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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Grundlegende elektrische Bauteile
H01B
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KabelLeiterIsolatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P; Installation von Kabeln oder Leitungen oder von kombiniert optischen und elektrischen Kabeln und Leitungen H02G)
H01C
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Widerstände
H01F
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MagneteInduktivitätenTransformatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften (keramische Massen auf Ferritbasis C04B 35/26; Legierungen C22C; thermomagnetische Bauelemente H01L 37/00; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R) [2]
H01G
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KondensatorenKondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht H01L 29/00)
H01H
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Elektrische SchalterRelaisWählschalterSchutzvorrichtungen [Sicherungen] für Not- oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J
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Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K
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Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00; Schaltungsanordnungen dafür H05B)
H01L
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Halbleiterbauelementeelektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00
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Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [1, 2006.01]
H01L 23/00
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Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)
H01L 25/00
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Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Baugruppen aus fotoelektrischen Zellen H01L 31/042) [2, 5]
H01L 27/00
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder OberflächensperrschichtKondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder AnreicherungsschichtEinzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6]
H01L 31/00
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Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sindVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/02
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Einzelheiten [2]
H01L 31/0203
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. . GehäuseEinkapselungen [5]
H01L 31/0216
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. . Beschichtungen, Überzüge [5]
H01L 31/0224
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. . Elektroden [5]
H01L 31/0232
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. . Optische Elemente oder Anordnungen, die mit dem Bauelement baulich vereinigt sind [5]
H01L 31/0236
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. . besondere Oberflächen-Texturen [5]
H01L 31/024
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. . Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation [5]
H01L 31/0248
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gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper [5]
H01L 31/0256
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. . gekennzeichnet durch das Material [5]
H01L 31/0264
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. . . Anorganische Materialien [5]
H01L 31/0272
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. . . . Selen oder Tellur [5]
H01L 31/028
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. . . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0288
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. . . . . gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [5]
H01L 31/0296
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. . . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. CdS, ZnS, HgCdTe [5]
H01L 31/0304
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. . . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0312
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. . . . nur mit AIVBIV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen, z.B. SiC [5]
H01L 31/032
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. . . . nur mit Verbindungen, die nicht in den Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/0312 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0328
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. . . . nur mit Halbleitermaterialien, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 31/0272-H01L 31/032 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [5]
H01L 31/0336
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen, z.B. Cu2 X/CdX-Heteroübergänge, wobei X ein Element aus der sechsten Gruppe des Periodensystems ist [5]
H01L 31/0352
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. . gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche [5]
H01L 31/036
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. . gekennzeichnet durch die kristalline Struktur oder besondere Orientierung der Kristallflächen [5]
H01L 31/0368
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. . . mit polykristallinen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0376
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. . . mit amorphen Halbleitern (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0384
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. . . mit anderen nicht einkristallinen Materialien, z.B. Halbleiterteilchen eingebettet in ein isolierendes Material (H01L 31/0392 hat Vorrang) [5]
H01L 31/0392
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. . . mit dünnen Schichten, die auf metallischen oder isolierenden Substanzen aufgebracht sind [5]
H01L 31/04
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die für die Energie-Umwandlung eingerichtet sind [2]
H01L 31/042
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. . mit einer Tafel [einem Panel] oder einer Anordnung von fotoelektrischen Zellen, z.B. Solarzellen [5]
H01L 31/045
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. . . zusammenlegbar oder faltbar [5]
H01L 31/048
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. . . eingekapselt oder mit einem Gehäuse [5]
H01L 31/05
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. . . gekennzeichnet durch spezielle Verbindungsteile [5]
H01L 31/052
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. . . mit Mitteln zur Kühlung, Lichtreflexion oder Lichtkonzentration [5]
H01L 31/055
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. . . . wobei Licht von einem Konzentrator absorbiert und mit einer anderen Wellenlänge re-emittiert wird, z.B. mittels lumineszierender Materialien [5]
H01L 31/058
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. . . mit Mitteln zur Nutzung der Wärmeenergie, z.B. Hybridsysteme, oder einer zusätzlichen elektrischen Energiequelle [5]
H01L 31/06
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. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
H01L 31/062
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/065
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen sich allmählich ändernden Bandabstand [graded gap] gebildet wird [5]
H01L 31/068
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
H01L 31/07
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/072
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
H01L 31/075
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. . . wobei die Sperrschicht ausschließlich durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/078
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. . . mit Sperrschichten, die in zwei oder mehr Gruppen H01L 31/062-H01L 31/075 vorgesehen sind [5]
H01L 31/08
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in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände [2]
H01L 31/09
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. . Bauelemente, die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen (H01L 31/101 hat Vorrang) [5]
H01L 31/10
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. . gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren [2]
H01L 31/101
Hierarchie anzeigen
. . . Bauelemente die auf infrarote, sichtbare oder ultraviolette Strahlung ansprechen [5]
H01L 31/102
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. . . . gekennzeichnet durch genau eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [5]
H01L 31/103
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. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Homoübergang gebildet wird [5]
H01L 31/105
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. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PIN-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/107
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. . . . . wobei die Sperrschicht mit Lawinenverstärkung arbeitet, z.B. Lawinen-Fotodiode [5]
H01L 31/108
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen Schottky-Übergang gebildet wird [5]
H01L 31/109
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei die Sperrschicht durch einen PN-Heteroübergang gebildet wird [5]
H01L 31/11
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. . . . gekennzeichnet durch zwei Potenzialsprung-Sperrschichten oder Oberflächensperrschichten, z.B. bipolarer Fototransistor [5]
H01L 31/111
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. . . . gekennzeichnet durch wenigstens drei Sperrschichten, z.B. Fotothyristor [5]
H01L 31/112
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. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. Sperrschicht-Feldeffekt- Fototransistor [5]
H01L 31/113
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. . . . . mit einer Leiter-Isolator- Halbleiter-Anordnung, z.B. Metall-Isolator-Halbleiter- Feldeffekttransistor [5]
H01L 31/115
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. . . Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung [5]
H01L 31/117
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. . . . mit Verwendung eines Volumeneffekts, z.B. Ge-Li kompensierter PIN- Gammastrahlungs-Detektor [5]
H01L 31/118
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. . . . mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen [5]
H01L 31/119
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. . . . gekennzeichnet durch Feldeffekt, z.B. MIS-Detektor [5]
H01L 31/12
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baulich vereinigt, z.B. in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet, mit einer oder mehreren Lichtquellen, z.B. elektrolumineszierenden Lichtquellen, und elektrisch oder optisch mit ihnen gekoppelt (elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 5]
H01L 31/14
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. . mit Steuerung der Lichtquelle oder -quellen durch das auf Strahlung ansprechende Halbleiterbauelement, z.B. Bildwandler, Bildverstärker, Bildspeicher [2]
H01L 31/147
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Elemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
H01L 31/153
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. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
H01L 31/16
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. . mit Steuerung des auf Strahlung ansprechenden Halbleiterbauelements durch die Lichtquelle oder -quellen [2]
H01L 31/167
Hierarchie anzeigen
. . . wobei die Lichtquellen und die auf Strahlung ansprechenden Bauelemente jeweils Halbleiterbauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht sind [5]
H01L 31/173
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. . . . ausgebildet in oder auf einem gemeinsamen Substrat [5]
H01L 31/18
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Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2]
H01L 31/20
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. . Bauelemente oder Teile hiervon, die amorphes Halbleitermaterial enthalten [5]
H01L 33/00
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Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur LichtemissionVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01L 35/00
Hierarchie anzeigen
Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer EffekteVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 37/00
Hierarchie anzeigen
Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialienthermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-EffektsVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 39/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzenVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00; Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]
H01L 41/00
Hierarchie anzeigen
Piezoelektrische Bauelemente allgemeinElektrostriktive Bauelemente allgemeinMagnetostriktive Bauelemente allgemeinVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 43/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen EffektenVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 45/00
Hierarchie anzeigen
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische TriodenOvshinsky-Effekt-BauelementeVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]
H01L 47/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-BauelementeVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 49/00
Hierarchie anzeigen
Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehenVerfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 51/00
Hierarchie anzeigen
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisenVerfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28; thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00; piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]
H01M
Hierarchie anzeigen
Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie (elektrolytische Verfahren oder Geräte allgemein C25; Halbleiter- oder andere Festkörperbauelemente für die Umwandlung von Licht oder Wärme in elektrische Energie H01L , z.B. H01L 31/00 , H01L 35/00 , H01L 37/00) [2]
H01P
Hierarchie anzeigen
Wellenleiter [Hohlleiter]Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q
Hierarchie anzeigen
Antennen (Mikrowellenstrahler für die therapeutische Nahfeldbehandlung A61N 5/04; Geräte zum Prüfen von Antennen oder zum Messen von Antenneneigenschaften G01R; Wellenleiter H01P; Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R
Hierarchie anzeigen
Elektrisch leitende VerbindungenBauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen VerbindungselementenKupplungsvorrichtungenStromabnehmer (Schalter, Sicherungen H01H; Kupplungsvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P 5/00; Schaltanlagen für die Abgabe oder Verteilung elektrischer Energie H02B; Installation elektrischer Leitungen, Kabel oder von kombinierten optischen und elektrischen Kabeln und Leitungen oder Zusatzgeräten H02G; Teile in gedruckter Schaltungsausführung um elektrische Verbindungen zu oder zwischen gedruckten Schaltungen herzustellen H05K)
H01S
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Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
H01T
Hierarchie anzeigen
FunkenstreckenÜberspannungsableiter mit FunkenstreckenZündkerzenKoronaentladungseinrichtungenErzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Metallbearbeitung durch Einwirkung elektrischen Stromes hoher Stromdichte B23H; Schweißen, z.B. Lichtbogenschweißen, Schweißen mittels Ladungsträgerstrahlen, elektrolytisches Schweißen B23K; gasgefüllte Entladungsröhren mit fester Kathode H01J 17/00; elektrische Bogenlampen H05B 31/00)
H02
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Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
Hierarchie anzeigen
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H04
Hierarchie anzeigen
Elektrische Nachrichtentechnik
H05
Hierarchie anzeigen
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H99
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]