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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik
H01
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Elektrische Bauteile
H01B
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KabelLeiterIsolatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C
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Widerstände
H01F
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MagneteInduktivitätenTransformatorenAuswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G
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KondensatorenKondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzialsprung- oder Oberflächensperrschicht H01L 29/00)
H01H
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Elektrische SchalterRelaisWählschalterSchutzvorrichtungen [Sicherungen] für Notfälle oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J
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Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K
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Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L
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Halbleiterbauelementedie nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00
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Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 21/02
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Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 21/027
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. . Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5, 2006.01]
H01L 21/033
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. . . aus anorganischen Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/04
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. . Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2, 2006.01]
H01L 21/06
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. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2, 2006.01]
H01L 21/08
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. . . . Vorbereitung der Grundplatte [2, 2006.01]
H01L 21/10
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. . . . Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2, 2006.01]
H01L 21/103
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. . . . . Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
H01L 21/105
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. . . . . Behandlung der Oberfläche der Selenschicht oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
H01L 21/108
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. . . . . Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2, 2006.01]
H01L 21/12
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. . . . Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selenoberfläche oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2, 2006.01]
H01L 21/14
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. . . . Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2, 2006.01]
H01L 21/145
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. . . . . Alterung [2, 2006.01]
H01L 21/16
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. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2, 2006.01]
H01L 21/18
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. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]
H01L 21/20
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. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
H01L 21/203
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. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
H01L 21/205
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. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/208
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. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
H01L 21/22
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. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen HalbleiterbereichenRückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2, 2006.01]
H01L 21/223
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. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
H01L 21/225
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. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
H01L 21/228
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. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
H01L 21/24
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. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 21/26
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. . . . Beschuss mit Wellenstrahlung oder Korpuskularstrahlung [2, 2006.01]
H01L 21/261
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. . . . . um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6, 2006.01]
H01L 21/263
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. . . . . mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/265
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. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
H01L 21/266
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. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
H01L 21/268
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. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/28
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. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/283
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. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
H01L 21/285
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. . . . . . aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
H01L 21/288
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. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/30
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. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2, 2006.01]
H01L 21/301
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. . . . . zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6, 2006.01]
H01L 21/302
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. . . . . zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/304
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. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/306
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. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31; Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2, 2006.01]
H01L 21/3063
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. . . . . . . Elektrolytisches Ätzen [6, 2006.01]
H01L 21/3065
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. . . . . . . PlasmaätzenReaktives Ionenätzen [6, 2006.01]
H01L 21/308
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. . . . . . . unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/31
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. . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56)Nachbehandlung dieser SchichtenAuswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5, 2006.01]
H01L 21/3105
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. . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/311
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. . . . . . . Ätzen isolierender Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/3115
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. . . . . . . Dotieren isolierender Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/312
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. . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/314
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. . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/316
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. . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
H01L 21/318
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. . . . . . . zusammengesetzt aus Nitriden [2, 2006.01]
H01L 21/32
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. . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
H01L 21/3205
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. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende SchichtenNachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
H01L 21/321
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/3213
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6, 2006.01]
H01L 21/3215
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. . . . . . . . Dotieren der Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/322
Hierarchie anzeigen
. . . . . zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2, 2006.01]
H01L 21/324
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. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/326
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. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/328
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. . . . Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5, 2006.01]
H01L 21/329
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. . . . . bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5, 2006.01]
H01L 21/33
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. . . . . bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5, 2006.01]
H01L 21/331
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. . . . . . Transistoren [5, 2006.01]
H01L 21/332
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. . . . . . Thyristoren [5, 2006.01]
H01L 21/334
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. . . . Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5, 2006.01]
H01L 21/335
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. . . . . Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]
H01L 21/336
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. . . . . . mit einem isolierten Gate [5, 2006.01]
H01L 21/337
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit einem PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
H01L 21/338
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit einem Schottky-Gate [5, 2006.01]
H01L 21/339
Hierarchie anzeigen
. . . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6, 2006.01]
H01L 21/34
Hierarchie anzeigen
. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 2006.01]
H01L 21/36
Hierarchie anzeigen
. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
H01L 21/363
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
H01L 21/365
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/368
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
H01L 21/38
Hierarchie anzeigen
. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 21/383
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
H01L 21/385
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
H01L 21/388
Hierarchie anzeigen
. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
