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A
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Sektion A — Täglicher Lebensbedarf
B
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Sektion B — Arbeitsverfahren; Transportieren
C
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Sektion C — Chemie; Hüttenwesen
C01
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Chemie
C01
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Anorganische Chemie (Pulver aus anorganischen Verbindungen als Ausgangsstoffe für die Herstellung keramischer Produkte C04B 35/00; Gärungsverfahren oder Verfahren unter Verwendung von Enzymen zur Herstellung von Elementen oder von anorganischen Verbindungen außer Kohlendioxid C12P 3/00; Gewinnung von Metall-Verbindungen aus Gemischen, z.B. Erzen, die Zwischenverbindungen bei einem metallurgischen Prozess zur Gewinnung eines freien Metalls sind, C21B , C22B; Herstellung nichtmetallischer Elemente oder anorganischer Verbindungen durch Elektrolyse C25B)
C02
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Behandlung von Wasser, Schmutzwasser, Abwasser oder von Abwasserschlamm (Absetztanks, Filtration, z.B. Sandfilter oder Siebvorrichtungen B01D)
C03
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GlasMineral- oder Schlackenwolle
C04
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ZementeBetonKunststeinkeramische Massenfeuerfeste Massen (Legierungen auf der Basis von feuerfesten Metallen C22C) [4]
C05
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Düngemittelderen Herstellung (Verfahren oder Vorrichtungen zum Granulieren von Stoffen allgemein B01J 2/00; Materialien zum Konditionieren oder Stabilisieren des Bodens C09K 17/00) [4]
C06
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SprengstoffeZündhölzer
C07
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Organische Chemie (Verbindungen wie Oxide, Sulfide oder Oxysulfide des Kohlenstoffs, Cyan, Phosgen, Cyanwasserstoffsäure oder deren Salze C01; Erzeugnisse, erhalten aus basenaustauschenden Schichtsilicaten durch Ionenaustausch mit organischen Verbindungen wie Aluminium-, Phosphonium- oder Sulfoniumverbindungen oder durch Intercalation organischer Verbindungen C01B 33/44; makromolekulare Verbindungen C08; Farbstoffe C09; Gärungserzeugnisse C12; Gärungsverfahren oder Verfahren unter Verwendung von Enzymen zur gezielten Synthese von chemischen Verbindungen oder Zusammensetzungen oder zur Trennung optischer Isomerer aus einer racemischen Mischung C12P; Herstellung organischer Verbindungen durch Elektrolyse oder Elektrophorese C25B 3/00 , C25B 7/00) [2]
C08
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Organische makromolekulare Verbindungenderen Herstellung oder chemische VerarbeitungMassen auf deren Grundlage (Herstellung oder Behandlung künstlicher Fäden, Fasern, Borsten oder Bänder D01)
C09
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FarbstoffeAnstrichstoffePoliturenNaturharzeKlebstoffeZusammensetzungen, soweit nicht anderweitig vorgesehenAnwendungen von Stoffen, soweit nicht anderweitig vorgesehen
C10
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Mineralöl-, Gas- oder KoksindustrieKohlenmonoxid enthaltende technische GaseBrennstoffeSchmiermittelTorf
C11
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Tierische oder pflanzliche Öle, Fette, fettartige Stoffe oder Wachsedaraus gewonnene FettsäurenReinigungsmittelKerzen (Zusammensetzungen essbarer Öle oder Fette A23)
C12
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BiochemieBierSpirituosenWeinEssigMikrobiologieEnzymologieMutation oder genetische Techniken
C13
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Zuckerindustrie (Polysaccharide, z.B. Stärke, deren Derivate C08B; Malz C12C) [4]
C14
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HäuteFellePelzeLeder
C21
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Hüttenwesen
C21
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Eisenhüttenwesen
C22
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Metallhüttenwesen (Eisenhüttenwesen C21)Eisen- oder NichteisenlegierungenBehandlung von Legierungen oder von Nichteisenmetallen (allgemeine Verfahren oder Vorrichtungen für die Wärmebehandlung von Eisen- oder Nichteisenmetallen oder Legierungen C21D; Gewinnung von Metallen durch Elektrolyse oder Elektrophorese C25)
C23
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Beschichten metallischer WerkstoffeBeschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen (Metallisieren von Textilstoffen D06M 11/83; Flächenverzierung auf Textilstoffen durch örtliches Metallisieren D06Q 1/04)Chemische OberflächenbehandlungDiffusionsbehandlung von metallischen WerkstoffenBeschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase (für bestimmte Anwendungen siehe die entsprechenden Stellen, z.B. zur Herstellung von Widerständen H01C 17/06)Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein (Behandeln metallischer Oberflächen oder Beschichten von Metallen durch Elektrolyse oder Elektrophorese C25D , C25F) [2]
C25
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Elektrolytische oder elektrophoretische VerfahrenVorrichtungen dafür (Elektrodialyse, Elektroosmose, Trennen von Flüssigkeiten durch Elektrizität B01D; Metallbearbeitung durch Einwirkung elektrischen Stromes hoher Stromdichte B23H; elektrochemische Behandlung von Wasser, kommunalem oder industriellem Abwasser C02F 1/46; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe oder Beschichten unter Einbeziehung mindestens eines der in Klasse C23 vorgesehenen Verfahren und mindestens eines der von dieser Klasse umfassten Verfahren C23C 28/00 , C23F 17/00; anodischer oder kathodischer Schutz C23F; Züchten von Einkristallen C30B; Metallisieren von Textilstoffen D06M 11/83; Flächenverzierung auf Textilstoffen durch örtliches Metallisieren D06Q 1/04; elektrochemische Analyseverfahren G01N; Vorrichtungen für elektrochemisches Messen, Anzeigen oder Aufzeichnen G01R; elektrolytische Schaltungsbausteine, z.B. Kondensatoren, H01G; elektrochemische Strom- oder Spannungserzeuger H01M) [4]
C30
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Züchten von Kristallen (Trennen durch Kristallisation allgemein B01D 9/00) [3]
C30B
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Züchten von Einkristallen (durch Anwendung von Ultra-Hochdruck, z.B. zur Erzeugung von Diamanten, B01J 3/06)Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen StoffenReinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen (Reinigen von Metallen oder Legierungen durch Zonenschmelzen C22B)Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (Gießen von Metallen, Gießen anderer Werkstoffe nach dem gleichen Verfahren oder mit den gleichen Vorrichtungen B22D; Verarbeiten von Kunststoffen B29; Veränderung der physikalischen Struktur von Metallen oder Legierungen C21D , C22F)Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter StrukturNachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur (zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder ihren Teilen H01L)Apparate hierfür [3]
C30B 1/00
Einkristallwachstum aus festen Stoffen oder Gelen [3]
C30B 1/00
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Einkristallwachstum direkt aus dem festen Zustand (gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen C30B 3/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 3/00
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Gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen [3]
C30B 5/00
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Einkristallwachstum aus Gelen (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 7/00
Einkristallwachstum aus Flüssigkeitengerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 7/00
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Einkristallwachstum aus Lösungen unter Verwendung von Lösungsmitteln, die bei normaler Temperatur flüssig sind, z.B. wässrige Lösungen (aus geschmolzenen Lösungsmitteln C30B 9/00; durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 9/00
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Einkristallwachstum aus Lösungsschmelzen unter Verwendung von geschmolzenen Lösungsmitteln (durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient C30B 11/00; durch Zonenschmelzen C30B 13/00; Kristallziehen C30B 15/00; auf einem eingetauchten Keimkristall C30B 17/00; durch Flüssigphasen-Epitaxie C30B 19/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 11/00
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Erzeugen von Einkristallen durch Kühlen mit oder ohne Temperaturgradient, z.B. Bridgman- Stockbarger-Methode (C30B 13/00 , C30B 15/00 , C30B 17/00 , C30B 19/00 haben Vorrang; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 13/00
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Erzeugen von Einkristallen durch ZonenschmelzenReinigen durch Zonenschmelzen (C30B 17/00 hat Vorrang; durch Ändern des Querschnitts des behandelten festen Stoffes C30B 15/00; unter einem schützenden Fluid C30B 27/00; für das Wachstum von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur C30B 28/00; Zonenreinigen von besonderen Stoffen siehe die entsprechenden Unterklassen für die Stoffe) [3, 5]
C30B 15/00
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Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren (unter einem schützenden Fluid C30B 27/00) [3]
C30B 15/02
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Einbringen der zu kristallisierenden Stoffe oder der den Stoff in situ bildenden Komponenten in die Schmelze [3]
C30B 15/04
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. . unter Zusetzen von Dotierstoffen, z.B. für n-p-Übergang [3]
C30B 15/06
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Nicht-senkrechtes Ziehen [3]
C30B 15/08
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Abwärtsziehen [3]
C30B 15/10
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Tiegel oder Behälter für die Schmelze [3]
