Bibliografische Daten

Dokument DE102005046427A1 (Seiten: 10)

Bibliografische Daten Dokument DE102005046427A1 (Seiten: 10)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Leistungstransistor
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Rüb, Michael, Dr. rer. nat., Faak am See, AT ; Schmidt, Gerhard, Dr. rer. nat., Wernberg, AT
22/96 Anmeldedatum AD 28.09.2005
21 Anmeldenummer AN 102005046427
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 05.04.2007
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 29/772 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation B82Y 10/00 B82Y 10/00
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 27/0727 H01L 27/0727
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0634 H01L 29/0634
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0665 H01L 29/0665
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0673 H01L 29/0673
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/0676 H01L 29/0676
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/4916 H01L 29/4916
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/4983 H01L 29/4983
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/775 H01L 29/775
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7827 H01L 29/7827
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H10K 10/466 H10K 10/466
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H10K 85/225 H10K 85/225
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation Y10S 977/938 Y10S 977/938
MCD-Hauptklasse MCM H01L 29/772 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Ein Leistungstransistor (30, 50) weist einen Sourcebereich (31), einen Drainbereich (32), einen Halbleiterkörper (33), der zwischen dem Sourcebereich (31) und dem Drainbereich (32) angeordnet ist, sowie mehrere parallel geschaltete Nanotubes (34), die den Halbleiterkörper (33) durchsetzen, gegenüber diesem elektrisch isoliert sind und den Sourcebereich (31) mit dem Drainbereich (32) elektrisch verbinden, auf. In dem Halbleiterkörper (33) sind eine oder mehrere Dioden (35) ausgebildet, die so ausgestaltet sind, dass entsprechende Potenzialverläufe, die im Dioden-Sperrfall innerhalb der Dioden (35) auftreten, als Gatepotenziale zum Schalten des Leistungstransistors (30, 50) dienen.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
DE000010324752A1
DE102004003374A1
US000006891191B2
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 29/772
H01L 29/78