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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Elektrische Bauteile
H01B
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KabelLeiterIsolatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C
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Widerstände
H01F
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MagneteInduktivitätenTransformatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G
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KondensatorenKondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzial-Sperrschicht H01L 29/00)
H01H
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Elektrische SchalterRelaisWählschalterSchutzvorrichtungen [Sicherungen] für Notfälle oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J
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Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K
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Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L
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Halbleiterbauelementedie nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00
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Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 23/00
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Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 25/00
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Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
H01L 27/00
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-SperrschichtKondensatoren oder Widerstände mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder AnreicherungsschichtEinzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/00
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Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sindVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/02
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Einzelheiten [2, 2006.01]
H01L 31/0203
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. . GehäuseEinkapselungen ( für photovoltaische Bauelemente H01L 31/048;  für organische lichtempfindliche Bauelemente H10K 30/88) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/0216
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. . Beschichtungen, Überzüge (H01L 31/041 hat Vorrang) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/0224
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. . Elektroden [5, 2006.01]
H01L 31/0232
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. . Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind ( H01L 31/0236 hat Vorrang;  für photovoltaische Zellen H01L 31/054;  für Photovoltaik [PV]-Module H02S 40/20) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/0236
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. . besondere Oberflächen-Texturen [5, 2006.01]
H01L 31/024
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. . Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation (für photovoltaische Bauelemente H01L 31/052) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/0248
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gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5, 2006.01]
H01L 31/0256
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. . gekennzeichnet durch das Material [5, 2006.01]
H01L 31/0264
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. . . Anorganische Materialien [5, 2006.01]
H01L 31/0272
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. . . . Selen oder Tellur [5, 2006.01]
H01L 31/028
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. . . . nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
H01L 31/0288
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. . . . . gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5, 2006.01]
H01L 31/0296
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. . . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5, 2006.01]
H01L 31/0304
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. . . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
H01L 31/0312
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. . . . nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5, 2006.01]
H01L 31/032
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. . . . nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
H01L 31/0328
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. . . . nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5, 2006.01]
H01L 31/0336
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der Gruppe VI des Periodensystems ist [5, 2006.01]
H01L 31/0352
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. . gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5, 2006.01]
H01L 31/036
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. . gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5, 2006.01]
H01L 31/0368
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. . . mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
H01L 31/0376
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. . . mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
H01L 31/0384
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. . . mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5, 2006.01]
H01L 31/0392
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. . . mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5, 2006.01]
H01L 31/04
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eingerichtet für die photovoltaische Energie-Umwandlung, z.B. PV-Module oder einzelne PV-Zellen  (deren Prüfung während der Herstellung H01L 21/66;  deren Prüfung nach der Herstellung H02S 50/10) [2, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/041
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. . Maßnahmen zum Verhindern von Schäden die durch Teilchenstrahlung verursacht werden, z.B. für Weltraum-Anwendungen [2014.01]
H01L 31/042
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. . PV-Module oder Anordnungen von einzelnen PV-Zellen  ( Tragkonstruktionen für PV-Module H02S 20/00) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/043
