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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C
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Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D
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Sektion D — Textilien; Papier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Grundlegende elektrische Bauteile
H01B
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KabelLeiterIsolatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P; Installation von Kabeln oder Leitungen oder von kombiniert optischen und elektrischen Kabeln und Leitungen H02G)
H01C
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Widerstände
H01F
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MagneteInduktivitätenTransformatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften (keramische Massen auf Ferritbasis C04B 35/26; Legierungen C22C; thermomagnetische Bauelemente H01L 37/00; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R) [2]
H01G
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KondensatorenKondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht H01L 29/00)
H01H
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Elektrische SchalterRelaisWählschalterSchutzvorrichtungen [Sicherungen] für Not- oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; Überspannungsschutzwiderstände, Widerstandüberspannungsableiter H01C 7/12 , H01C 8/04; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schaltvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P; Vorrichtungen für unterbrochene Stromabnahme [d.h. über Unterbrecher] H01R 39/00; Überspannungsableiter mit Funkenstrecken H01T 4/00; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J
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Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K
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Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96 , H05B 35/00; Schaltungsanordnungen dafür H05B)
H01L
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Halbleiterbauelementeelektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen (Fördersysteme für Halbleiter-Wafer B65G 49/07; Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Einzelheiten von Geräten für rastersondenmikroskopische Methoden [scanning-probe techniques] allgemein G12B 21/00; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Verwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00
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Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon (Verfahren oder Geräte besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, die in den Gruppen H01L 31/00-H01L 51/00 vorgesehen sind oder von deren Teilen, siehe diese Gruppen; einzelne Verfahrensstufen, die von anderen Unterklassen umfasst werden, siehe die entsprechenden Unterklassen, z.B. C23C , C30B; fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, Materialien oder Kopiervorlagen dafür, Vorrichtungen speziell dafür ausgebildet, allgemein G03F) [1, 2006.01]
H01L 23/00
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Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)
H01L 25/00
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Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Baugruppen aus fotoelektrischen Zellen H01L 31/042; Generatoren mit Solarzellen oder Solarzellentafeln H02N 6/00; Einzelheiten von vollständigen zusammengesetzten Schaltungen, soweit diese von anderen Unterklassen umfasst sind, z.B. Einzelheiten von Fernsehempfängern, siehe die betreffende Unterklasse, z.B. H04N; Einzelheiten von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 5]
H01L 27/00
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörper- schaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (Verfahren und Vorrichtungen, besonders angepasst für die Herstellung oder Behandlung solcher Bauelemente oder Teilen davon H01L 21/70 , H01L 31/00-H01L 51/00; deren Einzelheiten H01L 23/00 , H01L 29/00-H01L 51/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00; Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 2006.01]
H01L 29/00
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder OberflächensperrschichtKondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder AnreicherungsschichtEinzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 , H01L 51/05 haben Vorrang; Verfahren oder Vorrichtungen zur Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon H01L 21/00; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Widerstände allgemein H01C; Kondensatoren allgemein H01G) [2, 6]
H01L 29/02
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Halbleiterkörper [2]
H01L 29/04
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. . gekennzeichnet durch ihre kristalline Struktur, z.B. polykristallin, kubisch, besondere Orientierung von Kristallflächen (Gitterfehler H01L 29/30) [2]
H01L 29/06
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. . gekennzeichnet durch ihre Formgekennzeichnet durch die Formen, relativen Größen oder Anordnungen der Halbleiterbereiche [2]
H01L 29/08
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. . . mit einer den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
H01L 29/10
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. . . mit einer nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führenden Elektrode, die Teil eines Halbleiterbauelements mit drei oder mehr Elektroden ist [2]
H01L 29/12
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. . gekennzeichnet durch die Materialien, aus denen sie bestehen [2]
H01L 29/15
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. . . Strukturen mit periodischer oder quasi-periodischer Potenzial-Änderung, z.B. mehrfache Quantum-Well-Strukturen, Übergitterstrukturen (Anwendungen solcher Strukturen zur Steuerung von Lichtstrahlen G02F 1/017 , Anwendungen in Halbleiterlasern H01S 5/34) [6]
H01L 29/16
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. . . nur mit Elementen der vierten Gruppe des Periodensystems in elementarer Form, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
H01L 29/161
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. . . . mit zwei oder mehr der in H01L 29/16 vorgesehenen Elemente [2]
H01L 29/165
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
H01L 29/167
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
H01L 29/18
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. . . nur mit Selen oder Tellur, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
H01L 29/20
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. . . nur mit AIIIBV-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2, 6]
H01L 29/201
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. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
H01L 29/205
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
H01L 29/207
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
H01L 29/22
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. . . nur mit AIIBVI-Verbindungen, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
H01L 29/221
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. . . . mit zwei oder mehr Verbindungen [2]
H01L 29/225
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. . . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
H01L 29/227
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. . . . ferner gekennzeichnet durch das Dotierungsmaterial [2]
H01L 29/24
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. . . nur mit anorganischen Halbleitermaterialien, soweit diese nicht in H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen (nur mit organischen Materialien H01L 51/00) [2]
H01L 29/26
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. . . nur mit Elementen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/16 , H01L 29/18 , H01L 29/20 , H01L 29/22 , H01L 29/24 vorgesehen sind, abgesehen von Dotierungsmaterialien oder anderen Fremdstoffen [2]
H01L 29/267
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. . . . in verschiedenen Halbleiterbereichen [2]
H01L 29/30
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. . gekennzeichnet durch physikalische Gitterfehlermit polierten oder aufgerauten Oberflächen [2]
H01L 29/32
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. . . mit Gitterfehlern im Halbleiterkörper [2]
H01L 29/34
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. . . mit Gitterfehlern an der Oberfläche [2]
H01L 29/36
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. . gekennzeichnet durch die Konzentration oder Verteilung der Fremdstoffe [2]
H01L 29/38
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. . gekennzeichnet durch die Kombination von Merkmalen, soweit diese in zwei oder mehr der Gruppen H01L 29/04 , H01L 29/06 , H01L 29/12 , H01L 29/30 , H01L 29/36 vorgesehen sind [2]
H01L 29/40
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Elektroden [2]
H01L 29/41
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. . gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung [6]
H01L 29/417
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. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führen [6]
H01L 29/423
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. . . wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen [6]
H01L 29/43
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. . gekennzeichnet durch das Material, aus dem sie bestehen [6]
H01L 29/45
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. . . Ohm'sche Elektroden [6]
H01L 29/47
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. . . Schottky-Sperrschicht-Elektroden [6]
H01L 29/49
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. . . Metall-Isolator-Halbleiter [MIS]-Elektroden [6]
H01L 29/51
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. . . . zugeordnete isolierende Materialien [6]
H01L 29/66
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Typen von Halbleiterbauelementen [2]
H01L 29/68
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. . steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
H01L 29/70
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. . . Bipolare Bauelemente [2]
H01L 29/72
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. . . . Bauelemente vom Transistor-Typ, d.h. stetig steuerbar [2]
H01L 29/73
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. . . . . Bipolare Transistoren [5]
H01L 29/732
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. . . . . . Vertikal-Transistoren [6]
H01L 29/735
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. . . . . . Lateral-Transistoren [6]
H01L 29/737
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. . . . . . Hetero-Bipolar-Transistoren [6]
H01L 29/739
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. . . . . gesteuert durch Feldeffekt [6]
H01L 29/74
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. . . . Bauelemente vom Thyristor-Typ, z.B. mit vier Zonen und regenerativer Betriebsweise [2]
H01L 29/744
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. . . . . GTO-Thyristoren [6]
H01L 29/745
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. . . . . . abschaltbar durch Feldeffekt [6]
H01L 29/747
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. . . . . Bidirektionale, d.h. in zwei Richtungen steuerbare Thyristoren, z.B. Triacs [2]
H01L 29/749
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. . . . . einschaltbar durch Feldeffekt [6]
H01L 29/76
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. . . Unipolar-Bauelemente [2]
H01L 29/762
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. . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [6]
H01L 29/765
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. . . . . Ladungsgekoppelte Bauelemente [6]
H01L 29/768
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. . . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [6]
H01L 29/772
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. . . . Feldeffekt-Transistoren [6]
H01L 29/775
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. . . . . mit ein-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. Quantum-Wire-FET [6]
H01L 29/778
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT [6]
H01L 29/78
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist [2]
H01L 29/786
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. . . . . . Dünnfilm-Transistoren [6]
H01L 29/788
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. . . . . . mit schwebendem Gate [5]
H01L 29/792
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. . . . . . mit Ladungseinfang im Gate- Isolator, z.B. MNOS-Speichertransistor [5]
H01L 29/80
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. . . . . mit Feldeffekt, der durch ein Gate mit PN-Übergang oder einen anderen gleichrichtenden Übergang hervorgerufen ist [2]
H01L 29/808
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. . . . . . mit PN-Sperrschicht-Gate [5]
H01L 29/812
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit Schottky-Gate [5]
H01L 29/82
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. . steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
H01L 29/84
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. . steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck (H01L 29/96 hat Vorrang) [2, 6]
H01L 29/86
Hierarchie anzeigen
. . steuerbar allein durch die Veränderung des an einer oder mehreren Elektroden, die den gleichzurichtenden, zu verstärkenden, schwingungsanzuregenden oder zu schaltenden Strom führen, zugeführten elektrischen Stroms oder allein durch die Veränderung des an eine oder mehrere solcher Elektroden angelegten, elektrischen Potenzials (H01L 29/96 hat Vorrang) [2]
H01L 29/8605
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. . . Widerstände mit PN-Übergang [6]
H01L 29/861
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. . . Dioden [6]
H01L 29/862
