationen		. . . Anordnungen von PV-Zellen gebildet durch Zellen in einer ebenen, z.B. sich wiederholenden, Konfiguration auf einem einzigen Halbleitersubstrat; PV-Zellen-Mikroarrays (Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [2014.01]
H01L 31/048 Hierarchieinformationen		. . . Einkapselung von Modulen [5, 2014.01]
H01L 31/049 Hierarchieinformationen		. . . . Schützende Rückseitenfolien [2014.01]
H01L 31/05 Hierarchieinformationen		. . . Mittel zur elektrischen Verschaltung zwischen PV-Zellen innerhalb des PV-Moduls, z.B. Serienschaltung von PV-Zellen ( Elektroden H01L 31/0224; elektrische Verschaltung von Dünnschicht-Solarzellen gebildet auf einem gemeinsamen Substrat H01L 31/046; besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter Dünnschicht-Solarzellen in dem Modul H01L 31/0465; Mittel zur elektrischen Verschaltung besonders ausgebildet für die Verbindung von zwei oder mehreren PV-Modulen H02S 40/36) [5, 2014.01]
H01L 31/052 Hierarchieinformationen		. . Mittel zur Kühlung, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. integrierte Peltier-Elemente für die aktive Kühlung oder direkt mit den PV-Zellen verbundene Wärmesenken ( Mittel zur Kühlung im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/42) [5, 2014.01]
H01L 31/0525 Hierarchieinformationen		. . . mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, welche direkt mit der PV-Zelle verbunden sind, z.B. integrierte Seebeck-Elemente [2014.01]
H01L 31/053 Hierarchieinformationen		. . Energiespeichermittel, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. ein mit einer PV-Zelle integrierter Kondensator (Energiespeichermittel im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/38) [2014.01]
H01L 31/054 Hierarchieinformationen		. . Optische Elemente, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. Mittel zur Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [2014.01]
H01L 31/055 Hierarchieinformationen		. . . wobei Licht von einem optischen Element, welches mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert ist, absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge wieder re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien, fluoreszierender Konzentratoren oder Anordnungen für Hochkonversion [5, 2014.01]
H01L 31/056 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Mittel zur Lichtreflexion vom Typ Rückseitenreflektor [BSR] sind [2014.01]
H01L 31/058		(überführt nach H01L 31/0525; H02S 40/44)
H01L 31/06 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2012.01]
H01L 31/061 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht durch einen Punktkontakt gebildet wird (H01L 31/07 hat Vorrang) [2012.01]
H01L 31/062 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5, 2012.01]
H01L 31/065 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5, 2012.01]
H01L 31/068 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silicium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silicium mit PN-Homoübergang [5, 2012.01]
H01L 31/0687 Hierarchieinformationen		. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0693 Hierarchieinformationen		. . . . wobei die Bauelemente, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, nur A_IIIB_V-Verbindungen beinhalten, z.B. GaAs- oder InP-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/07 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2012.01]
H01L 31/072 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2012.01]
H01L 31/0725 Hierarchieinformationen		. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/073 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit A_IIB_VI-Verbindungshalbleitern, z.B. CdS/CdTe-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0735 Hierarchieinformationen		. . . . nur mit A_IIIB_V-Verbindungshalbleitern, z.B. GaAs/AlGaAs- oder InP/GaInAs-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/074 Hierarchieinformationen		. . . . wobei ein Heteroübergang mit einem Element der Gruppe IV des Periodensystems gebildet wird, z.B. ITO/Si-, GaAs/Si- oder CdTe/Si-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0745 Hierarchieinformationen		. . . . mit einem A_IVB_IV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0747 Hierarchieinformationen		. . . . . mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht oder HIT®-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0749 Hierarchieinformationen		. . . . mit einer A_IB_IIIC_VI-Verbindung, z.B. CdS/CuInSe2 [CIS]-Heteroübergang Solarzellen [2012.01]
H01L 31/075 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird, z.B. PIN Solarzellen aus amorphem Silicium [5, 2012.01]
H01L 31/076 Hierarchieinformationen		. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/077 Hierarchieinformationen		. . . . Bauelemente mit monokristallinen oder polykristallinen Materialien [2012.01]
H01L 31/078 Hierarchieinformationen		. . . mit verschiedenen Arten von Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/061-H01L 31/075 vorgesehen sind [5, 2012.01]
H01L 31/08 Hierarchieinformationen		. in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2]
H01L 31/09 Hierarchieinformationen		. . Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5]
H01L 31/10 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2]
