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IPC-Stelle: H01L 21/18 3-Punkt Untergruppe [Version 2024.01 (aktuell), Sprache DE - Deutsch]

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Definitionen

Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol		Titel
A Hierarchieinformationen		Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B Hierarchieinformationen		Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C Hierarchieinformationen		Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
D Hierarchieinformationen		Sektion D — Textilien; Papier
E Hierarchieinformationen		Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Hierarchieinformationen		Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Hierarchieinformationen		Sektion G — Physik
H Hierarchieinformationen		Sektion H — Elektrotechnik
H01 Hierarchieinformationen		Elektrische Bauteile
H01B Hierarchieinformationen		Kabel; Leiter; Isolatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer leitenden, isolierenden oder dielektrischen Eigenschaften (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P)
H01C Hierarchieinformationen		Widerstände
H01F Hierarchieinformationen		Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften [2]
H01G Hierarchieinformationen		Kondensatoren; Kondensatoren, Gleichrichter, Detektoren, Schaltvorrichtungen, lichtempfindliche oder temperaturempfindliche Bauelemente des elektrolytischen Typs (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00; Kondensatoren mit Potenzial-Sperrschicht H01L 29/00)
H01H Hierarchieinformationen		Elektrische Schalter; Relais; Wählschalter; Schutzvorrichtungen [Sicherungen] für Notfälle oder Störungsfälle (Kontaktkabel H01B 7/10; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)
H01J Hierarchieinformationen		Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)
H01K Hierarchieinformationen		Elektrische Glühlampen (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96, H05B 35/00)
H01L Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; die nicht von Klasse H10 umfasst sind (Anwendung von Halbleiterbauelementen für Messzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren oder Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien oder Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder oder Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; Lautsprecher, Mikrofone, Plattenspieler oder sonstige akustische elektromechanische Wandler H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder bauliche Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Anwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]
H01L 21/00 Hierarchieinformationen		Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen, oder von Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 21/02 Hierarchieinformationen		. Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon [2, 2006.01]
H01L 21/027 Hierarchieinformationen		. . Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfasst [5, 2006.01]
H01L 21/033 Hierarchieinformationen		. . . aus anorganischen Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/04 Hierarchieinformationen		. . Bauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang, Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht [2, 2006.01]
H01L 21/06 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2, 2006.01]
H01L 21/08 Hierarchieinformationen		. . . . Vorbereitung der Grundplatte [2, 2006.01]
H01L 21/10 Hierarchieinformationen		. . . . Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2, 2006.01]
H01L 21/103 Hierarchieinformationen		. . . . . Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
H01L 21/105 Hierarchieinformationen		. . . . . Behandlung der Oberfläche der Selenschicht oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2, 2006.01]
H01L 21/108 Hierarchieinformationen		. . . . . Einbau diskreter isolierender Schichten, d.h. nichtgenetischer Sperrschichten [2, 2006.01]
H01L 21/12 Hierarchieinformationen		. . . . Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selenoberfläche oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2, 2006.01]
H01L 21/14 Hierarchieinformationen		. . . . Behandlung des vollständigen Bauelements, z.B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2, 2006.01]
H01L 21/145 Hierarchieinformationen		. . . . . Alterung [2, 2006.01]
H01L 21/16 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Iodid [2, 2006.01]
H01L 21/18 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder A_IIIB_V-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 6, 7, 2006.01]
H01L 21/20 Hierarchieinformationen		. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
H01L 21/203 Hierarchieinformationen		. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
H01L 21/205 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/208 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
H01L 21/22 Hierarchieinformationen		. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen; Rückverteilung von Fremdstoffen, z.B. ohne Zuführen oder Entfernen von weiteren Dotierstoffen [2, 2006.01]
H01L 21/223 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
H01L 21/225 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
H01L 21/228 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
H01L 21/24 Hierarchieinformationen		. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 21/26 Hierarchieinformationen		. . . . Beschuss mit Wellenstrahlung oder Korpuskularstrahlung [2, 2006.01]
H01L 21/261 Hierarchieinformationen		. . . . . um durch Kernumwandlung transmutierte chemische Elemente zu erzeugen [6, 2006.01]
H01L 21/263 Hierarchieinformationen		. . . . . mit hochenergetischer Strahlung (H01L 21/261 hat Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/265 Hierarchieinformationen		. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
H01L 21/266 Hierarchieinformationen		. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
H01L 21/268 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/28 Hierarchieinformationen		. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/283 Hierarchieinformationen		. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
H01L 21/285 Hierarchieinformationen		. . . . . . aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
H01L 21/288 Hierarchieinformationen		. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/30 Hierarchieinformationen		. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfasst (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2, 2006.01]
H01L 21/301 Hierarchieinformationen		. . . . . zur Unterteilung eines Halbleiterkörpers in Einzelelemente (Sägen, Schneiden H01L 21/304) [6, 2006.01]
H01L 21/302 Hierarchieinformationen		. . . . . zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/304 Hierarchieinformationen		. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Polieren, Sägen, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/306 Hierarchieinformationen		. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31; Nachbehandlung isoliernder Schichten H01L 21/3105) [2, 2006.01]
H01L 21/3063 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Elektrolytisches Ätzen [6, 2006.01]
H01L 21/3065 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen [6, 2006.01]
H01L 21/308 Hierarchieinformationen		. . . . . . . unter Verwendung von Masken (H01L 21/3063 , H01L 21/3065 haben Vorrang) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/31 Hierarchieinformationen		. . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten [2, 5, 2006.01]
H01L 21/3105 Hierarchieinformationen		. . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/311 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Ätzen isolierender Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/3115 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Dotieren isolierender Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/312 Hierarchieinformationen		. . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/314 Hierarchieinformationen		. . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/316 Hierarchieinformationen		. . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
H01L 21/318 Hierarchieinformationen		. . . . . . . zusammengesetzt aus Nitriden [2, 2006.01]
H01L 21/32 Hierarchieinformationen		. . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
H01L 21/3205 Hierarchieinformationen		. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
H01L 21/321 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/3213 Hierarchieinformationen		. . . . . . . . Physikalisches oder chemisches Ätzen der Schichten, z.B. um eine gemusterte Schicht aus einer zuvor durchgehend abgeschiedenen Schicht zu erzeugen [6, 2006.01]
H01L 21/3215 Hierarchieinformationen		. . . . . . . . Dotieren der Schichten [5, 2006.01]
H01L 21/322 Hierarchieinformationen		. . . . . zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z.B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2, 2006.01]
H01L 21/324 Hierarchieinformationen		. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/326 Hierarchieinformationen		. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/328 Hierarchieinformationen		. . . . Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5, 2006.01]
H01L 21/329 Hierarchieinformationen		. . . . . bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5, 2006.01]
H01L 21/33 Hierarchieinformationen		. . . . . bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5, 2006.01]
H01L 21/331 Hierarchieinformationen		. . . . . . Transistoren [5, 2006.01]
H01L 21/332 Hierarchieinformationen		. . . . . . Thyristoren [5, 2006.01]
H01L 21/334 Hierarchieinformationen		. . . . Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5, 2006.01]
H01L 21/335 Hierarchieinformationen		. . . . . Feldeffekt-Transistoren [5, 2006.01]
H01L 21/336 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit einem isolierten Gate [5, 2006.01]
H01L 21/337 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit einem PN-Sperrschicht-Gate [5, 2006.01]
H01L 21/338 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit einem Schottky-Gate [5, 2006.01]
H01L 21/339 Hierarchieinformationen		. . . . . Bauelemente mit Ladungsübertragung [5, 6, 2006.01]
H01L 21/34 Hierarchieinformationen		. . . Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfasst, mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien [2, 2006.01]
H01L 21/36 Hierarchieinformationen		. . . . Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen [2, 2006.01]
H01L 21/363 Hierarchieinformationen		. . . . . durch physikalische Ablagerung, z.B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2, 2006.01]
H01L 21/365 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/368 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2, 2006.01]
H01L 21/38 Hierarchieinformationen		. . . . Diffusion von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2, 2006.01]
H01L 21/383 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2, 2006.01]
H01L 21/385 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z.B. eine dotierte Oxidschicht [2, 2006.01]
H01L 21/388 Hierarchieinformationen		. . . . . durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z.B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2, 2006.01]
H01L 21/40 Hierarchieinformationen		. . . . Einlegieren von Fremdstoffen, z.B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2, 2006.01]
H01L 21/42 Hierarchieinformationen		. . . . Beschuss mit Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/423 Hierarchieinformationen		. . . . . mit hochenergetischer Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/425 Hierarchieinformationen		. . . . . . wobei Ionenimplantation erzeugt wird [2, 2006.01]
H01L 21/426 Hierarchieinformationen		. . . . . . . unter Verwendung von Masken [5, 2006.01]
H01L 21/428 Hierarchieinformationen		. . . . . . mit elektromagnetischer Strahlung, z.B. Laser-Strahlung [2, 2006.01]
H01L 21/44 Hierarchieinformationen		. . . . Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/441 Hierarchieinformationen		. . . . . Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2, 2006.01]
H01L 21/443 Hierarchieinformationen		. . . . . . aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation [2, 2006.01]
H01L 21/445 Hierarchieinformationen		. . . . . . aus der flüssigen Phase, z.B. elektrolytische Ablagerung [2, 2006.01]
H01L 21/447 Hierarchieinformationen		. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/449 Hierarchieinformationen		. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
H01L 21/46 Hierarchieinformationen		. . . . Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2, 2006.01]
H01L 21/461 Hierarchieinformationen		. . . . . zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z.B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2, 2006.01]
H01L 21/463 Hierarchieinformationen		. . . . . . Mechanische Behandlung, z.B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2, 2006.01]
H01L 21/465 Hierarchieinformationen		. . . . . . Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2, 2006.01]
H01L 21/467 Hierarchieinformationen		. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 2006.01]
H01L 21/469 Hierarchieinformationen		. . . . . . zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken (Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5, 2006.01]
H01L 21/47 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Organische Schichten, z.B. Fotolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/471 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 21/473 Hierarchieinformationen		. . . . . . . . zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2, 2006.01]
H01L 21/475 Hierarchieinformationen		. . . . . . . unter Verwendung von Masken [2, 5, 2006.01]
H01L 21/4757 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Nachbehandlung [5, 2006.01]
H01L 21/4763 Hierarchieinformationen		. . . . . . Aufbringen nicht isolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5, 2006.01]
H01L 21/477 Hierarchieinformationen		. . . . . Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/479 Hierarchieinformationen		. . . . . Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z.B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/48 Hierarchieinformationen		. . . Herstellung oder Behandlung von Teilen, z.B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind [2, 2006.01]
