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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
G01
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Instrumente
G01
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MessenPrüfen
G02
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Optik
G03
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FotografieKinematografievergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen WellenElektrografieHolografie [4]
G04
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Zeitmessung
G05
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SteuernRegeln
G06
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DatenverarbeitungRechnenZählen
G07
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Kontrollvorrichtungen
G08
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Signalwesen
G09
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UnterrichtGeheimschriftAnzeigeReklameSiegel
G10
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MusikinstrumenteAkustik
G11
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Informationsspeicherung
G11B
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Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler (Aufzeichnen gemessener Werte in einer Weise, die keine Wiedergabe durch einen Wandler erfordert G01D 9/00; Aufzeichnungs- oder Wiedergabegeräte, die ein mechanisch markiertes Band verwenden, z.B. Lochstreifen, oder die einzelne Aufzeichnungsträger verwenden, z.B. Lochkarten oder magnetisch markierte Karten G06K; Übertragen von Daten von einer Art eines Aufzeichnungsträgers auf eine andere Art G06K 1/18; Schaltungen zur Kopplung des Ausgangs eines Wiedergabegerätes an einen Rundfunkempfänger H04B 1/20; Lautsprecher, Mikrofone, Schallplatten-Tonabnehmer oder ähnliche akustisch elektromechanische Wandler oder Schaltungen dafür H04R)
G11C
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Statische Speicher (Informationsspeicherung mit Relativbewegung zwischen Aufzeichnungsträger und Wandler G11B; Halbleiterbauelemente zur Speicherung H01L , z.B. H01L 27/108-H01L 27/115; Impulstechnik allgemein H03K , z.B. elektronische Schalter H03K 17/00)
G11C 5/00
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Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C 11/00 umfasst sind
G11C 7/00
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Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher (G11C 5/00 hat Vorrang; Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]
G11C 8/00
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Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher (für Hilfsschaltungen für Halbleiterspeicher G11C 11/4063 , G11C 11/413 , G11C 11/4193) [2, 5]
G11C 11/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer SpeicherelementeSpeicherelemente hierfür (G11C 14/00-G11C 21/00 haben Vorrang) [5]
G11C 11/02
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mit magnetischen Elementen
G11C 11/04
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. . mit zylinderförmigen Speicherelementen, z.B. Stab, Draht (G11C 11/12 , G11C 11/14 haben Vorrang) [2]
G11C 11/06
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. . mit Speicherlementen mit einer einzigen Öffnung, z.B. Ringkernmit Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet
G11C 11/061
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. . . mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen gelöscht wird [2]
G11C 11/063
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. . . . bit-organisiert, z.B. 2L/2D-, 3D-Organisation, d.h. organisiert zur Auswahl eines Elements mit wenigstens zwei koinzidenten Teilströmen sowohl zum Auslesen als auch zum Einschreiben [2]
G11C 11/065
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. . . . wort-organisiert, z.B. mit 2D-Organisation oder lineare Auswahl, d.h. organisiert zur Auswahl aller Elemente eines Wortes mittels eines einzigen Vollstroms beim Auslesen [2]
G11C 11/067
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. . . mit Speicherelementen mit einer einzigen Öffnung oder mit einem Magnetkreis, wobei ein Element pro Bit verwendet und wobei beim Auslesen nicht gelöscht wird [2]
G11C 11/08
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. . mit Speicherelementen mit mehreren Öffnungen, z.B. Transfluxorenmit Platten, die verschiedene, jeweils mit mehreren Öffnungen versehene Speicherelemente bilden (G11C 11/10 hat Vorrang; Platten mit mehreren Öffnungen, wobei jede einzelne Öffnung ein Speicherelement bildet G11C 11/06) [2]
G11C 11/10
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. . mit mehraxialen Speicherelementen
G11C 11/12
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. . mit Tensorenmit Twistoren, d.h. mit Elementen, in denen eine Achse der Magnetisierung gedreht ist
G11C 11/14
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. . mit Dünnschichtelementen
G11C 11/15
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. . . mit mehreren magnetischen Schichten (G11C 11/155 hat Vorrang) [2]
G11C 11/155
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. . . mit zylindrischer Konfiguration [2]
G11C 11/16
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. . mit Elementen, in denen der Speichereffekt auf dem magnetischen Spineffekt beruht
G11C 11/18
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mit Halleffekt-Elementen
G11C 11/19
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mit nichtlinearen Reaktanzen in Resonanzkreisen [2]
G11C 11/20
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. . mit Parametrons [2]
G11C 11/21
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mit elektrischen Elementen [2]
G11C 11/22
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. . mit ferroelektrischen Elementen [2]
G11C 11/23
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. . mit elektrostatischer Speicherung auf einer gemeinsamen Schicht, z.B. Forrester-Haeff-Röhren (G11C 11/22 hat Vorrang) [2]
G11C 11/24
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. . mit Kondensatoren (G11C 11/22 hat Vorrang; in Kombination mit Halbleitern und Kondensatoren G11C 11/34 , z.B. G11C 11/40) [2, 5]
G11C 11/26
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. . mit Entladungsröhren [2]
G11C 11/28
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. . . mit gasgefüllten Röhren [2]
G11C 11/30
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. . . mit Hochvakuumröhren (G11C 11/23 hat Vorrang) [2]
G11C 11/34
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. . mit Halbleitern [2]
G11C 11/35
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. . . mit Ladungsspeicherung in einer Verarmungsschicht, z.B. ladungsgekoppelte Bauelemente [Charge Coupled Devices = CCD] [7]
G11C 11/36
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. . . mit Dioden, z.B. als Schwellwertelemente [2]
G11C 11/38
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. . . . mit Tunneldioden [2]
G11C 11/39
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. . . mit Thyristoren [5]
G11C 11/40
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. . . mit Transistoren [2]
G11C 11/401
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. . . . bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen [5]
G11C 11/402
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. . . . . mit Ladungsregeneration für jede einzelne Speicherzelle, d.h. interne Auffrischung [5]
G11C 11/403
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. . . . . mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung [5]
G11C 11/404
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. . . . . . mit einer Ladungstransferstrecke pro Zelle, z.B. MOS-Transistor [5]
G11C 11/405
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. . . . . . mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren [5]
G11C 11/406
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. . . . . Überwachung oder Regelung der Auffrisch- oder Ladungsregenerationszyklen [5]
G11C 11/4063
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. . . . . Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung [7]
G11C 11/4067
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. . . . . . für bipolare Speicherzellen [7]
G11C 11/407
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. . . . . . Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen [5]
G11C 11/4072
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. . . . . . . Schaltungen zum Initialisieren, zum Einschalten, zum Abschalten in den Ruhezustand, zum Löschen des Speichers oder zum Voreinstellen [7]
G11C 11/4074
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. . . . . . . Schaltungen zur Stromversorgung oder zur Spannungserzeugung, z.B. Vorspannungserzeuger, Substratspannungserzeuger, Reservestromversorgung, Stromversorgungssteuerung [7]
G11C 11/4076
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. . . . . . . Zeitsteuerungen (zur Überwachung der Regeneration G11C 11/406) [7]
G11C 11/4078
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. . . . . . . Sicherheits- oder Schutzschaltungen, z.B. zum Verhindern des versehentlichen oder unberechtigten Lesens oder SchreibensZustandszellenPrüfzellen (Schutz des Speicherinhalts während des Prüfens oder Testens G11C 29/52) [7]
G11C 11/408
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. . . . . . . Adressierschaltungen [5]
G11C 11/409
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. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/4091
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. . . . . . . . Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen [7]
G11C 11/4093
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. . . . . . . . Anordnungen für Dateneingabe-/Datenausgabe[I/O]-Schnittstellen, z.B. Datenpuffer (Pegelumsetzer allgemein H03K 19/0175) [7]
G11C 11/4094
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. . . . . . . . Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Bitleitungen [7]
G11C 11/4096
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. . . . . . . . Schaltungen zur Verwaltung oder Steuerung der Dateneingabe/-ausgabe [I/O], z.B. Lese- oder Schreibschaltungen, I/O-Treiber, Bitleitungsschalter [7]
G11C 11/4097
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. . . . . . . . Bitleitungsorganisation, z. B. bit-line layout, folded bit-lines [7]
G11C 11/4099
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. . . . . . . . Behandlung von LeerzellenReferenzspannungserzeuger [7]
G11C 11/41
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. . . . bestehend aus Zellen mit positiver Rückkopplung, d.h. Zellen, die keine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, z.B. bistabiler Multivibrator oder Schmitt-Trigger [5]
