Bibliografische Daten

Dokument DE102019008940A1 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument DE102019008940A1 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zur trockenen Herstellung von Schichten bestehend aus Halogen-Perwoskiten zur Anwendung in optoelektronischen Bauteilen
71/73 Anmelder/Inhaber PA Leupold, Nico, M.Sc., 95233, Helmbrechts, DE ; Moos, Ralf, Prof. Dr.-Ing., 95447, Bayreuth, DE ; Panzer, Fabian, Dr., 95448, Bayreuth, DE
72 Erfinder IN Leupold, Nico, M.Sc., 95233, Helmbrechts, DE ; Moos, Ralf, Prof.Dr.-Ing., 95447, Bayreuth, DE ; Panzer, Fabian, Dr., 95448, Bayreuth, DE
22/96 Anmeldedatum AD 20.12.2019
21 Anmeldenummer AN 102019008940
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 24.06.2021
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM C23C 24/04 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C23C 24/08 C23C 24/08
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C23C 24/082 C23C 24/082
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C23C 24/10 C23C 24/10
MCD-Hauptklasse MCM C23C 24/04 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur trockenen Herstellung von Schichten bestehend aus Halogen-Perowskiten.Bei bisherigen relevanten Prozessrouten zur Herstellung von insbesondere dnnen Perowskitschichten gestaltet sich die Hochskalierung schwierig, werden groe Mengen toxischer Lsungsmittel bentigt, ist die Einstellung der exakten Stchiometrie komplex und/oder ist die Oberflchenqualitt der Schichten nicht ausreichend. Zudem sind hufig Perowskitsynthese und Schichtbildung miteinander gekoppelt, was die Optimierung erschwert.Das Verfahren umgeht die genannten Nachteile, indem ein pulverfrmiger Ausgangsstoff, der zumindest teilweise aus Halogen-Perowskit besteht, in einem zweistufigen Verfahren in eine Schicht berfhrt wird. Dabei wird das Ausgangspulver in einen ersten Schritt lsemittelfrei mittels Kaltgasspritzens verarbeitet und in einem anschlieenden Schritt durch das Aufgeben eines Drucks nachbehandelt. Dadurch wird einerseits eine gute Anbindung zum Substrat erreicht und andererseits werden durch die Druckbehandlung die Schichteigenschaften verbessert, derart, dass mit dem erfindungsgemen Verfahren hergestellte Schichten sich fr den Einsatz in optoelektronischen und elektrooptischen Bauteilen eignen.
Korrekturinformation KORRINF
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C23C 24/04