H01L 21/40
Hierarchie anzeigen
. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 21/42
Hierarchie anzeigen
. . . . Beschuss mit Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/423
Hierarchie anzeigen
. . . . . mit hochenergetischer Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/425
Hierarchie anzeigen
. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
H01L 21/426
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
H01L 21/428
Hierarchie anzeigen
. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/44
Hierarchie anzeigen
. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/441
Hierarchie anzeigen
. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
H01L 21/443
Hierarchie anzeigen
. . . . . . aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
H01L 21/445
Hierarchie anzeigen
. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/447
Hierarchie anzeigen
. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/449
Hierarchie anzeigen
. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
H01L 21/46
Hierarchie anzeigen
. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2, 2006.01]
H01L 21/461
Hierarchie anzeigen
. . . . . zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/463
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2, 2006.01]
H01L 21/465
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2, 2006.01]
H01L 21/467
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 2006.01]
H01L 21/469
Hierarchie anzeigen
. . . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56)Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5, 2006.01]
H01L 21/47
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/471
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/473
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
H01L 21/475
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
H01L 21/4757
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/4763
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende SchichtenNachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
H01L 21/477
Hierarchie anzeigen
. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/479
Hierarchie anzeigen
. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/48
Hierarchie anzeigen
. . . Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2, 2006.01]
H01L 21/50
Hierarchie anzeigen
. . . Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/52
Hierarchie anzeigen
. . . . Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2, 2006.01]
H01L 21/54
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. . . . Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2, 2006.01]
H01L 21/56
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. . . . Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2, 2006.01]
H01L 21/58
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. . . . Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2, 2006.01]
H01L 21/60
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. . . . Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2, 2006.01]
H01L 21/603
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. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/607
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. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
H01L 21/62
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. . Bauelemente ohne Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2, 2006.01]
H01L 21/64
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Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 33/00 oder in den Unterklassen H10K, H10N vorgesehenen sind [2, 2006.01]
H01L 21/66
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Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung [2, 2006.01]
H01L 21/67
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Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder BehandlungVorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]
H01L 21/673
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. . unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]
H01L 21/677
Hierarchie anzeigen
. . zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]
H01L 21/68
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. . zum Positionieren, Orientieren oder Justieren [2, 2006.01]
H01L 21/683
Hierarchie anzeigen
. . zum Aufnehmen oder Greifen (zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]
H01L 21/687
Hierarchie anzeigen
. . . mit mechanischen Mitteln, z.B. Haltevorrichtungen, Klemmvorrichtungen oder Pressvorrichtungen [2006.01]
H01L 21/70
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Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervonHerstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2, 2006.01]
H01L 21/71
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. . Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/74
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. . . Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 21/76
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. . . Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2, 2006.01]
H01L 21/761
Hierarchie anzeigen
. . . . PN-Übergänge [6, 2006.01]
H01L 21/762
Hierarchie anzeigen
. . . . Dielektrische Bereiche [6, 2006.01]
H01L 21/763
Hierarchie anzeigen
. . . . Polykristalline Halbleiterbereiche [6, 2006.01]
H01L 21/764
Hierarchie anzeigen
. . . . Luftspalte [6, 2006.01]
H01L 21/765
Hierarchie anzeigen
. . . . durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6, 2006.01]
H01L 21/768
Hierarchie anzeigen
. . . Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6, 2006.01]
H01L 21/77
Hierarchie anzeigen
. . Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind (Herstellung oder Behandlung von elektronischen Speicherbauelementen H10B) [6, 2006.01, 2017.01]
H01L 21/78
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. . . mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/782
Hierarchie anzeigen
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/784
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6, 2006.01]
H01L 21/786
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6, 2006.01]
H01L 21/82
Hierarchie anzeigen
. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2, 2006.01]
H01L 21/822
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8222
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Bipolar-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8224
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Kombination von Vertikaltransistoren und Lateraltransistoren [6, 2006.01]
H01L 21/8226
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J2 L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6, 2006.01]
H01L 21/8228
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6, 2006.01]
H01L 21/8229
(überführt nach H10B 10/10H10B 12/10H10B 20/10H10B 99/00)
H01L 21/8232
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8234
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . MIS-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8236
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . Kombination von Transistoren vom Anreicherungstyp und Verarmungstyp [6, 2006.01]
H01L 21/8238
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6, 2006.01]
H01L 21/8239
(überführt nach H10B 99/00)
H01L 21/8242
(überführt nach H10B 12/00)
H01L 21/8244
(überführt nach H10B 10/00)
H01L 21/8246
(überführt nach H10B 20/00)
H01L 21/8248
Hierarchie anzeigen
. . . . . . Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8249
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Bipolar- und MOS-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8252
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8254
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8256
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8258
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6, 2006.01]
H01L 21/84
Hierarchie anzeigen
. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2, 6, 2006.01]
H01L 21/86
Hierarchie anzeigen
. . . . . . wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2, 6, 2006.01]
H01L 21/98
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. . Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehenZusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 23/00
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Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 25/00
Hierarchie anzeigen
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
H01L 27/00
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Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00
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Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder OberflächensperrschichtKondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder AnreicherungsschichtEinzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/00
Hierarchie anzeigen
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sindVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 33/00
Hierarchie anzeigen
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur LichtemissionVerfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davonEinzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01L 35/00
(überführt nach H10N 10/00)
H01L 37/00
(überführt nach H10N 15/00)
H01L 39/00
(überführt nach H10N 60/00)
H01L 41/00
(überführt nach H10N 30/00H10N 35/00)
H01L 43/00
(überführt nach H10N 50/00H10N 50/20)
H01L 45/00
(überführt nach H10N 70/00H10N 70/20)
H01L 47/00
(überführt nach H10N 80/00)
H01L 49/00
(überführt nach H10N 99/00)
H01L 51/00
(überführt nach H10K 99/00)
H01M
Hierarchie anzeigen
Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie [2]
H01P
Hierarchie anzeigen
Wellenleiter [Hohlleiter]Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q
Hierarchie anzeigen
Antennen, z.B. Funkantennen (Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R
Hierarchie anzeigen
Elektrisch leitende VerbindungenBauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen VerbindungselementenKupplungsvorrichtungenStromabnehmer
H01S
Hierarchie anzeigen
Vorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung [Laser] verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugenVorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden [1, 2019.01]
H01T
Hierarchie anzeigen
FunkenstreckenÜberspannungsableiter mit FunkenstreckenZündkerzenKoronaentladungseinrichtungenErzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Überspannungs-Schutzschaltungen H02H)
H02
Hierarchie anzeigen
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03
Hierarchie anzeigen
Elektronische Schaltkreise
H04
Hierarchie anzeigen
Elektrische Nachrichtentechnik
H05
Hierarchie anzeigen
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10
Hierarchie anzeigen
HalbleiterbauelementeElektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]