H01L 31/101 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5]
H01L 31/102 Hierarchieinformationen		. . . . gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5]
H01L 31/103 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
H01L 31/105 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/107 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5]
H01L 31/108 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/109 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
H01L 31/11 Hierarchieinformationen		. . . . gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5]
H01L 31/111 Hierarchieinformationen		. . . . gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5]
H01L 31/112 Hierarchieinformationen		. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5]
H01L 31/113 Hierarchieinformationen		. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5]
H01L 31/115 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5]
H01L 31/117 Hierarchieinformationen		. . . . mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5]
H01L 31/118 Hierarchieinformationen		. . . . mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5]
H01L 31/119 Hierarchieinformationen		. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5]
H01L 31/12 Hierarchieinformationen		. baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5]
H01L 31/14 Hierarchieinformationen		. . mit Steuerung der Lichtquelle oder -quellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler, Bildverstärker, Bildspeicher [2]
H01L 31/147 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
H01L 31/153 Hierarchieinformationen		. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
H01L 31/16 Hierarchieinformationen		. . mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2]
H01L 31/167 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
H01L 31/173 Hierarchieinformationen		. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
H01L 31/18 Hierarchieinformationen		. Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
H01L 31/20 Hierarchieinformationen		. . Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5]
H01L 33/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01L 35/00 Hierarchieinformationen		Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 37/00 Hierarchieinformationen		Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 39/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00; Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]
H01L 41/00 Hierarchieinformationen		Piezoelektrische Bauelemente allgemein; Elektrostriktive Bauelemente allgemein; Magnetostriktive Bauelemente allgemein; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 2013.01]
H01L 43/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 45/00 Hierarchieinformationen		Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]
H01L 47/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 49/00 Hierarchieinformationen		Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 51/00 Hierarchieinformationen		Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28; thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00; piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]
H01M Hierarchieinformationen		Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie (elektrolytische Verfahren oder Geräte allgemein C25; Halbleiter- oder andere Festkörperbauelemente für die Umwandlung von Licht oder Wärme in elektrische Energie H01L , z.B. H01L 31/00 , H01L 35/00 , H01L 37/00) [2]
H01P Hierarchieinformationen		Wellenleiter [Hohlleiter]; Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q Hierarchieinformationen		Antennen (Mikrowellenstrahler für die therapeutische Nahfeldbehandlung A61N 5/04; Geräte zum Prüfen von Antennen oder zum Messen von Antenneneigenschaften G01R; Wellenleiter H01P; Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R Hierarchieinformationen		Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer (Schalter, Sicherungen H01H; Kupplungsvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P 5/00; Schaltanlagen für die Abgabe oder Verteilung elektrischer Energie H02B; Installation elektrischer Leitungen, Kabel oder von kombinierten optischen und elektrischen Kabeln und Leitungen oder Zusatzgeräten H02G; Teile in gedruckter Schaltungsausführung um elektrische Verbindungen zu oder zwischen gedruckten Schaltungen herzustellen H05K)
H01S Hierarchieinformationen		Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
H01T Hierarchieinformationen		Funkenstrecken; Überspannungsableiter mit Funkenstrecken; Zündkerzen; Koronaentladungseinrichtungen; Erzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Metallbearbeitung durch Einwirkung elektrischen Stromes hoher Stromdichte B23H; Schweißen, z.B. Lichtbogenschweißen, Schweißen mittels Ladungsträgerstrahlen, elektrolytisches Schweißen B23K; gasgefüllte Entladungsröhren mit fester Kathode H01J 17/00; elektrische Bogenlampen H05B 31/00)
H02 Hierarchieinformationen		Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03 Hierarchieinformationen		Grundlegende elektronische Schaltkreise
H04 Hierarchieinformationen		Elektrische Nachrichtentechnik
H05 Hierarchieinformationen		Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H99 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]