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IPC-Stelle: H01L 29/00 Hauptgruppe [Version 2023.01, Sprache DE - Deutsch]

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Definitionen

Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol		Titel
A Hierarchieinformationen		Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B Hierarchieinformationen		Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C Hierarchieinformationen		Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D Hierarchieinformationen		Sektion D — Textilien; Papier
E Hierarchieinformationen		Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Hierarchieinformationen		Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Hierarchieinformationen		Sektion G — Physik
H Hierarchieinformationen		Sektion H — Elektrotechnik
H01 Hierarchieinformationen		Elektrische Bauteile
H01B Hierarchieinformationen		Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C Hierarchieinformationen		Widerstände
H01F Hierarchieinformationen		Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G Hierarchieinformationen		Kondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht H01L 29/00)
H01H Hierarchieinformationen		Elektrische Schalter; Relais; Wählschalter; Schutzvorrichtungen [Sicherungen] für Notfälle oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J Hierarchieinformationen		Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K Hierarchieinformationen		Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00 Hierarchieinformationen		Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 23/00 Hierarchieinformationen		Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 25/00 Hierarchieinformationen		Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
H01L 27/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/02 Hierarchieinformationen		. Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 29/04 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch oder besondere Orientierung von Kristallflächen (gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler H01L 29/30) [2, 2006.01]
H01L 29/06 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch ihre Form; gekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2, 2006.01]
H01L 29/08 Hierarchieinformationen		. . . mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
H01L 29/10 Hierarchieinformationen		. . . mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2, 2006.01]
H01L 29/12 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2, 2006.01]
H01L 29/15 Hierarchieinformationen		. . . Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6, 2006.01]
H01L 29/16 Hierarchieinformationen		. . . nur mit Elementen der Gruppe IV des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/161 Hierarchieinformationen		. . . . mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2, 2006.01]
H01L 29/165 Hierarchieinformationen		. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/167 Hierarchieinformationen		. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/18 Hierarchieinformationen		. . . nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/20 Hierarchieinformationen		. . . nur mit A_IIIB_V-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6, 2006.01]
H01L 29/201 Hierarchieinformationen		. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 29/205 Hierarchieinformationen		. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/207 Hierarchieinformationen		. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/22 Hierarchieinformationen		. . . nur mit A_IIB_VI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/221 Hierarchieinformationen		. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 29/225 Hierarchieinformationen		. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/227 Hierarchieinformationen		. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2, 2006.01]
H01L 29/24 Hierarchieinformationen		. . . nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 oder H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/26 Hierarchieinformationen		. . . nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 2006.01]
H01L 29/267 Hierarchieinformationen		. . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 29/30 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehler; mit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2, 2006.01]
H01L 29/32 Hierarchieinformationen		. . . mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 29/34 Hierarchieinformationen		. . . mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2, 2006.01]
H01L 29/36 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2, 2006.01]
H01L 29/38 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2, 2006.01]
H01L 29/40 Hierarchieinformationen		. Elektroden [2, 2006.01]
H01L 29/41 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6, 2006.01]
H01L 29/417 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6, 2006.01]
H01L 29/423 Hierarchieinformationen		. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6, 2006.01]
H01L 29/43 Hierarchieinformationen		. . gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6, 2006.01]
H01L 29/45 Hierarchieinformationen		. . . Ohm'sche Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/47 Hierarchieinformationen		. . . Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/49 Hierarchieinformationen		. . . Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6, 2006.01]
H01L 29/51 Hierarchieinformationen		. . . . zugeordnete isolierende Materialien [6, 2006.01]
H01L 29/66 Hierarchieinformationen		. Typen von Halbleiterbauelementen [2, 2006.01]
H01L 29/68 Hierarchieinformationen		. . steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 29/70 Hierarchieinformationen		. . . Bipolare Bauelemente [2, 2006.01]