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. . . mechanisch gestapelte PV-Zellen [2014.01]
H01L 31/044
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. . . umfassend Bypass-Dioden  (Bypass-Dioden in Anschlussdosen H02S 40/34) [2014.01]
H01L 31/0443
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. . . . umfassend Bypass-Dioden, welche mit den Bauelementen integriert oder direkt verbunden sind, z.B. Bypass-Dioden integriert oder gebildet in oder auf demselben Substrat mit den PV-Zellen [2014.01]
H01L 31/0445
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. . . umfassend Dünnschicht-Solarzellen, z.B. einzelne Dünnschicht- a-Si, CIS oder CdTe-Solarzellen [2014.01]
H01L 31/046
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. . . . Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind [2014.01]
H01L 31/0463
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. . . . . gekennzeichnet durch spezielle Strukturierungsverfahren zum Verbinden der PV-Zellen in einem Modul, z.B. Laserschneiden der leitenden oder aktiven Schichten [2014.01]
H01L 31/0465
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. . . . . umfassend besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter PV-Zellen in dem Modul (H01L 31/0463 hat Vorrang) [2014.01]
H01L 31/0468
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. . . . . umfassend bestimmte Mittel zum Erhalten einer partiellen Lichtdurchlässigkeit, z.B. teiltransparente Dünnschicht-Solarmodule für Fenster [2014.01]
H01L 31/047
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. . . Anordnungen von PV-Zellen umfassend PV-Zellen mit mehreren senkrechten Übergängen oder mit mehreren Übergängen in V-förmigen Gräben, welche in einem Halbleitersubstrat gebildet sind [2014.01]
H01L 31/0475
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. . . Anordnungen von PV-Zellen gebildet durch Zellen in einer ebenen, z.B. sich wiederholenden, Konfiguration auf einem einzigen Halbleitersubstrat; PV-Zellen-Mikroarrays (Photovoltaik [PV]-Module bestehend aus einer Vielzahl von Dünnschicht-Solarzellen, welche auf demselben Substrat abgeschieden sind H01L 31/046) [2014.01]
H01L 31/048
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. . . Einkapselung von Modulen [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/049
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. . . . Schützende Rückseitenfolien [2014.01]
H01L 31/05
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. . .  Mittel zur elektrischen Verschaltung zwischen PV-Zellen innerhalb des PV-Moduls, z.B. Serienschaltung von PV-Zellen  ( Elektroden H01L 31/0224;  elektrische Verschaltung von Dünnschicht-Solarzellen gebildet auf einem gemeinsamen Substrat H01L 31/046;  besondere Strukturen für die elektrische Verschaltung benachbarter Dünnschicht-Solarzellen in dem Modul H01L 31/0465;  Mittel zur elektrischen Verschaltung besonders ausgebildet für die Verbindung von zwei oder mehreren PV-Modulen H02S 40/36) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/052
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. .  Mittel zur Kühlung, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. integrierte Peltier-Elemente für die aktive Kühlung oder direkt mit den PV-Zellen verbundene Wärmesenken  ( Mittel zur Kühlung im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/42) [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/0525
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. . . mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, welche direkt mit der PV-Zelle verbunden sind, z.B. integrierte Seebeck-Elemente [2014.01]
H01L 31/053
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. . Energiespeichermittel, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. ein mit einer PV-Zelle integrierter Kondensator  (Energiespeichermittel im Zusammenhang mit PV-Modulen H02S 40/38) [2014.01]
H01L 31/054
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. . Optische Elemente, welche mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert sind, z.B. Mittel zur Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [2014.01]
H01L 31/055
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. . . wobei Licht von einem optischen Element, welches mit der PV-Zelle direkt verbunden oder integriert ist, absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge wieder re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien, fluoreszierender Konzentratoren oder Anordnungen für Hochkonversion [5, 2006.01, 2014.01]
H01L 31/056
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. . . wobei die Mittel zur Lichtreflexion vom Typ Rückseitenreflektor [BSR] sind [2014.01]
H01L 31/06
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. . gekennzeichnet durch Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/061
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. . . wobei die Sperrschicht durch einen Punktkontakt gebildet wird (H01L 31/07 hat Vorrang) [2012.01]
H01L 31/062
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/065
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/068
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird, z.B. Solarzellen aus Bulk-Silicium mit PN-Homoübergang oder Dünnschichtsolarzellen aus polykristallinem Silicium mit PN-Homoübergang [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/0687
Hierarchie anzeigen
. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0693
Hierarchie anzeigen
. . . . wobei die Bauelemente, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, nur AIIIBV-Verbindungen beinhalten, z.B. GaAs- oder InP-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/07
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/072
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/0725
Hierarchie anzeigen
. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/073
Hierarchie anzeigen
. . . . nur mit AIIBVI-Verbindungshalbleitern, z.B. CdS/CdTe-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0735
Hierarchie anzeigen
