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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
G01
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MessenPrüfen
G02
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Optik
G03
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FotografieKinematografievergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen WellenElektrografieHolografie [4]
G04
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Zeitmessung
G05
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SteuernRegeln
G06
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DatenverarbeitungRechnen oder Zählen
G07
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Kontrollvorrichtungen
G08
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Signalwesen
G09
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UnterrichtGeheimschriftAnzeigeReklameSiegel
G10
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MusikinstrumenteAkustik
G11
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Informationsspeicherung
G11B
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Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler (Aufzeichnen gemessener Werte in einer Weise, die keine Wiedergabe durch einen Wandler erfordert G01D 9/00; Aufzeichnungs- oder Wiedergabegeräte, die ein mechanisch markiertes Band verwenden, z.B. Lochstreifen, oder die einzelne Aufzeichnungsträger verwenden, z.B. Lochkarten oder magnetisch markierte Karten G06K; Übertragen von Daten von einer Art eines Aufzeichnungsträgers auf eine andere Art G06K 1/18; Schaltungen zur Kopplung des Ausgangs eines Wiedergabegerätes an einen Rundfunkempfänger H04B 1/20; Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustisch elektromechanische Wandler oder Schaltungen dafür H04R)
G11C
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Statische Speicher (Halbleiter-Speicherelemente H10B)
G11C 5/00
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Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C 11/00 umfasst sind [1, 2006.01]
G11C 7/00
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Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher (G11C 5/00 hat Vorrang; Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [1, 2, 5, 2006.01]
G11C 8/00
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Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher (für Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5, 2006.01]
G11C 11/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer SpeicherelementeSpeicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [1, 5, 2006.01]
G11C 11/02
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mit magnetischen Elementen [1, 2006.01]
G11C 11/04
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. . mit zylinderförmigen Speicherelementen, z.B. Stab, Draht (G11C 11/12 , G11C 11/14 haben Vorrang) [1, 2, 2006.01]
G11C 11/06
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. . mit Speicherlementen mit einer einzigen Öffnung, z.B. Ringkernmit Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet [1, 2006.01]
G11C 11/061
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. . . mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen gelöscht wird [2, 2006.01]
G11C 11/063
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. . . . bit-organisiert, z.B. 2L/2D-, 3D-Organisation, d.h. organisiert zur Auswahl eines Elements mit wenigstens zwei koinzidenten Teilströmen sowohl zum Auslesen als auch zum Einschreiben [2, 2006.01]
G11C 11/065
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. . . . wort-organisiert, z.B. mit 2D-Organisation oder lineare Auswahl, d.h. organisiert zur Auswahl aller Elemente eines Wortes mittels eines einzigen Vollstroms beim Auslesen [2, 2006.01]
G11C 11/067
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. . . mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen nicht gelöscht wird [2, 2006.01]
G11C 11/08
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. . mit Speicherelementen mit mehreren Öffnungen, z.B. Transfluxorenmit Platten, die verschiedene, jeweils mit mehreren Öffnungen versehene Speicherelemente bilden (G11C 11/10 hat Vorrang) [1, 2, 2006.01]
G11C 11/10
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. . mit mehraxialen Speicherelementen [1, 2006.01]
G11C 11/12
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. . mit Tensorenmit Twistoren, d.h. mit Elementen, in denen eine Achse der Magnetisierung gedreht ist [1, 2006.01]
G11C 11/14
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. . mit Dünnschichtelementen [1, 2006.01]
G11C 11/15
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. . . mit mehreren magnetischen Schichten (G11C 11/155 hat Vorrang) [2, 2006.01]
G11C 11/155
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. . . mit zylindrischer Konfiguration [2, 2006.01]
G11C 11/16
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. . mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht [1, 2006.01]
G11C 11/18
