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IPC-Stelle: H01L 21/00 Hauptgruppe [Version 5 (gültig ab 01.1990), Sprache DE - Deutsch]

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Anmerkungen

Sachverzeichnisse

Stich- und Schlagworte

Hierarchielinien

DEKLA-Gruppen

Symbol

Titel

TÄGLICHER LEBENSBEDARF

ARBEITSVERFAHREN; TRANSPORTIEREN

CHEMIE; HÜTTENWESEN

TEXTILIEN; PAPIER

BAUWESEN; ERDBOHREN; BERGBAU

MASCHINENBAU; BELEUCHTUNG; HEIZUNG; WAFFEN; SPRENGEN

PHYSIK

ELEKTROTECHNIK

H01

GRUNDLEGENDE ELEKTRISCHE BAUTEILE

H01B

KABEL; LEITER; ISOLATOREN; AUSWAHL DER WERKSTOFFE HINSICHTLICH IHRER LEITENDEN, ISOLIERENDEN ODER DIELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN (Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften H01F 1/00; Wellenleiter H01P; Installation von Kabeln oder Leitungen H02G)

H01C

WIDERSTÄNDE

H01F

MAGNETE; INDUKTIVITÄTEN; TRANSFORMATOREN; AUSWAHL DER WERKSTOFFE HINSICHTLICH IHRER MAGNETISCHEN EIGENSCHAFTEN (keramische Massen auf Ferritbasis C04B 35/26; Legierungen C22C; thermomagnetische Bauelemente H01L 37/00) [2]

H01G

KONDENSATOREN; KONDENSATOREN, GLEICHRICHTER, DETEKTOREN, SCHALTVORRICHTUNGEN ODER LICHTEMPFINDLICHE EINRICHTUNGEN DES ELEKTROLYTISCHEN TYPS (Auswahl bestimmter Werkstoffe als Dielektrikum H01B 3/00)

H01H

ELEKTRISCHE SCHALTER; RELAIS; WÄHLSCHALTER; SCHUTZVORRICHTUNGEN [SICHERUNGEN] FÜR NOT- ODER STÖRUNGSFÄLLE (Kontaktkabel H01B 7/10; Überspannungsschutzwiderstände, Widerstandüberspannungsableiter H01C 7/12 , H01C 8/04; elektrolytische Selbstunterbrecher H01G 9/18; Schaltvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P; Vorrichtungen für unterbrochene Stromabnahme [d. h. über Unterbrecher] H01R 39/00; Überspannungsableiter mit Funkenstrecken H01T 4/00; Schutzschaltungen für Not- oder Störfälle H02H; kontaktloses elektronisches Schalten H03K 17/00)

H01J

ELEKTRISCHE ENTLADUNGSRÖHREN ODER ENTLADUNGSLAMPEN (Funkenstrecken H01T; Bogenlampen mit sich verbrauchenden Elektroden H05B; Teilchenbeschleuniger H05H)

H01K

ELEKTRISCHE GLÜHLAMPEN (Einzelheiten, Geräte oder Verfahren zur Herstellung, anwendbar sowohl bei elektrischen Entladungsröhren und -lampen als auch bei Glühlampen H01J; Lichtquellen aus einer Kombination von Glühlampen und anderen Lichterzeugern H01J 61/96 , H05B 35/00; Schaltungsanordnungen dafür H05B)

H01L

HALBLEITERBAUELEMENTE; ELEKTRISCHE FESTKÖRPERBAUELEMENTE, SOWEIT NICHT ANDERWEITIG VORGESEHEN (Fördersysteme für Halbleiter-Wafer B65G 49/07; Anwendung von Halbleiterbauelementen für Meßzwecke G01; Widerstände allgemein H01C; Magnete, Induktoren, Umformer H01F; Kondensatoren allgemein H01G; elektrolytische Bauelemente H01G 9/00; Batterien, Akkumulatoren H01M; Wellenleiter, Resonatoren oder Übertragungsleitungen des Wellenleitertyps H01P; Leitungsverbinder, Stromabnehmer H01R; Bauelemente mit stimulierter Emission H01S; elektromechanische Resonatoren H03H; elektromechanische Wandler für elektrische Nachrichtenübermittlung H04R; elektrische Lichtquellen allgemein H05B; gedruckte Schaltungen, Hybridschaltungen, Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten, Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen H05K; Verwendung von Halbleiterbauelementen in Schaltungen für besondere Anwendungen, siehe die Unterklasse für die Anwendung) [2]

H01L 21/00

Verfahren oder Geräte für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen oder von Teilen davon (besondere Verfahren oder Geräte für die Herstellung oder Behandlung von Bauelementen, die in den Gruppen H01L 31/00-H01L 49/00 vorgesehen sind oder von deren Teilen, siehe diese Gruppen; einzelne Verfahrensstufen, die von anderen Unterklassen umfaßt werden, siehe die entsprechenden Unterklassen, z.B. C23C , C30B; Photomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, Materialien oder Kopiervorlagen dafür, Vorrichtungen speziell dafür ausgebildet, allgemein G03F)

H01L 21/02

.	Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen hiervon [2]

H01L 21/027

. .	Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes photolithographisches Verfahren, soweit nicht von H01L 21/18 oder H01L 21/34 umfaßt [5]

H01L 21/033

. . .

aus anorganischen Schichten [5]

H01L 21/04

. .	Bauelemente mit mindestens einer Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z. B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht [2]

H01L 21/06

. . .

Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus elementarem Selen oder Tellur, das sich jedoch nicht in Form von Fremdstoffen in Halbleiterkörpern aus anderen Materialien befinden soll [2]

H01L 21/08

. . . .

Vorbereitung der Grundplatte [2]

H01L 21/10

. . . .

Vorbehandlung des Selens oder Tellurs, sein Aufbringen auf die Grundplatte oder die nachfolgende Behandlung der Anordnung [2]

H01L 21/103

. . . . .

Überführung des Selens oder Tellurs in den leitenden Zustand [2]

H01L 21/105

. . . . .

Behandlung der Oberfläche der Selen- oder Tellurschicht nach ihrer Überführung in den leitenden Zustand [2]

H01L 21/108

. . . . .

Einbau diskreter isolierender Schichten, d. h. nichtgenetischer Sperrschichten [2]

H01L 21/12

. . . .

Anbringen einer Elektrode an die freigelegte Selen- oder Telluroberfläche, nachdem das Selen oder Tellur auf die Grundplatte aufgebracht worden ist [2]

H01L 21/14

. . . .

Behandlung des vollständigen Bauelements, z. B. Elektroformierung zum Herstellen einer Sperrschicht [2]

H01L 21/145

. . . . .

Alterung [2]

H01L 21/16

. . .

Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Kupfer(I)-Oxid oder Kupfer(I)-Jodid [2]

H01L 21/18

. . .

Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z. B. Dotierungsmaterialien [2]

H01L 21/20

. . . .

Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z. B. epitaxiales Aufwachsen [2]

H01L 21/203

. . . . .

durch physikalische Ablagerung, z. B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]

H01L 21/205

. . . . .

durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d. h. chemische Ablagerung [2]

H01L 21/208

. . . . .

durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]

H01L 21/22

. . . .

Diffusion von Fremdstoffen, z. B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2]

H01L 21/223

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]

H01L 21/225

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z. B. eine dotierte Oxidschicht [2]

H01L 21/228

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z. B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]

H01L 21/24

. . . .

Einlegieren von Fremdstoffen, z. B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]

H01L 21/26

. . . .

Beschuß mit Strahlung [2]

H01L 21/263

. . . . .

mit hochenergetischer Strahlung [2]

H01L 21/265

. . . . . .

wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2]

H01L 21/266

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [5]

H01L 21/268

. . . . . .

mit elektromagnetischer Strahlung, z. B. Laser-Strahlung [2]

H01L 21/28

. . . .

Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/20-H01L 21/268 vorgesehen [2]

H01L 21/283

. . . . .

Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]

H01L 21/285

. . . . . .

aus der Gas- oder Dampfphase, z. B. Kondensation [2]

H01L 21/288

. . . . . .

aus der flüssigen Phase, z. B. elektrolytische Ablagerung [2]

H01L 21/30

. . . .

Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L 21/20-H01L 21/26 umfaßt (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/28) [2]

H01L 21/302

. . . . .

zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z. B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2]

H01L 21/304

. . . . . .

Mechanische Behandlung, z. B. Schleifen, Polieren, Schneiden

H01L 21/306

. . . . . .

Chemische oder elektrische Behandlung, z. B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/31) [2]

H01L 21/308

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [2]

H01L 21/31

. . . . . .

zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung photolithographischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/28; Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5]

H01L 21/3105

. . . . . . .

Nachbehandlung [5]

H01L 21/311

. . . . . . . .

Ätzen isolierender Schichten [5]

H01L 21/3115

. . . . . . . .

Dotieren isolierender Schichten [5]

H01L 21/312

. . . . . . .

Organische Schichten, z. B. Photolack (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]

H01L 21/314

. . . . . . .

Anorganische Schichten (H01L 21/3105 , H01L 21/32 haben Vorrang) [2, 5]

H01L 21/316

. . . . . . . .

zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]

H01L 21/318

. . . . . . . .

zusammengesetzt aus Nitriden [2]

H01L 21/32

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [2, 5]

H01L 21/3205

. . . . . .

Aufbringen nichtisolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]

H01L 21/321

. . . . . . .

Nachbehandlung [5]

H01L 21/3215

. . . . . . . .

Dotieren der Schichten [5]

H01L 21/322

. . . . .

zur Änderung ihrer inneren Eigenschaften, z. B. zur Erzeugung von Gitterfehlern [2]

H01L 21/324

. . . . .

Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z. B. Tempern, Sintern (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/322 haben Vorrang) [2]

H01L 21/326

. . . . .

Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z. B. zur Elektroformierung (H01L 21/20-H01L 21/288 und H01L 21/302-H01L 21/324 haben Vorrang) [2]

H01L 21/328

. . . .

Mehrstufenprozesse zur Herstellung von bipolaren Bauelementen, z.B. Dioden, Transistoren, Thyristoren [5]

H01L 21/329

. . . . .

bei denen das Bauelement eine oder zwei Elektroden aufweist, z.B. Dioden [5]

H01L 21/33

. . . . .

bei denen das Bauelement drei oder mehr Elektroden aufweist [5]

H01L 21/331

. . . . . .

Transistoren [5]

H01L 21/332

. . . . . .

Thyristoren [5]

H01L 21/334

. . . .

Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen [5]

H01L 21/335

. . . . .

Feldeffekt-Transistoren [5]

H01L 21/336

. . . . . .

mit einem isolierten Gate [5]

H01L 21/337

. . . . . .

mit einem PN-Sperrschicht- Gate [5]

H01L 21/338

. . . . . .

mit einem Schottky-Gate [5]

H01L 21/339

. . . . .

Ladungsgekoppelte Bauelemente [5]

H01L 21/34

. . .

Bauelemente mit Halbleiterkörpern, soweit nicht von H01L 21/06 , H01L 21/16 und H01L 21/18 umfaßt, mit oder ohne Fremdstoffe, z. B. Dotierungsmaterialien [2]

H01L 21/36

. . . .

Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z. B. epitaxiales Aufwachsen [2]

H01L 21/363

. . . . .

durch physikalische Ablagerung, z. B. Aufdampfen in Vakuum, Kathodenzerstäubung [2]

H01L 21/365

. . . . .

durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d. h. chemische Ablagerung [2]

H01L 21/368

. . . . .

durch Ablagerung aus der flüssigen Phase [2]

H01L 21/38

. . . .