H01L 21/50 Hierarchieinformationen		. . . Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2, 2006.01]
H01L 21/52 Hierarchieinformationen		. . . . Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2, 2006.01]
H01L 21/54 Hierarchieinformationen		. . . . Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z.B. Gasfüllungen [2, 2006.01]
H01L 21/56 Hierarchieinformationen		. . . . Einkapselungen, z.B. Schutzschichten, Überzüge [2, 2006.01]
H01L 21/58 Hierarchieinformationen		. . . . Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2, 2006.01]
H01L 21/60 Hierarchieinformationen		. . . . Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2, 2006.01]
H01L 21/603 Hierarchieinformationen		. . . . . unter Anwendung von Druck, z.B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2, 2006.01]
H01L 21/607 Hierarchieinformationen		. . . . . unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z.B. Ultraschallschwingungen [2, 2006.01]
H01L 21/62 Hierarchieinformationen		. . Bauelemente ohne Potenzial-Sperrschicht [2, 2006.01]
H01L 21/64 Hierarchieinformationen		. Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen davon, die nicht in einer der Gruppen H01L 31/00-H01L 33/00 oder in den Unterklassen H10K, H10N vorgesehenen sind [2, 2006.01]
H01L 21/66 Hierarchieinformationen		. Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung [2, 2006.01]
H01L 21/67 Hierarchieinformationen		. Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen [2006.01]
H01L 21/673 Hierarchieinformationen		. . unter Verwendung besonders ausgebildeter Trägersysteme [2006.01]
H01L 21/677 Hierarchieinformationen		. . zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen [2006.01]
H01L 21/68 Hierarchieinformationen		. . zum Positionieren, Orientieren oder Justieren [2, 2006.01]
H01L 21/683 Hierarchieinformationen		. . zum Aufnehmen oder Greifen (zum Positionieren, Orientieren oder Justieren H01L 21/68) [2006.01]
H01L 21/687 Hierarchieinformationen		. . . mit mechanischen Mitteln, z.B. Haltevorrichtungen, Klemmvorrichtungen oder Pressvorrichtungen [2006.01]
H01L 21/70 Hierarchieinformationen		. Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen, H05K 3/00 , H05K 13/00) [2, 2006.01]
H01L 21/71 Hierarchieinformationen		. . Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L 21/70 definierten Bauelementanordnungen (H01L 21/28 , H01L 21/44 , H01L 21/48 haben Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/74 Hierarchieinformationen		. . . Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z.B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2, 2006.01]
H01L 21/76 Hierarchieinformationen		. . . Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen [2, 2006.01]
H01L 21/761 Hierarchieinformationen		. . . . PN-Übergänge [6, 2006.01]
H01L 21/762 Hierarchieinformationen		. . . . Dielektrische Bereiche [6, 2006.01]
H01L 21/763 Hierarchieinformationen		. . . . Polykristalline Halbleiterbereiche [6, 2006.01]
H01L 21/764 Hierarchieinformationen		. . . . Luftspalte [6, 2006.01]
H01L 21/765 Hierarchieinformationen		. . . . durch Feldeffekt isolierende Bereiche [6, 2006.01]
H01L 21/768 Hierarchieinformationen		. . . Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen [6, 2006.01]
H01L 21/77 Hierarchieinformationen		. . Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind (Herstellung oder Behandlung von elektronischen Speicherbauelementen H10B) [6, 2006.01, 2017.01]
H01L 21/78 Hierarchieinformationen		. . . mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente (Sägen oder Schneiden zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder der Form des Halbleiterkörpers H01L 21/304) [2, 6, 2006.01]
H01L 21/782 Hierarchieinformationen		. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die aus einem einzelnen Schaltungselement bestehen (H01L 21/82 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/784 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiterkörper ist [6, 2006.01]
H01L 21/786 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper, z.B. ein Isolierkörper, ist [6, 2006.01]
H01L 21/82 Hierarchieinformationen		. . . . zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen [2, 2006.01]
H01L 21/822 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8222 Hierarchieinformationen		. . . . . . Bipolar-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8224 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Kombination von Vertikaltransistoren und Lateraltransistoren [6, 2006.01]
H01L 21/8226 Hierarchieinformationen		. . . . . . . MTL-Logik [Merged Transistor Logic] oder J² L-Logik [Integrierte Injektionslogik] [6, 2006.01]
H01L 21/8228 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Komplementäre Bauelemente, z.B. komplementäre Transistoren [6, 2006.01]