C30B 15/12
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. . Doppeltiegel-Verfahren [3]
C30B 15/14
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Erhitzen der Schmelze oder der kristallisierten Stoffe [3]
C30B 15/16
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. . durch Bestrahlung oder elektrische Entladung [3]
C30B 15/18
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. . mit direkter Widerstandsheizung zusätzlich zu anderen Erhitzungsverfahren, z.B. mit Peltier- Wärme [3]
C30B 15/20
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Steuern oder Regeln (Steuern oder Regeln allgemein G05) [3]
C30B 15/22
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. . Stabilisierung oder Formgebung der Schmelzzone nahe dem gezogenen KristallSteuern des Kristallquerschnitts [3]
C30B 15/24
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. . . unter Verwendung von mechanischen Mitteln, z.B. Formwerkzeugen (formgebende Elemente für kantenbestimmtes, schmelzfilmbeschicktes Kristallwachstum C30B 15/34) [3]
C30B 15/26
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. . . unter Verwendung von Fernsehkamerasunter Verwendung von Foto- oder Röntgen-Detektoren [3]
C30B 15/28
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. . . unter Ausnutzung von Gewichtsveränderungen des Kristalls oder der Schmelze, z.B. Flotationsverfahren [Schwimm-Tiegel-Verfahren] [3]
C30B 15/30
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Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls (Schwimm-Verfahren C30B 15/28) [3]
C30B 15/32
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Keimhalter, z.B. Spannfutter [3]
C30B 15/34
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kantenbestimmendes, schmelzfilmbeschicktes Ziehen von Kristallen mit formgebenden Elementen oder Schlitzen [3]
C30B 15/36
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gekennzeichnet durch den Keim, z.B. durch seine kristallografische Orientierung [3]
C30B 17/00
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Einkristallwachstum auf einem Keim, der während des Wachstums in der Schmelze verbleibt, z.B. Nacken-Kyropoulos-Verfahren (C30B 15/00 hat Vorrang) [3]
C30B 19/00
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Flüssigphasen-Epitaxie [LPE-Verfahren] [3]
C30B 21/00
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Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen [3]
C30B 23/00
Einkristallwachstum aus der Dampfphase [3]
C30B 23/00
Hierarchie anzeigen
Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen [3]
C30B 25/00
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Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion [3]
C30B 27/00

C30B 27/00
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Einkristallwachstum unter einem schützenden Fluid [3]
C30B 28/00
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Herstellung von homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [5]
C30B 29/00
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Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form (Legierungen C22C) [3, 5]
C30B 30/00
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Herstellung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur durch Anwendung von elektrischen oder magnetischen Feldern, Schwingungsenergie oder unter Anwendung sonstiger spezieller physikalischer Bedingungen [5]
C30B 31/00
Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
C30B 31/00
Hierarchie anzeigen
Diffusions- oder Dotierverfahren für Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter StrukturVorrichtungen dafür [3, 5]
C30B 33/00
Hierarchie anzeigen
Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur (C30B 31/00 hat Vorrang; Schleifen, Polieren B24; mechanische Feinbearbeitung von Edelsteinen, Juwelen oder Kristallen B28D 5/00) [3, 5]
C30B 35/00

C30B 35/00
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Vorrichtungen allgemein, besonders ausgebildet für Wachstum, Herstellung und Nachbehandlung von Einkristallen oder homogenen polykristallinen Stoffen mit definierter Struktur [3, 5]
C40
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Kombinatorische Technologie [2006.01]
C40
Hierarchie anzeigen
Kombinatorische Technologie [2006.01]
C99
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Sachverhalte, soweit nicht anderweitig in dieser Sektion vorgesehen [2006.01]
D
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Sektion D — Textilien; Papier
E
Hierarchie anzeigen
Sektion E — Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F
Hierarchie anzeigen
Sektion F — Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G
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Sektion G — Physik
H
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Sektion H — Elektrotechnik

Zu vergleichende IPC-Stelle: Es wurden im Verzeichnis noch keine IPC-Stellen für die Vergleichsansicht vorgemerkt. [Version , Sprache ]