Diffusion von Fremdstoffen, z. B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen oder aus einem Halbleiterkörper oder zwischen Halbleiterbereichen [2]

H01L 21/383

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine gasförmige Phase [2]

H01L 21/385

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine feste Phase, z. B. eine dotierte Oxidschicht [2]

H01L 21/388

. . . . .

durch Diffusion in einen oder aus einem Festkörper aus einer oder in eine flüssige Phase, z. B. Legierungs-Diffusions-Verfahren [2]

H01L 21/40

. . . .

Einlegieren von Fremdstoffen, z. B. Dotierungsmaterialien, Elektrodenmaterialien, in einen Halbleiterkörper [2]

H01L 21/42

. . . .

Beschuß mit Strahlung [2]

H01L 21/423

. . . . .

mit hochenergetischer Strahlung [2]

H01L 21/425

. . . . . .

wobei Ionenimplantation erzeugt wird (Ionenstrahlröhren für örtliche Behandlung H01J 37/30) [2]

H01L 21/426

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [5]

H01L 21/428

. . . . . .

mit elektromagnetischer Strahlung, z. B. Laser-Strahlung [2]

H01L 21/44

. . . .

Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen [2]

H01L 21/441

. . . . .

Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden [2]

H01L 21/443

. . . . . .

aus der Gas- oder Dampfphase, z. B. Kondensation [2]

H01L 21/445

. . . . . .

aus der flüssigen Phase, z. B. elektrolytische Ablagerung [2]

H01L 21/447

. . . . .

unter Anwendung von Druck, z. B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]

H01L 21/449

. . . . .

unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z. B. Ultraschallschwingungen [2]

H01L 21/46

. . . .

Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L 21/36-H01L 21/428 vorgesehen (Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern H01L 21/44) [2]

H01L 21/461

. . . . .

zur Änderung der physikalischen Eigenschaften ihrer Oberfläche oder ihrer Form, z. B. Ätzen, Polieren, Schneiden [2]

H01L 21/463

. . . . . .

Mechanische Behandlung, z. B. Schleifen, Ultraschallbehandlung [2]

H01L 21/465

. . . . . .

Chemische oder elektrische Behandlung, z. B. elektrolytisches Ätzen (zur Bildung isolierender Schichten H01L 21/469) [2]

H01L 21/467

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [2]

H01L 21/469

. . . . . .

zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z. B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung photolithographischer Techniken (Elektroden bildende Schichten H01L 21/44 , Schutzschichten H01L 21/56); Nachbehandlung dieser Schichten [2, 5]

H01L 21/47

. . . . . . .

Organische Schichten, z. B. Photolack (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]

H01L 21/471

. . . . . . .

Anorganische Schichten (H01L 21/475 , H01L 21/4757 haben Vorrang) [2, 5]

H01L 21/473

. . . . . . . .

zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis [2]

H01L 21/475

. . . . . . .

unter Verwendung von Masken [2, 5]

H01L 21/4757

. . . . . . .

Nachbehandlung [5]

H01L 21/4763

. . . . . .

Aufbringen nichtisolierender Schichten, z.B. leitender Schichten oder Widerstandsschichten auf isolierende Schichten; Nachbehandlung dieser Schichten (Herstellung von Elektroden H01L 21/28) [5]

H01L 21/477

. . . . .

Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z. B. Tempern, Sintern (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/475 haben Vorrang) [2]

H01L 21/479

. . . . .

Anwendung von elektrischen Strömen oder Feldern, z. B. zur Elektroformierung (H01L 21/36-H01L 21/449 und H01L 21/461-H01L 21/477 haben Vorrang) [2]

H01L 21/48

. . .

Herstellung oder Behandlung von Teilen, z. B. Gehäusen, vor dem Zusammenbau der Bauelemente unter Verwendung von Verfahren, soweit diese nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen sind (Gehäuse, Einkapselungen, Füllungen, Montagesockel an sich H01L 23/00) [2]

H01L 21/50

. . .

Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L 21/06-H01L 21/326 vorgesehen [2]

H01L 21/52

. . . .

Einbau von Halbleiterkörpern in Gehäuse [2]

H01L 21/54

. . . .

Einbringen von Füllungen in Gehäuse, z. B. Gasfüllungen [2]

H01L 21/56

. . . .

Einkapselungen, z. B. Schutzschichten, Überzüge [2]

H01L 21/58

. . . .

Montage von Halbleiterbauelementen auf Unterlagen [2]

H01L 21/60

. . . .

Anbringen von Anschlußleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen [2]

H01L 21/603

. . . . .

unter Anwendung von Druck, z. B. Thermokompression (H01L 21/607 hat Vorrang) [2]

H01L 21/607

. . . . .

unter Anwendung mechanischer Schwingungen, z. B. Ultraschallschwingungen [2]

H01L 21/62

. .	Bauelemente ohne Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht [2]

H01L 21/64

.	Herstellung oder Behandlung von anderen Festkörperbauelementen als Halbleiterbauelementen oder Teilen hiervon, die nicht charakteristisch sind für ein einzelnes der in den Gruppen H01L 31/00-H01L 49/00 vorgesehenen Bauelemente [2]

H01L 21/66

.	Prüfen oder Messen während der Herstellung oder Behandlung (nach der Herstellung G01R 31/26) [2]

H01L 21/68

.	Vorrichtungen zur Aufnahme oder zum Einstellen von Schaltungselementen während der Herstellung, z. B. drehbare Haltevorrichtungen [2]

H01L 21/70

Herstellung oder Behandlung von Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, oder von Teilen hiervon; Herstellung integrierter Schaltungsanordnungen oder von Teilen hiervon (Herstellung von Bauelementen, die aus vorgefertigten elektrischen Schaltungselementen bestehen H05K 3/00 , H05K 13/00) [2]

H01L 21/72

. .	wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht [2]

H01L 21/74

. . .

Ausbildung von vergrabenen Bereichen hoher Fremdstoffkonzentration, z. B. von vergrabenen Kollektorschichten, inneren Verbindungen [2]

H01L 21/76

. . .

Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen, z. B. von PN-Übergängen, dielektrischen Schichten, Luftspalten [2]

H01L 21/78

. . .

mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Mehrzahl einzelner Schaltungselemente [2]

H01L 21/80

. . . .

wobei jedes einzelne Schaltungselement aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Schaltungselementen besteht [2]

H01L 21/82

. . .

ohne nachfolgende Unterteilung des Substrats in eine Mehrzahl einzelner Schaltungselemente, z. B. integrierte Schaltungen [2]

H01L 21/84

. .	wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z. B. aus einem isolierenden Körper besteht [2]

H01L 21/86

. . .

wobei der isolierende Körper ein Saphir ist, z. B. eine Struktur Silizium auf Saphir, d. h. SOS [2]

H01L 21/88

(umfasst von H01L 21/60; H01L 23/48)

H01L 21/90

. .	Anbringen von Verbindungsleitungen, die den Strom innerhalb des Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen leiten [2, 5]

H01L 21/92

(umfasst von H01L 21/60)

H01L 21/94

(umfasst von H01L 21/31; H01L 21/469)

H01L 21/95

(umfasst von H01L 21/31; H01L 21/469)

H01L 21/96

(umfasst von H01L 21/48)

H01L 21/98

. .	Zusammenbau von Bauelementen, die aus, in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen; Zusammenbau von integrierten Schaltungsanordnungen (H01L 21/50 hat Vorrang; Zusammenbau von Baugruppen H01L 25/00) [2, 5]

H01L 23/00

Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen (H01L 25/00 hat Vorrang)

H01L 25/00

Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Baugruppen aus photoelektrischen Zellen H01L 31/042; Generatoren mit Solarzellen oder Solarzellentafeln H02N 6/00; Einzelheiten von vollständigen zusammengesetzten Schaltungen, soweit diese von anderen Unterklassen umfaßt sind, z. B. Einzelheiten von Fernsehempfängern, siehe die betreffende Unterklasse, z. B. H04N; Einzelheiten von Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2, 5]

