Bibliografische Daten

Dokument KR102001074945A (Seiten: 30)

Bibliografische Daten Dokument KR102001074945A (Seiten: 30)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [EN] HIGH-VOLTAGE SEMICONDUCTOR COMPONENT
71/73 Anmelder/Inhaber PA SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
72 Erfinder IN DEBOY GERALD ; STENGL JENS PEER ; STRACK HELMUT ; WEBER HANS ; GRAF HEIMO ; RUEB MICHAEL ; AHLERS DIRK
22/96 Anmeldedatum AD 02.03.2001
21 Anmeldenummer AN 20017002794
Anmeldeland AC KR
Veröffentlichungsdatum PUB 09.08.2001
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
19840032
19980902
51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/772 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0634 H01L 29/0634
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0696 H01L 29/0696
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/1095 H01L 29/1095
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/41766 H01L 29/41766
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/4232 H01L 29/4232
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/4236 H01L 29/4236
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/4238 H01L 29/4238
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/772 H01L 29/772
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7801 H01L 29/7801
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7802 H01L 29/7802
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7811 H01L 29/7811
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7816 H01L 29/7816
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7825 H01L 29/7825
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336
H01L 29/06
H01L 29/78
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 29/417
H01L 29/423
57 Zusammenfassung AB [EN] A semiconductor component has a semiconductor body comprising a blocking pn junction, a source zone of a first conductivity type connected to a first electrode and bordering on a zone forming the blocking pn junction of a second conductivity type complementary to the first conductivity type, and a drain zone of the first conductivity type connected to a second electrode. The side of the zone of the second conductivity type facing the drain zone forms a first surface, and in the region between the first surface and a second surface located between the first surface and the drain zone, comprises areas of the first and second conductivity type nested in one another. The second surface is positioned at a distance from the drain zone such that the areas of the first and second conductivity type nested in each other do not reach the drain zone.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP