Bibliografische Daten

Dokument DE102006037510B3 (Seiten: 14)

Bibliografische Daten Dokument DE102006037510B3 (Seiten: 14)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Verfahren zum Herstellen einer Grabenstruktur, die Verwendung dieses Verfahrens zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Halbleiteranordnung mit einer Grabenstruktur
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72 Erfinder IN Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE ; Mauder, Anton, Dr., 83059 Kolbermoor, DE ; Rueb, Michael, Dr., Faak am See, AT ; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE ; Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
22/96 Anmeldedatum AD 10.08.2006
21 Anmeldenummer AN 102006037510
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 10.04.2008
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Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 21/336 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/762
H01L 29/772
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 21/3247 H01L 21/3247
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 21/76224 H01L 21/76224
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0653 H01L 29/0653
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/407 H01L 29/407
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/66621 H01L 29/66621
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7803 H01L 29/7803
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7804 H01L 29/7804
MCD-Hauptklasse MCM H01L 21/336 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/762
H01L 29/772
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Grabenstruktur wird ein erster Grabenabschnitt von einer Oberfläche eines Halbleiterkörpers ausgehend in den Halbleiterkörper hinein erzeugt. Eine Halbleiterschicht wird über der Oberfläche und über den ersten Grabenabschnitt erzeugt. Ein weiterer Grabenabschnitt wird in der Halbleiterschicht derart erzeugt, dass der erste Grabenabschnitt und der weitere Grabenabschnitt eine durchgängige Grabenstruktur bilden. Eine Halbleiteranordnung weist eine Grabenstruktur auf, die aus mehreren vertikalen Grabenabschnitten und mindestens einem Verbindungselement zusammengesetzt ist.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
DE102005039331A1
US000007052941B2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/336
H01L 21/762 T