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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — ArbeitsverfahrenTransportieren
C
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Sektion C — ChemieHüttenwesen
C01
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Chemie
C01
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Anorganische Chemie
C02
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Behandlung von Wasser, Schmutzwasser, Abwasser oder von Abwasserschlamm
C03
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GlasMineral- oder Schlackenwolle
C04
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ZementeBetonKunststeinkeramische Massenfeuerfeste Massen [4]
C05
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Düngemittelderen Herstellung [4]
C06
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SprengstoffeZündhölzer
C07
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Organische Chemie [2]
C08
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Organische makromolekulare Verbindungenderen Herstellung oder chemische VerarbeitungMassen auf deren Basis
C09
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FarbstoffeAnstrichstoffePoliturenNaturharzeKlebstoffeZusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehenAnwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
C10
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Mineralöl-, Gas- oder KoksindustrieKohlenmonoxid enthaltende technische GaseBrennstoffeSchmiermittelTorf
C11
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Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachsedaraus gewonnene FettsäurenReinigungsmittelKerzen
C12
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BiochemieBierSpirituosenWeinEssigMikrobiologieEnzymologieMutation oder genetische Techniken
C13
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Zuckerindustrie [4]
C14
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HäuteFellePelzeLeder
C21
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Hüttenwesen
C21
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Eisenhüttenwesen
C22
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MetallhüttenwesenEisen- oder NichteisenlegierungenBehandlung von Legierungen oder von Nichteisenmetallen
C23
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Beschichten metallischer WerkstoffeBeschichten von Werkstoffen mit metallischen StoffenChemische OberflächenbehandlungDiffusionsbehandlung von metallischen WerkstoffenBeschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der DampfphaseInhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein [2]
C25
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Elektrolytische oder elektrophoretische VerfahrenVorrichtungen dafür [4]
C30
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Züchten von Kristallen [3]
C30B
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Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06)Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen StoffenReinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B)Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F)Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter StrukturNachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L)Apparate hierfür [3]
C30B 1/00
Einkristallwachstum aus festen Stoffen oder Gelen [3]
C30B 1/00
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Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 3/00
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Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3]
C30B 5/00
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Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 7/00
Einkristallwachstum aus Flüssigkeitengerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 7/00
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Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 9/00
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Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 11/00
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Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman- Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 13/00
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Erzeugen von Einkristallen durch ZonenschmelzenReinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00; Zonenreinigen von besonderen Stoffen siehe die entsprechenden Unterklassen für die Stoffe) [3, 5]
C30B 15/00
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Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 17/00
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Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3]
C30B 19/00
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Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3]
C30B 21/00
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Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 23/00
Einkristallwachstum aus der Dampfphase [3]
C30B 23/00
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Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3]
C30B 25/00
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Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3]
C30B 25/02
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Epitaktisches Schichtenwachstum [3]
C30B 25/04
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. . Abscheiden von Profilen, z.B. durch Maskieren [3]
C30B 25/06
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. . durch reaktives Sputtering [3]
C30B 25/08
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. . ReaktionskammernAuswahl der Materialien dafür [3]
C30B 25/10
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. . Erhitzen der Reaktionskammer oder des Substrats [3]
C30B 25/12
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. . Substrathalter oder -träger [3]
C30B 25/14
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. . Zu- und Ableitungen für die GaseRegulierung des Gasstroms [3]
C30B 25/16
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. . Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
C30B 25/18
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. . gekennzeichnet durch das Substrat [3]
C30B 25/20
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. . . wobei das Substrat aus denselben Stoffen wie die epitaktische Schicht ist [3]
C30B 25/22
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. . Sandwich-Verfahren [3]
C30B 27/00

C30B 27/00
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Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3]
C30B 28/00
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Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5]
C30B 29/00
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Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form [3, 5]
C30B 30/00
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Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5]
C30B 31/00
Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
C30B 31/00
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Diffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter StrukturVorrichtungen dafür [3, 5]
C30B 33/00
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Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang) [3, 5]
C30B 35/00

C30B 35/00
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Vorrichtungen allgemein, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
C40
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Kombinatorische Technologie [2006.01]
C40
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Kombinatorische Technologie [2006.01]
C99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]
D
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Sektion D — TextilienPapier
E
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Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
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Sektion F — MaschinenbauBeleuchtungHeizungWaffenSprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]