Hierarchie anzeigen
. . . . Spitzendioden [6]
H01L 29/864
Hierarchie anzeigen
. . . . Laufzeit-Dioden, z.B. IMPATT-, TRAPATT-Dioden [6]
H01L 29/866
Hierarchie anzeigen
. . . . Zener-Dioden [6]
H01L 29/868
Hierarchie anzeigen
. . . . PIN-Dioden [6]
H01L 29/87
Hierarchie anzeigen
. . . . Thyristor-Dioden, z.B. Shockley-Dioden, Durchbruch-Dioden [6]
H01L 29/872
Hierarchie anzeigen
. . . . Schottky-Dioden [6]
H01L 29/88
Hierarchie anzeigen
. . . . Tunnel-Dioden [2]
H01L 29/885
Hierarchie anzeigen
. . . . . Esaki-Dioden [6]
H01L 29/92
Hierarchie anzeigen
. . . Kondensatoren mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]
H01L 29/93
Hierarchie anzeigen
. . . . Kapazitätsvariations-Dioden, z.B. Varaktoren [2]
H01L 29/94
Hierarchie anzeigen
. . . . Metall-Isolator-Halbleiter, z.B. MOS [2]
H01L 29/96
Hierarchie anzeigen
. . von einem Typ, der von mehr als einer der Gruppen H01L 29/68 , H01L 29/82 , H01L 29/84 oder H01L 29/86 umfasst wird [2]
H01L 31/00
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Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sindVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/42 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00; Sonnenkollektoren, soweit die Dacheindeckung betroffen ist E04D 13/18; Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenwärme F24J 2/00; Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren G01T 1/24 , mit Widerstandsdetektoren G01T 1/26; Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiter-Detektoren G01T 3/08; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2, 6, 2006.01]
H01L 33/00
Hierarchie anzeigen
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. InfrarotVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H01L 51/50 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltelementen bestehen H01L 27/00; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Halbleiterlaser H01S 5/00; elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2, 2006.01]
H01L 35/00
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Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer EffekteVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Kältemaschinen mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Effekten F25B 21/00; Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2]
H01L 37/00
Hierarchie anzeigen
Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialienthermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-EffektsVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Temperaturmessung mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Auswahl von Materialien für die Magnetografie, z.B. für Curiepunkt-Schreiben, G03G 5/00) [2]
H01L 39/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzenVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungen bestehen H01L 27/00; Supraleiter, gekennzeichnet durch die Technik der Formgebung der keramischen Gegenstände oder die keramische Zusammensetzung C04B 35/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]
H01L 41/00
Hierarchie anzeigen
Piezoelektrische Bauelemente allgemeinElektrostriktive Bauelemente allgemeinMagnetostriktive Bauelemente allgemeinVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 43/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen EffektenVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente mit Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, die durch Veränderung eines Magnetfeldes steuerbar sind H01L 29/82) [2]
H01L 45/00
Hierarchie anzeigen
Festkörperbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. dielektrische TriodenOvshinsky-Effekt-BauelementeVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]
H01L 47/00
Hierarchie anzeigen
Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z.B. Gunn-Effekt-BauelementeVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2]
H01L 49/00
Hierarchie anzeigen
Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und H01L 51/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehenVerfahren und Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperbauelementen bestehen H01L 27/00) [2, 2006.01]
H01L 51/00
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Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisenVerfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen bestehen H01L 27/28; thermoelektrische Bauelemente mit organischem Material H01L 35/00 , H01L 37/00; piezoelektrische, elektrostriktive oder magnetostriktive Bauelemente mit organischem Material H01L 41/00) [6, 2006.01]
H01M
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Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie (elektrolytische Verfahren oder Geräte allgemein C25; Halbleiter- oder andere Festkörperbauelemente für die Umwandlung von Licht oder Wärme in elektrische Energie H01L , z.B. H01L 31/00 , H01L 35/00 , H01L 37/00) [2]
H01P
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Wellenleiter [Hohlleiter]Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B; Antennen H01Q; Netzwerke mit konzentrierten Scheinwiderstandselementen H03H)
H01Q
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Antennen (Mikrowellenstrahler für die therapeutische Nahfeldbehandlung A61N 5/04; Geräte zum Prüfen von Antennen oder zum Messen von Antenneneigenschaften G01R; Wellenleiter H01P; Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R
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Elektrisch leitende VerbindungenBauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen VerbindungselementenKupplungsvorrichtungenStromabnehmer (Schalter, Sicherungen H01H; Kupplungsvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P 5/00; Schaltanlagen für die Abgabe oder Verteilung elektrischer Energie H02B; Installation elektrischer Leitungen, Kabel oder von kombinierten optischen und elektrischen Kabeln und Leitungen oder Zusatzgeräten H02G; Teile in gedruckter Schaltungsausführung um elektrische Verbindungen zu oder zwischen gedruckten Schaltungen herzustellen H05K)
H01S
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Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
H01T
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FunkenstreckenÜberspannungsableiter mit FunkenstreckenZündkerzenKoronaentladungseinrichtungenErzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Metallbearbeitung durch Einwirkung elektrischen Stromes hoher Stromdichte B23H; Schweißen, z.B. Lichtbogenschweißen, Schweißen mittels Ladungsträgerstrahlen, elektrolytisches Schweißen B23K; gasgefüllte Entladungsröhren mit fester Kathode H01J 17/00; elektrische Bogenlampen H05B 31/00)
H02
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Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
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Grundlegende elektronische Schaltkreise
H04
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Elektrische Nachrichtentechnik
H05
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Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]