H01L 29/72 Hierarchieinformationen		. . . . Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2, 2006.01]
H01L 29/73 Hierarchieinformationen		. . . . . Bipolare Transistoren [5, 2006.01]
H01L 29/732 Hierarchieinformationen		. . . . . . Vertikal-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/735 Hierarchieinformationen		. . . . . . Lateral-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/737 Hierarchieinformationen		. . . . . . Hetero-Bipolar-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/739 Hierarchieinformationen		. . . . . gesteuert durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/74 Hierarchieinformationen		. . . . Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2, 2006.01]
H01L 29/744 Hierarchieinformationen		. . . . . GTO-Thyristoren [6, 2006.01]
H01L 29/745 Hierarchieinformationen		. . . . . . abschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/747 Hierarchieinformationen		. . . . . Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2, 2006.01]
H01L 29/749 Hierarchieinformationen		. . . . . einschaltbar durch Feldeffekt [6, 2006.01]
H01L 29/76 Hierarchieinformationen		. . . Unipolar-Bauelemente [2, 2006.01]
H01L 29/762 Hierarchieinformationen		. . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [6, 2006.01]
H01L 29/765 Hierarchieinformationen		. . . . . Ladungsgekoppelte Bauelemente [6, 2006.01]
H01L 29/768 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6, 2006.01]
H01L 29/772 Hierarchieinformationen		. . . . Feldeffekt-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/775 Hierarchieinformationen		. . . . . mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6, 2006.01]
H01L 29/778 Hierarchieinformationen		. . . . . mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6, 2006.01]
H01L 29/78 Hierarchieinformationen		. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2, 2006.01]
H01L 29/786 Hierarchieinformationen		. . . . . . Dünnfilm-Transistoren [6, 2006.01]
H01L 29/788 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit schwebendem Gate [5, 2006.01]
H01L 29/792 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit Ladungseinfang im Gate-Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5, 2006.01]
H01L 29/80 Hierarchieinformationen		. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2, 2006.01]
H01L 29/808 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
H01L 29/812 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit Schottky-Gate [5, 2006.01]
H01L 29/82 Hierarchieinformationen		. . steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/84 Hierarchieinformationen		. . steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 29/86 Hierarchieinformationen		. . steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 29/8605 Hierarchieinformationen		. . . Widerstände mit PN-Übergang [6, 2006.01]
H01L 29/861 Hierarchieinformationen		. . . Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/862 Hierarchieinformationen		. . . . Spitzendioden [6, 2006.01]
H01L 29/864 Hierarchieinformationen		. . . . Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/866 Hierarchieinformationen		. . . . Zener-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/868 Hierarchieinformationen		. . . . PIN-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/87 Hierarchieinformationen		. . . . Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/872 Hierarchieinformationen		. . . . Schottky-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/88 Hierarchieinformationen		. . . . Tunnel-Dioden [2, 2006.01]
H01L 29/885 Hierarchieinformationen		. . . . . Esaki-Dioden [6, 2006.01]
H01L 29/92 Hierarchieinformationen		. . . Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
H01L 29/93 Hierarchieinformationen		. . . . Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2, 2006.01]
H01L 29/94 Hierarchieinformationen		. . . . Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2, 2006.01]
H01L 29/96 Hierarchieinformationen		. . von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2, 2006.01]
H01L 31/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 33/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01L 35/00		(überführt nach H10N 10/00)
H01L 37/00		(überführt nach H10N 15/00)
H01L 39/00		(überführt nach H10N 60/00)
H01L 41/00		(überführt nach H10N 30/00; H10N 35/00)
H01L 43/00		(überführt nach H10N 50/00; H10N 50/20)
H01L 45/00		(überführt nach H10N 70/00; H10N 70/20)
H01L 47/00		(überführt nach H10N 80/00)
H01L 49/00		(überführt nach H10N 99/00)
H01L 51/00		(überführt nach H10K 99/00)
H01M Hierarchieinformationen		Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie [2]
H01P Hierarchieinformationen		Wellenleiter [Hohlleiter]; Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q Hierarchieinformationen		Antennen, z.B. Funkantennen (Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R Hierarchieinformationen		Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer
H01S Hierarchieinformationen		Vorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung [Laser] verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden [1, 2019.01]
H01T Hierarchieinformationen		Funkenstrecken; Überspannungsableiter mit Funkenstrecken; Zündkerzen; Koronaentladungseinrichtungen; Erzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Überspannungs-Schutzschaltungen H02H)
H02 Hierarchieinformationen		Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03 Hierarchieinformationen		Elektronische Schaltkreise
H04 Hierarchieinformationen		Elektrische Nachrichtentechnik
H05 Hierarchieinformationen		Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

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