Bibliografische Daten

Dokument DE102011056896A1 (Seiten: 5)

Bibliografische Daten Dokument DE102011056896A1 (Seiten: 5)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zum Herstellen und Verwendung von Graphen auf polykristallinem Siliziumcarbid
71/73 Anmelder/Inhaber PA Leibniz-Institut fr Neue Materialien gemeinntzige GmbH, 66123, Saarbrcken, DE
72 Erfinder IN Aslan, Mesut, Dr.-Ing., 66989, Hheischweiler, DE ; Bennewitz, Roland, Prof. Dr., 66123, Saarbrcken, DE ; Whlisch, Christian Felix, Dipl.-Ing., 66386, St. Ingbert, DE
22/96 Anmeldedatum AD 22.12.2011
21 Anmeldenummer AN 102011056896
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 27.06.2013
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM C04B 41/80 (2012.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS F16C 33/00 (2012.01)
C04B 35/565 (2012.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/77 C04B 2235/77
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/668 C04B 2235/668
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/5409 C04B 2235/5409
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 41/009 C04B 41/009
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 41/5001 C04B 41/5001
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation B82Y 30/00 B82Y 30/00
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C01B 32/184 C01B 32/184
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/424 C04B 2235/424
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/3821 C04B 2235/3821
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation B82Y 40/00 B82Y 40/00
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 35/565 C04B 35/565
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2235/786 C04B 2235/786
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 41/85 C04B 41/85
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation C04B 2111/00353 C04B 2111/00353
MCD-Hauptklasse MCM C04B 41/80 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS F16C 33/00 (2006.01)
C04B 35/565 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen sowie die Verwendung von Graphen auf polykristallinem Siliziumcarbid. Um ein Verfahren zum Herstellen von Oberflchen mit sehr geringer Reibung zu schaffen, werden im Rahmen der Erfindung folgende Verfahrensschritte vorgeschlagen: • Polieren der Oberflchen von Siliziumcarbidkrpern mit einer homogenen Verteilung von Kohlenstoff, • Reinigen der Siliziumcarbidkrper und • Graphenisieren mindestens einer der polierten Oberflchen durch eine Glhbehandlung bei Temperaturen von 1500 bis 1700C whrend 10 bis 20 min in flieendem Argon. Es hat sich im Rahmen der Erfindung berraschend gezeigt, da auf polierten Schichten aus festphasengesintertem Siliziumcarbid Oberflchen realisiert werden knnen, die sich durch eine sehr niedrige Reibung auszeichnen, was auf der Anwesenheit von Graphenschichten auf den Oberflchen aus Siliziumcarbidkrnern unterschiedlicher Orientierung beruht.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
DE000019537714A1
DE000060011683T2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
EP000000591698A2
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP "Low friction and rotational dynamics of crystalline flakes in solid lubrication", A. S. de Wijn, A. Fasolino, A. E. Filippov and M. Urbakh, EPL 95 (2011) 66002 1
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C04B 35/565 ; C04B 41/80