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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Elektrische Bauteile
H01B
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KabelLeiterIsolatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C
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Widerstände
H01F
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MagneteInduktivitätenTransformatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G
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KondensatorenKondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzial-Sperrschicht H01L 29/00)
H01H
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Elektrische SchalterRelaisWählschalterSchutzvorrichtungen [Sicherungen] für Notfälle oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J
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Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K
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Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L
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Halbleiterbauelementedie nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00
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Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 23/00
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Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 25/00
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Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
H01L 27/00
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-SperrschichtKondensatoren oder Widerstände mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder AnreicherungsschichtEinzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/02
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Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 29/04
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. . gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen (gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler H01L 29/30) [2, 2006.01]
H01L 29/06
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. . gekennzeichnet durch ihre Formgekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2, 2006.01]
H01L 29/08
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. . . mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
H01L 29/10
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. . . mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
H01L 29/12
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. . gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2, 2006.01]
H01L 29/15
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. . . Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6, 2006.01]
H01L 29/16
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. . . nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/161
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. . . . mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2, 2006.01]
H01L 29/165
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/167
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/18
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. . . nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/20
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. . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6, 2006.01]
H01L 29/201
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. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 29/205
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/207
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/22
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. . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/221
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. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 29/225
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/227
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/24
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. . . nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 oder H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/26
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. . . nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/267
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. . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/30
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. . gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehlermit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2, 2006.01]
H01L 29/32
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. . . mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 29/34
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. . . mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2, 2006.01]
H01L 29/36
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. . gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2, 2006.01]
H01L 29/38
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. . gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2, 2006.01]
H01L 29/40
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Elektroden [2, 2006.01]
H01L 29/41
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. . gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6, 2006.01]
H01L 29/417
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. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6, 2006.01]
H01L 29/423
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. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6, 2006.01]
H01L 29/43
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. . gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6, 2006.01]
H01L 29/45
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. . . Ohm'sche Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/47
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. . . Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/49
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. . . Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/51
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. . . . zugeordnete isolierende Materialien [6, 2006.01]
H01L 29/66
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Typen von Halbleiterbauelementen [2, 2006.01]
H01L 29/68
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. . steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 29/70
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. . . Bipolare Bauelemente [2, 2006.01]
H01L 29/72
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. . . . Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2, 2006.01]
H01L 29/73
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. . . . . Bipolare Transistoren [5, 2006.01]
H01L 29/732
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. . . . . . Vertikal-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/735
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. . . . . . Lateral-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/737
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. . . . . . Hetero-Bipolar-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/739
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. . . . . gesteuert durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/74
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. . . . Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2, 2006.01]
H01L 29/744
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. . . . . GTO-Thyristoren [6, 2006.01]
H01L 29/745
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. . . . . . abschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/747
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. . . . . Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2, 2006.01]
H01L 29/749
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. . . . . einschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/76
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. . . Unipolar-Bauelemente [2, 2006.01]
H01L 29/762
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. . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [6, 2006.01]
H01L 29/765
Hierarchie anzeigen
. . . . . Ladungsgekoppelte Bauelemente [6, 2006.01]
H01L 29/768
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6, 2006.01]
H01L 29/772
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. . . . Feldeffekt-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/775
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6, 2006.01]
H01L 29/778
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6, 2006.01]
H01L 29/78
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. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2, 2006.01]
H01L 29/786
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Dünnfilm-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/788
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. . . . . . mit schwebendem Gate [5, 2006.01]
H01L 29/792
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit Ladungseinfang im Gate-Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5, 2006.01]
H01L 29/80
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. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2, 2006.01]
H01L 29/808
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. . . . . . mit PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
H01L 29/812
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit Schottky-Gate [5, 2006.01]
H01L 29/82
Hierarchie anzeigen
. . steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/84
Hierarchie anzeigen
. . steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/86
Hierarchie anzeigen
. . steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 29/8605
Hierarchie anzeigen
. . . Widerstände mit PN-Übergang [6, 2006.01]
H01L 29/861
Hierarchie anzeigen
. . . Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/862
Hierarchie anzeigen
. . . . Spitzendioden [6, 2006.01]
H01L 29/864
Hierarchie anzeigen
. . . . Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/866
Hierarchie anzeigen
. . . . Zener-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/868
Hierarchie anzeigen
. . . . PIN-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/87
Hierarchie anzeigen
. . . . Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/872
Hierarchie anzeigen
. . . . Schottky-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/88
Hierarchie anzeigen
. . . . Tunnel-Dioden [2, 2006.01]
H01L 29/885
Hierarchie anzeigen
. . . . . Esaki-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/92
Hierarchie anzeigen
. . . Kondensatoren mit Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]
H01L 29/93
Hierarchie anzeigen
. . . . Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2, 2006.01]
H01L 29/94
Hierarchie anzeigen
. . . . Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2, 2006.01]
H01L 29/96
Hierarchie anzeigen
. . von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2, 2006.01]
H01L 31/00
Hierarchie anzeigen
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sindVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 33/00
Hierarchie anzeigen
Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, besonders ausgebildet zur LichtemissionVerfahren oder Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit Potenzial-Sperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01M
Hierarchie anzeigen
Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie [2]
H01P
Hierarchie anzeigen
Wellenleiter [Hohlleiter]Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q
Hierarchie anzeigen
Antennen, z.B. Funkantennen (Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R
Hierarchie anzeigen
Elektrisch leitende VerbindungenBauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen VerbindungselementenKupplungsvorrichtungenStromabnehmer
H01S
Hierarchie anzeigen
Vorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung [Laser] verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugenVorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden [1, 2019.01]
H01T
Hierarchie anzeigen
FunkenstreckenÜberspannungsableiter mit FunkenstreckenZündkerzenKoronaentladungseinrichtungenErzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Überspannungs-Schutzschaltungen H02H)
H02
Hierarchie anzeigen
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
Hierarchie anzeigen
Elektronische Schaltkreise
H04
Hierarchie anzeigen
Elektrische Nachrichtentechnik
H05
Hierarchie anzeigen
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10
Hierarchie anzeigen
HalbleiterbauelementeElektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]