G11C 11/411
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. . . . . nur mit Bipolartransistoren [5]
G11C 11/412
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. . . . . nur mit Feldeffekttransistoren [5]
G11C 11/413
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. . . . . Zusatzschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung oder Leistungsreduzierung [5]
G11C 11/414
Hierarchie anzeigen
. . . . . . für bipolare Speicherzellen [5]
G11C 11/415
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Adressierschaltungen [5]
G11C 11/416
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/417
Hierarchie anzeigen
. . . . . . für Feldeffekt-Speicherzellen [5]
G11C 11/418
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Adressierschaltungen [5]
G11C 11/419
Hierarchie anzeigen
. . . . . . . Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen [5]
G11C 11/4193
Hierarchie anzeigen
. . . für spezielle Halbleiterspeicherbauelemente typische Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Treiben, Abtasten, zur Zeitsteuerung, Stromversorgung, Signalausbreitung (G11C 11/4063 , G11C 11/413 haben Vorrang) [7]
G11C 11/4195
Hierarchie anzeigen
. . . . Adressierschaltungen [7]
G11C 11/4197
Hierarchie anzeigen
. . . . Schreib-/Lese[R/W]-Schaltungen [7]
G11C 11/42
Hierarchie anzeigen
. . mit optoelektrischen Bauelementen, d.h. elektrisch oder optisch gekoppelten lichtemittierenden und fotoelektrischen Bauelementen
G11C 11/44
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. . mit supraleitfähigen Elementen, z.B. Kryotron [2]
G11C 11/46
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mit thermoplastischen Elementen
G11C 11/48
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mit verschiebbaren Koppelelementen, z.B. mit ferromagnetischen Kernen, zum Kippen zwischen verschiedenen Zuständen einer induktiven Kopplung oder Selbstinduktion
G11C 11/50
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mit elektrischen Kontakten zur Speicherung von Informationen (mechanische Speicher G11C 23/00; Schalter, mit denen durch eine einzige manuelle Betätigung des Betätigungsteiles eine ausgewählte Anzahl von aufeinanderfolgenden Schaltvorgängen bewirkt wird H01H 41/00)
G11C 11/52
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. . mit elektromagnetischen Relais
G11C 11/54
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mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen
G11C 11/56
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mit Speicherelementen mit mehr als zwei stabilen Zuständen, die durch Stufen, z.B. von Spannung, Strom, Phase, Frequenz repräsentiert sind (Zählanordnungen, die multistabile Elemente dieser Art aufweisen H03K 25/00 , H03K 29/00) [2]
G11C 13/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C 11/00 , G11C 23/00 oder G11C 25/00 umfasst sind
G11C 14/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch Speicherzellenanordnungen mit flüchtigem und nichtflüchtigem Speicherverhalten zum Informationserhalt bei ausgefallener Spannung [5]
G11C 15/00
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Digitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher (Speicher, in denen Informationen an einen bestimmten Speicherplatz gebunden sind G11C 11/00) [2]
G11C 16/00
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Löschbare, programmierbare Festwertspeicher (G11C 14/00 hat Vorrang) [5]
G11C 17/00
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Nur einmal programmierbare FestwertspeicherHalbfestwertspeicher, z.B. mit manuell auswechselbaren Informationsträgerkarten (löschbare programmierbare Festwertspeicher G11C 16/00; Codieren, Decodieren oder Codeumsetzung allgemein H03M) [2, 5]
G11C 19/00
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Digitale Speicher, in denen die Information schrittweise bewegt wird, z.B. Schieberegister (Zählketten H03K 23/00)
G11C 21/00
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Digitale Speicher, in denen die Information zirkuliert (schrittweise G11C 19/00)
G11C 23/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Bewegung mechanischer Teile zur Herstellung eines Speichereffektes, z.B. KugelnSpeicherelemente hierfür (Speicherung durch Betätigen von Kontakten G11C 11/48)
G11C 25/00
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Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung fließfähiger MedienSpeicherelemente hierfür
G11C 27/00
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Elektrische Analogspeicher, z.B. zur Speicherung von Augenblickswerten
G11C 29/00
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Prüfen von Speichern auf richtige ArbeitsweiseTesten von Speichern während des Standby- oder Offline-Betriebs [1, 2006.01]
G11C 99/00
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Sachverhalte, soweit nicht in anderen Gruppen dieser Unterklasse vorgesehen [2006.01]
G12
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Einzelheiten von Instrumenten
G21
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Kernphysik
G21
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KernphysikKerntechnik
G99
Hierarchie anzeigen
Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]
H
Hierarchie anzeigen
Sektion H — Elektrotechnik

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]