Bibliografische Daten

Dokument WO002017140855A1 (Seiten: 37)

Bibliografische Daten Dokument WO002017140855A1 (Seiten: 37)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] VERFAHREN ZUR FERTIGUNG EINER SCHICHT MIT PEROWSKITISCHEM MATERIAL UND VORRICHTUNG MIT EINER SOLCHEN SCHICHT
[EN] METHOD FOR PRODUCING A LAYER WITH PEROVSKITE MATERIAL AND DEVICE WITH A LAYER OF THIS TYPE
[FR] PROCD DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MATRIAU DE TYPE PROVSKITE ET DISPOSITIF DOT D'UNE TELLE COUCHE
71/73 Anmelder/Inhaber PA SIEMENS AG, DE ; UNIVERSITT BAYREUTH, DE
72 Erfinder IN FLEISCHER MAXIMILIAN, DE ; GUJAR TANAJI, DE ; HANFT DOMINIK, DE ; MOOS RALF, DE ; PANZER FABIAN, DE ; THELAKKAT MUKUNDAN, DE
22/96 Anmeldedatum AD 17.02.2017
21 Anmeldenummer AN 2017053636
Anmeldeland AC EP
Veröffentlichungsdatum PUB 24.08.2017
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32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102016202607
20160219
51 IPC-Hauptklasse ICM C23C 24/04 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 51/42 (2006.01)
H01L 51/00 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/5012 H01L 51/5012
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/422 H01L 51/422
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C23C 24/04 C23C 24/04
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 2251/558 H01L 2251/558
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01G 9/0036 H01G 9/0036
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/0029 H01L 51/0029
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/0008 H01L 51/0008
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation Y02P 70/50 Y02P 70/50
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation Y02E 10/549 Y02E 10/549
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/4253 H01L 51/4253
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/5032 H01L 51/5032
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 51/0077 H01L 51/0077
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation Y02E 10/542 Y02E 10/542
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01G 9/2009 H01G 9/2009
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 27/308 H01L 27/308
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C23C 28/04 C23C 28/04
MCD-Hauptklasse MCM C23C 24/04 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 51/00 (2006.01)
H01L 51/42 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Das Verfahren dient zur Fertigung einer elektrooptischen und/oder optoelektronischen Schicht. Bei dem Verfahren wird die Schicht mit perowskitischem Material der Zusammensetzung ABX3 mittels Kaltgasspritzens zumindest eines das perowskitische Material aufweisenden Ausgangsmaterials gebildet. X ist dabei mit mindestens einem Halogen oder einer Mischung mehrerer Halogene gebildet. Bei dem Verfahren zur Herstellung einer elektrooptischen oder optoelektronischen Vorrichtung mit mindestens einer elektrooptischen oder optoelektronischen Schicht wird die zumindest eine elektrooptische oder optoelektronische Schicht mit einem perowskitischen Material mittels des zuvor genannten Verfahrens gebildet. Die Vorrichtung ist insbesondere eine elektrooptische oder optoelektronische Vorrichtung, idealerweise ein Energiewandler und/oder eine Solarzelle oder eine Leuchtdiode oder ein Rntgendetektor. Die Vorrichtung weist eine solche elektrooptische Schicht auf.
[EN] The method is for producing an electro-optical and/or optoelectronic layer. In the method, the layer is formed with perovskite material of the composition ABX3 by means of cold gas spraying at least a starting material having the perovskite material. X is also formed with at least one halogen or a mixture of multiple halogens. In the method for producing an electro-optical or optoelectronic device with at least one electro-optical or optoelectronic layer, the at least one electro-optical or optoelectronic layer is formed with a perovskite material by means of said method. The device is in particular an electro-optical or optoelectronic device, ideally an energy converter and/or a solar cell or a light diode or an X-ray detector. The device has an electro-optical layer of this type.
[FR] Le procd selon l'invention sert produire une couche lectro-optique et/ou optolectronique. Selon ledit procd, la couche prsentant le matriau de type provskite de la composition ABX3est forme par projection dynamique froid d'au moins un matriau de dpart comportant le matriau de type provskite. A cet effet, X est form avec au moins un halogne ou un mlange de plusieurs halognes. Selon le procd de production d'un dispositif lectro-optique ou optolectronique dot d'au moins une couche lectro-optique ou optolectronique, la au moins une couche lectro-optique ou optolectronique munie d'un matriau de type provskite est ralise au moyen du procd mentionne prcdemment. Le dispositif est en particulier un dispositif lectro-optique ou optolectronique, idalement un convertisseur d'nergie et/ou une cellule solaire ou une diode lectroluminescente ou un dtecteur de rayons X. Ledit dispositif comporte une telle couche lectro-optique.
Korrekturinformation KORRINF
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
WO002015139082A1
WO002015160838A1
WO002016021112A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
US000007553376B2
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP CHANG-WEN CHEN ET AL: "Efficient and Uniform Planar-Type Perovskite Solar Cells by Simple Sequential Vacuum Deposition", ADVANCED MATERIALS, vol. 26, no. 38, 1 October 2014 (2014-10-01), DE, pages 6647 - 6652, XP055298089, ISSN: 0935-9648, DOI: 10.1002/adma.201402461 7;
LUIS K. ONO ET AL: "Fabrication of semi-transparent perovskite films with centimeter-scale superior uniformity by the hybrid deposition method", ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, vol. 7, no. 12, 1 January 2014 (2014-01-01), UK, pages 3989 - 3993, XP055234875, ISSN: 1754-5692, DOI: 10.1039/C4EE02539C 7;
QIANQIAN LIN ET AL: "Electro-optics of perovskite solar cells", NATURE PHOTONICS, vol. 9, no. 2, 1 December 2015 (2015-12-01), UK, pages 106 - 112, XP055371459, ISSN: 1749-4885, DOI: 10.1038/nphoton.2014.284 7;
QIANQIAN LIN ET AL: "Electro-optics of perovskite solar cells- Supplementary Information", NATURE PHOTONICS, vol. 9, no. 2, 1 December 2015 (2015-12-01), UK, pages 106 - 112, XP055371454, ISSN: 1749-4885, DOI: 10.1038/nphoton.2014.284 7;
XIAO DU, YAN WANG, ZHONG GAO XIA, HANG ZHOU: "Perovskite CH3NH3PbI3 Heterojunction Solar Cells via Ultrasonic Spray Deposition", APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, 1 April 2015 (2015-04-01), pages 39 - 43, XP009194348, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.748.39 7
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C07F 7/24 ; C23C 24/04 ; H01L 51/00 ; H01L 51/42