H01L 21/8232 Hierarchieinformationen		. . . . . . Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8234 Hierarchieinformationen		. . . . . . . MIS-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8236 Hierarchieinformationen		. . . . . . . . Kombination von Transistoren vom Anreicherungstyp und Verarmungstyp [6, 2006.01]
H01L 21/8238 Hierarchieinformationen		. . . . . . . . Komplementäre Feldeffekt-Transistoren, z.B. CMOS [6, 2006.01]
H01L 21/8248 Hierarchieinformationen		. . . . . . Kombination von Bipolar- und Feldeffekt-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8249 Hierarchieinformationen		. . . . . . . Bipolar- und MOS-Technologie [6, 2006.01]
H01L 21/8252 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und III-V-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8254 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und II-VI-Technologie verwendet wird (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8256 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Technologien verwendet werden, die nicht von einer der Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 oder H01L 21/8254 umfasst werden (H01L 21/8258 hat Vorrang) [6, 2006.01]
H01L 21/8258 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat ein Halbleiter ist und eine Kombination von Technologien aus den Gruppen H01L 21/822 , H01L 21/8252 , H01L 21/8254 oder H01L 21/8256 verwendet wird [6, 2006.01]
H01L 21/84 Hierarchieinformationen		. . . . . wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht [2, 6, 2006.01]
H01L 21/86 Hierarchieinformationen		. . . . . . wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z.B. eine Struktur Silicium auf Saphir, d.h. SOS [2, 6, 2006.01]
H01L 21/98 Hierarchieinformationen		. . Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 23/00 Hierarchieinformationen		Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang) [2, 5, 2006.01]
H01L 25/00 Hierarchieinformationen		Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Photovoltaik [PV]-Module oder Anordnungen von Photovoltaik-Zellen H01L 31/042) [2, 5, 2006.01]
H01L 27/00 Hierarchieinformationen		Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (deren Einzelheiten H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 33/00, H10K, H10N; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen H01L 25/00) [2, 2006.01]
H01L 29/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit Potenzial-Sperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit Potenzial-Sperrschicht, z.B. ein PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 33/00, H10K 10/00, H10N haben Vorrang; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 31/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 30/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen H01L 27/00) [2, 6, 2006.01]
H01L 33/00 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente mit Potenzial-Sperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente (H10K 50/00 hat Vorrang; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter-Schaltelementen bestehen, die Halbleiter-Schaltelemente mit Potenzial-Sperrschicht umfassen und besonders für die Lichtemission ausgebildet sind H01L 27/15; Halbleiterlaser H01S 5/00) [2, 2006.01, 2010.01]
H01M Hierarchieinformationen		Verfahren oder Mittel, z.B. Batterien, für die direkte Umwandlung von chemischer in elektrische Energie [2]
H01P Hierarchieinformationen		Wellenleiter [Hohlleiter]; Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps (für Frequenzen im optischen Bereich G02B)
H01Q Hierarchieinformationen		Antennen, z.B. Funkantennen (Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)
H01R Hierarchieinformationen		Elektrisch leitende Verbindungen; Bauliche Vereinigungen einer Vielzahl von gegenseitig isolierten elektrischen Verbindungselementen; Kupplungsvorrichtungen; Stromabnehmer
H01S Hierarchieinformationen		Vorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung [Laser] verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden [1, 2019.01]
H01T Hierarchieinformationen		Funkenstrecken; Überspannungsableiter mit Funkenstrecken; Zündkerzen; Koronaentladungseinrichtungen; Erzeugen von Ionen, die in nichteingeschlossene Gase eingeleitet werden sollen (Überspannungs-Schutzschaltungen H02H)
H02 Hierarchieinformationen		Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
H03 Hierarchieinformationen		Elektronische Schaltkreise
H04 Hierarchieinformationen		Elektrische Nachrichtentechnik
H05 Hierarchieinformationen		Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H10 Hierarchieinformationen		Halbleiterbauelemente; Elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen [2023.01]
H99 Hierarchieinformationen		Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]