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mit Halleffekt-Elementen [1, 2006.01]
G11C 11/19
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mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2, 2006.01]
G11C 11/20
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. . mit Parametrons [1, 2, 2006.01]
G11C 11/21
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mit elektrischen Elementen [2, 2006.01]
G11C 11/22
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. . mit ferroelektrischen Elementen [1, 2, 2006.01]
G11C 11/23
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. . mit elektrostatischer Speicherung auf einer gemeinsamen Schicht, z.B. Forrester-Haeff-Röhren (G11C 11/22 hat Vorrang) [2, 2006.01]
G11C 11/24
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. . mit Kondensatoren (G11C 11/22 hat Vorrang; in Kombination mit Halbleitern und Kondensatoren G11C 11/34 , z.B. G11C 11/40) [1, 2, 5, 2006.01]
G11C 11/26
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. . mit Entladungsröhren [1, 2, 2006.01]
G11C 11/28
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. . . mit gasgefüllten Röhren [1, 2, 2006.01]
G11C 11/30
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. . . mit Hochvakuumröhren (G11C 11/23 hat Vorrang) [1, 2, 2006.01]
G11C 11/34
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. . mit Halbleitern [1, 2, 2006.01]
G11C 11/35
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. . . mit Ladungsspeicherung in einer Verarmungsschicht, z.B. ladungsgekoppelte Bauelemente [Charge Coupled Devices = CCD] [7, 2006.01]
G11C 11/36
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. . . mit Dioden, z.B. als Schwellwertelemente [1, 2, 2006.01]
G11C 11/38
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. . . . mit Tunneldioden [1, 2, 2006.01]
G11C 11/39
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. . . mit Thyristoren [5, 2006.01]
G11C 11/40
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. . . mit Transistoren [1, 2, 2006.01]
G11C 11/401
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. . . . bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5, 2006.01]
G11C 11/402
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. . . . . mit Ladungsregeneration für jede einzelne Speicherzelle, d.h. interne Auffrischung [5, 2006.01]
G11C 11/403
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. . . . . mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5, 2006.01]
G11C 11/404
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. . . . . . mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5, 2006.01]
G11C 11/405
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. . . . . . mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5, 2006.01]
G11C 11/406
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. . . . . Überwachung oder Regelung der Auffrischzyklus oder Ladungsregenerationszyklen [5, 2006.01]
G11C 11/4063
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. . . . . Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7, 2006.01]
G11C 11/4067
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. . . . . . für bipolare Speicherzellen [7, 2006.01]
G11C 11/407
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. . . . . . Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5, 2006.01]
G11C 11/4072
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. . . . . . . Schaltungen zum Initialisieren, zum Einschalten, zum Abschalten in den Ruhezustand, zum Löschen des Speichers oder zum Voreinstellen [7, 2006.01]
G11C 11/4074
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. . . . . . . Schaltungen zur Stromversorgung oder zur Spannungserzeugung, z.B. Vorspannungserzeuger, Substratspannungserzeuger, Reservestromversorgung, Stromversorgungssteuerung [7, 2006.01]
G11C 11/4076
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. . . . . . . Zeitsteuerungen (zur Überwachung der Regeneration G11C 11/406) [7, 2006.01]
G11C 11/4078
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. . . . . . . Sicherheitsschaltungen oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder SchreibensZustandszellenPrüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7, 2006.01]
G11C 11/408
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. . . . . . . Adressierschaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/409
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/4091
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. . . . . . . . Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen [7, 2006.01]
G11C 11/4093
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . Anordnungen für Dateneingabe-/Datenausgabe[I/O]-Schnittstellen, z.B. Datenpuffer [7, 2006.01]
G11C 11/4094
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . . Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Bitleitungen [7, 2006.01]
G11C 11/4096
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. . . . . . . . Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Dateneingabe/-ausgabe [I/O], z.B. Lese- oder Schreibschaltungen, I/O-Treiber, Bitleitungsschalter [7, 2006.01]