H01L 27/00

Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörper- schaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen] (Verfahren und Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung solcher Bauelemente oder von deren Teilen geeignet sind, H01L 21/70 , H01L 31/00-H01L 49/00; deren Einzelheiten H01L 23/00 , H01L 29/00-H01L 49/00; Baugruppen, die aus einer Mehrzahl einzelner Festkörperbauelemente bestehen, H01L 25/00; Baugruppen aus elektrischen Schaltungselementen allgemein H05K) [2]

H01L 29/00

Halbleiterbauelemente zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung, oder Kondensatoren oder Widerstände mit mindestens einer Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z. B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern (H01L 31/00-H01L 47/00 haben Vorrang; Verfahren oder Vorrichtungen zur Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen hiervon H01L 21/00; andere Einzelheiten als die von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern H01L 23/00; Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen H01L 27/00; Widerstände allgemein H01C; Kondensatoren allgemein H01G) [2]

H01L 31/00

Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als sichtbares Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind; Einzelheiten dieser Halbleiterbauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, ausgenommen bauliche Vereinigungen von strahlungsempfindlichen Schaltungselementen mit einer oder mehreren elektrischen Lichtquellen, H01L 27/00; Sonnenkollektoren, soweit die Dacheindeckung betroffen ist, E04D 13/18; Erzeugung von Wärme unter Verwendung von Sonnenwärme F24J 2/00; Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung mit Halbleiterdetektoren G01T 1/24 , mit Widerstandsdetektoren G01T 1/26; Messen von Neutronenstrahlung mit Halbleiter-Detektoren G01T 3/08; Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2]

H01L 33/00

Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, die für Lichtemission eingerichtet sind, z. B. Infrarot; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind; Einzelheiten hiervon (Verbindungen für Lichtleiter mit opto-elektronischen Bauelementen G02B 6/42; Halbleiter-Laser mit Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht H01S 3/19; elektrolumineszierende Lichtquellen an sich H05B 33/00) [2]

H01L 35/00

Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d. h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Kältemaschinen mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Effekten F25B 21/00; Thermometer mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Energiegewinnung aus radioaktiven Quellen G21H) [2]

H01L 37/00

Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z. B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren und Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Thermometer mit thermoelektrischen oder thermomagnetischen Elementen G01K 7/00; Auswahl von Materialien für die Magnetographie, z. B. für Curiepunkt-Schreiben, G03G 5/00) [2]

H01L 39/00

Bauelemente, die Supra- oder Hyperleitfähigkeit nutzen; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; supra- oder hyperleitfähige Leiter, Kabel oder Übertragungsleitungen H01B 12/00; supraleitende Spulen oder Wicklungen H01F; Verstärker unter Anwendung der Supraleitfähigkeit H03F 19/00) [2, 4]

H01L 41/00

Piezoelektrische Bauelemente; Elektrostriktive Bauelemente; Magnetostriktive Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind; Einzelheiten dieser Bauelemente (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Verfahren oder Geräte, um mechanische Schwingungen von Infraschall-, Schall- oder Ultraschallfrequenzen zu erzeugen oder zu übertragen, um damit mechanische Arbeit zu verrichten allgemein B06B; Verwendung von Wandlern als Fühlelemente zum Messen G01 , G04; magnetostriktive Wandler für elektrische Nachrichtenübertragung H04R 15/00; piezoelektrische oder elektrostriktive Wandler für elektrische Nachrichtenübertragung H04R 17/00) [2]

H01L 43/00

Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Bauelemente mit Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, die durch Veränderung eines Magnetfeldes steuerbar sind, H01L 29/82) [2]

H01L 45/00

Festkörperbauelemente zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung ohne Potentialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z. B. dielektrische Trioden; Ovshinsky-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00; Bauelemente unter Verwendung der Supraleitfähigkeit oder Hyperleitfähigkeit H01L 39/00; piezoelektrische Bauelemente H01L 41/00; Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand H01L 47/00) [2]

H01L 47/00

Bauelemente mit durch einen Volumeneffekt bedingtem negativen Widerstand, z. B. Gunn-Effekt-Bauelemente; Verfahren oder Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperschaltungselementen bestehen, H01L 27/00) [2]

H01L 49/00

Festkörperbauelemente, soweit nicht in H01L 27/00-H01L 47/00 und nicht in einer anderen Unterklasse vorgesehen; Verfahren und Vorrichtungen, die für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder von Teilen hiervon charakteristisch sind (Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Festkörperbauelementen bestehen, H01L 27/00) [2]

H01L 101/00

Index-Schema in Verbindung mit Gruppe H01L 27/00 , betreffend integrierte Schaltungen. Der Index-Code soll nicht verbunden dargestellt werden. [5]

H01L 101/00

A IIIB V Integrierte Schaltungen [5]

H01M

VERFAHREN ODER MITTEL, z. B. BATTERIEN, FÜR DIE DIREKTE UMWANDLUNG VON CHEMISCHER IN ELEKTRISCHE ENERGIE (elektrolytische Verfahren oder Geräte allgemein C25; Halbleiter- oder andere Festkörperbauelemente für die Umwandlung von Licht oder Wärme in elektrische Energie H01L , z. B. H01L 31/00 , H01L 35/00 , H01L 37/00) [2]

H01P

WELLENLEITER [HOHLLEITER]; RESONATOREN, LEITUNGEN ODER ANDERE EINRICHTUNGEN DES WELLENLEITERTYPS (für Frequenzen im optischen Bereich G02B; Antennen H01Q; Netzwerke mit konzentrierten Scheinwiderstandselementen H03H)

H01Q

ANTENNEN (Mikrowellenstrahler für die therapeutische Nahfeldbehandlung A61N 5/04; Geräte zum Prüfen von Antennen oder zum Messen von Antenneneigenschaften G01R; Wellenleiter H01P; Strahler oder Antennen für das Heizen mit Mikrowellen H05B 6/72)

H01R

ELEKTRISCHE LEITUNGSVERBINDER ODER -ANSCHLÜSSE; STROMABNEHMER (Schalter, Sicherungen H01H; Kupplungsvorrichtungen vom Hohlleitertyp H01P 5/00; Schaltanlagen für die Abgabe oder Verteilung elektrischer Energie H02B; Installation elektrischer Leitungen, Kabel oder Zusatzgeräte H02G; Teile in gedruckter Schaltungsausführung um elektrische Verbindungen zu oder zwischen gedruckten Schaltungen herzustellen H05K)

H01S

VORRICHTUNGEN, DIE STIMULIERTE EMISSION VERWENDEN

H01T

FUNKENSTRECKEN; ÜBERSPANNUNGSABLEITER MIT FUNKENSTRECKEN; ZÜNDKERZEN; KORONAENTLADUNGSEINRICHTUNGEN; ERZEUGEN VON IONEN, DIE IN NICHTEINGESCHLOSSENE GASE EINGELEITET WERDEN SOLLEN (Metallbearbeitung durch Einwirkung elektrischen Stromes hoher Stromdichte B23H; Schweißen, z. B. Lichtbogenschweißen, Schweißen mittels Ladungsträgerstrahlen, elektrolytisches Schweißen B23K; gasgefüllte Entladungsröhren mit fester Kathode H01J 17/00; elektrische Bogenlampen H05B 31/00)

H02

ERZEUGUNG, UMWANDLUNG ODER VERTEILUNG VON ELEKTRISCHER ENERGIE

H03

GRUNDLEGENDE ELEKTRONISCHE SCHALTKREISE

H04

ELEKTRISCHE NACHRICHTENTECHNIK

H05

ELEKTROTECHNIK, SOWEIT NICHT ANDERWEITIG VORGESEHEN

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]

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