. . . . nur mit AIIIBV-Verbindungshalbleitern, z.B. GaAs/AlGaAs- oder InP/GaInAs-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/074
Hierarchie anzeigen
. . . . wobei ein Heteroübergang mit einem Element der Gruppe IV des Periodensystems gebildet wird, z.B. ITO/Si-, GaAs/Si- oder CdTe/Si-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0745
Hierarchie anzeigen
. . . . mit einem AIVBIV-Heteroübergang, z.B. Si/Ge-, SiGe/Si- oder Si/SiC-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/0747
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit einem Heteroübergang zwischen kristallinen und amorphen Materialien, z.B. Heteroübergang mit dünner intrinsischer Schicht [2012.01]
H01L 31/0749
Hierarchie anzeigen
. . . . mit einer AIBIIICVI-Verbindung, z.B. CdS/CuInSe2 [CIS]-Heteroübergang Solarzellen [2012.01]
H01L 31/075
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird, z.B. PIN Solarzellen aus amorphem Silicium [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/076
Hierarchie anzeigen
. . . . Mehrfachübergang- oder Tandem-Solarzellen [2012.01]
H01L 31/077
Hierarchie anzeigen
. . . . Bauelemente mit monokristallinen oder polykristallinen Materialien [2012.01]
H01L 31/078
Hierarchie anzeigen
. . . mit verschiedenen Arten von Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/061-H01L 31/075 vorgesehen sind [5, 2006.01, 2012.01]
H01L 31/08
Hierarchie anzeigen
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2, 2006.01]
H01L 31/09
Hierarchie anzeigen
. . Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5, 2006.01]
H01L 31/10
Hierarchie anzeigen
. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzial-Sperrschicht, z.B. Fototransistoren [2, 2006.01]
H01L 31/101
Hierarchie anzeigen
. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5, 2006.01]
H01L 31/102
Hierarchie anzeigen
. . . . gekennzeichnet durch genau eine Potenzial-Sperrschicht [5, 2006.01]
H01L 31/103
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5, 2006.01]
H01L 31/105
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]
H01L 31/107
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Potenzial-Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodioden [5, 2006.01]
H01L 31/108
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5, 2006.01]
H01L 31/109
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5, 2006.01]
H01L 31/11
Hierarchie anzeigen
. . . . gekennzeichnet durch zwei Potenzial-Sperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistoren [5, 2006.01]
H01L 31/111
Hierarchie anzeigen
. . . . gekennzeichnet durch wenigstens drei Potenzial- Sperrschichten, z.B. Fotothyristoren [5, 2006.01]
H01L 31/112
Hierarchie anzeigen
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5, 2006.01]
H01L 31/113
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5, 2006.01]
H01L 31/115
Hierarchie anzeigen
. . . Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5, 2006.01]
H01L 31/117
Hierarchie anzeigen
. . . . mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5, 2006.01]
H01L 31/118
Hierarchie anzeigen
. . . . mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5, 2006.01]
H01L 31/119
Hierarchie anzeigen
. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5, 2006.01]
H01L 31/12
Hierarchie anzeigen
baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5, 2006.01]
H01L 31/14
Hierarchie anzeigen
. . mit Steuerung der Lichtquelle oder Lichtquellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler oder Bildverstärker, Bildspeicher [2, 2006.01]
H01L 31/147
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht sind [5, 2006.01]
H01L 31/153
Hierarchie anzeigen
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]
H01L 31/16
Hierarchie anzeigen
. . mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2, 2006.01]
H01L 31/167
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht sind [5, 2006.01]
H01L 31/173
Hierarchie anzeigen
. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5, 2006.01]
H01L 31/18
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Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 31/20
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. . Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5, 2006.01]
H01L 33/00
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Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, besonders ausgebildet zur LichtemissionVerfahren oder Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit Potenzial-Sperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01M
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Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie [2]
H01P
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Wellenleiter [Hohlleiter]Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q
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Antennen, z.B. Funkantennen (Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R
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Elektrisch leitende VerbindungenBauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen VerbindungselementenKupplungsvorrichtungenStromabnehmer
H01S
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Vorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung [Laser] verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugenVorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden [1, 2019.01]
H01T
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FunkenstreckenÜberspannungsableiter mit FunkenstreckenZündkerzenKoronaentladungseinrichtungenErzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Überspannungs-Schutzschaltungen H02H)
H02
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Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
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Elektronische Schaltkreise
H04
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Elektrische Nachrichtentechnik
H05
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Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10
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HalbleiterbauelementeElektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]