Bibliografische Daten

Dokument KR102001075354A (Seiten: 52)

Bibliografische Daten Dokument KR102001075354A (Seiten: 52)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
71/73 Anmelder/Inhaber PA INFINEON TECHNOLOGIES AG
72 Erfinder IN DEBOY GERALD ; STRACK HELMUT ; HAEBERLEN OLIVER ; RUEB MICHAEL ; FRIZA WOLFGANG
22/96 Anmeldedatum AD 24.03.2001
21 Anmeldenummer AN 20017003803
Anmeldeland AC KR
Veröffentlichungsdatum PUB 09.08.2001
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32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
19843959
19980924
33
31
32
PRC
PRN
PRD
DE
9903081
19990924
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/78 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 21/26586 H01L 21/26586
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0619 H01L 29/0619
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0623 H01L 29/0623
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0634 H01L 29/0634
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0649 H01L 29/0649
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0653 H01L 29/0653
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/1095 H01L 29/1095
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/41766 H01L 29/41766
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/78 H01L 29/78
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7802 H01L 29/7802
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/10
H01L 29/78
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 21/265
57 Zusammenfassung AB [EN] The invention relates to a method for producing a semiconductor component comprising semiconductor areas (4, 5) of different conductivity types which are alternately positioned in a semiconductor body and in said semiconductor body (1) extend at least from one first zone (6) to near a second zone (1) and by way of variable dopage from trenches (11, 14) and their fillings generate an electric field which increases from both said zones (6, 1). © KIPO & WIPO 2007
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP