Bibliografische Daten

Dokument DE102004003538B3 (Seiten: 13)

Bibliografische Daten Dokument DE102004003538B3 (Seiten: 13)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] Integrierte Halbleiterschaltung mit einer Logik- und Leistungs-Metallisierung ohne Intermetall-Dielektrikum und Verfahren zu ihrer Herstellung
71/73 Anmelder/Inhaber PA Infineon Technologies AG, 81669 München, DE
72 Erfinder IN Detzel, Thomas, Dr., Villach, AT ; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
22/96 Anmeldedatum AD 23.01.2004
21 Anmeldenummer AN 102004003538
Anmeldeland AC DE
Veröffentlichungsdatum PUB 08.09.2005
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31
32
Priorität PRC
PRN
PRD


51 IPC-Hauptklasse ICM H01L 23/522
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 21/768
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 23/528 H01L 23/528
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 23/5283 H01L 23/5283
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/41741 H01L 29/41741
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/41758 H01L 29/41758
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/456 H01L 29/456
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7801 H01L 29/7801
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 29/7802 H01L 29/7802
Neues Fenster: Externer Link Gemeinsame Patentklassifikation H01L 2924/0002 H01L 2924/0002
MCD-Hauptklasse MCM
MCD-Nebenklasse MCS H01L 21/336
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 23/528
H01L 31/113
MCD-Zusatzklasse MCA H01L 29/417
H01L 29/45
H01L 29/78
57 Zusammenfassung AB [DE] Die Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem ersten und einem zweiten Abschnitt (I, II) eines Substrats (1), in denen jeweils eine Leistungshalbleiterschaltungsstruktur und eine Logikschaltungsstruktur gebildet sind, wobei die Metallisierung eine Leistungs-Metalllage (4) und eine vergleichsweise dünnere Logik-Metalllage (7) aufweist, die beide nur im ersten Abschnitt (I) über der Leistungshalbleiterschaltungsstruktur in dieser Reihenfolge ohne ein dazwischen liegendes Intermetalldielektrikum direkt übereinander liegen, und wenigstens zwischen der Leistungs-Metalllage (4) und der Zwischenoxidschicht (2) sowie zwischen der Leistungs-Metalllage (4) und den von ihr kontaktierten Kontaktbereichen und Elektrodenabschnitten der Leistungshalbleiterschaltungsstruktur eine ununterbrochene leitfähige Barriereschicht (3) liegt, sowie ein Herstellungsverfahren dafür.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT
DE000003544539A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP H01L 21/768
H01L 23/522