G11C 11/4097
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. . . . . . . . Bitleitungsorganisation, z. B. bit-line layout, folded bit-lines [7, 2006.01]
G11C 11/4099
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. . . . . . . . Behandlung von LeerzellenReferenzspannungserzeuger [7, 2006.01]
G11C 11/41
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. . . . bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5, 2006.01]
G11C 11/411
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. . . . . nur mit Bipolartransistoren [5, 2006.01]
G11C 11/412
Hierarchie anzeigen
. . . . . nur mit Feldeffekttransistoren [5, 2006.01]
G11C 11/413
Hierarchie anzeigen
. . . . . Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5, 2006.01]
G11C 11/414
Hierarchie anzeigen
. . . . . . für bipolare Speicherzellen [5, 2006.01]
G11C 11/415
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Adressierschaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/416
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/417
Hierarchie anzeigen
. . . . . . für Feldeffekt-Speicherzellen [5, 2006.01]
G11C 11/418
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Adressierschaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/419
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5, 2006.01]
G11C 11/4193
Hierarchie anzeigen
. . . für spezielle Halbleiterspeicherbauelemente typische Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Treiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung, Stromversorgung, Signalausbreitung (G11C 11/4063 , G11C 11/413 haben Vorrang) [7, 2006.01]
G11C 11/4195
Hierarchie anzeigen
. . . . Adressierschaltungen [7, 2006.01]
G11C 11/4197
Hierarchie anzeigen
. . . . Schreib-/Lese[R/W]-Schaltungen [7, 2006.01]
G11C 11/42
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. . mit optoelektrischen Bauelementen, d.h. elektrisch oder optisch gekoppelten lichtemittierenden und fotoelektrischen Bauelementen [1, 2006.01]
G11C 11/44
Hierarchie anzeigen
. . mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotron [1, 2, 2006.01]
G11C 11/46
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mit thermoplastischen Elementen [1, 2006.01]
G11C 11/48
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mit verschiebbaren Koppelelementen, z.B. mit ferromagnetischen Kernen, zum Kippen zwischen verschiedenen Zuständen einer induktiven Kopplung oder Selbstinduktion [1, 2006.01]
G11C 11/50
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mit elektrischen Kontakten zur Speicherung von Informationen [1, 2006.01]
G11C 11/52
Hierarchie anzeigen
. . mit elektromagnetischen Relais [1, 2006.01]
G11C 11/54
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mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen [1, 2006.01]
G11C 11/56
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mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind [2, 2006.01]
G11C 13/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C 11/00 , G11C 23/00 oder G11C 25/00 umfasst sind [1, 2006.01]
G11C 14/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch Speicherzellenanordnungen mit flüchtigem und nichtflüchtigem Speicherverhalten zum Informationserhalt bei ausgefallener Spannung [5, 2006.01]
G11C 15/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher [1, 2, 2006.01]
G11C 16/00
Hierarchie anzeigen
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher (G11C 14/00 hat Vorrang) [5, 2006.01]
G11C 17/00
Hierarchie anzeigen
Nur einmal programmierbare FestwertspeicherHalbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten [1, 2, 5, 2006.01]
G11C 19/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, in denen die Information schrittweise bewegt wird, z.B. Schieberegister [1, 2006.01]
G11C 21/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, in denen die Information zirkuliert (schrittweise G11C 19/00) [1, 2006.01]
G11C 23/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Bewegung mechanischer Teile zur Herstellung eines Speichereffektes, z.B. KugelnSpeicherelemente hierfür [1, 2006.01]
G11C 25/00
Hierarchie anzeigen
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung fließfähiger MedienSpeicherelemente hierfür [1, 2006.01]
G11C 27/00
Hierarchie anzeigen
Elektrische Analogspeicher, z.B. zur Speicherung von Augenblickswerten [1, 2006.01]
G11C 29/00
Hierarchie anzeigen
Prüfen von Speichern auf richtige ArbeitsweiseTesten von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs [1, 2006.01]
G11C 99/00
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2006.01]
G12
Hierarchie anzeigen
Einzelheiten von Instrumenten
G16
Hierarchie anzeigen
Informations- und Kommunikationstechnik [IKT], besonders ausgebildet für spezielle Anwendungsgebiete [2018.01]
G21
Hierarchie anzeigen
KernphysikKerntechnik
G99
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]
H
Hierarchie anzeigen
Sektion H — Elektrotechnik

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]