Bibliografische Daten

Dokument WO002017140855A1 (Seiten: 37)

Bibliografische Daten Dokument WO002017140855A1 (Seiten: 37)
INID Kriterium Feld Inhalt
54 Titel TI [DE] VERFAHREN ZUR FERTIGUNG EINER SCHICHT MIT PEROWSKITISCHEM MATERIAL UND VORRICHTUNG MIT EINER SOLCHEN SCHICHT
[EN] METHOD FOR PRODUCING A LAYER WITH PEROVSKITE MATERIAL AND DEVICE WITH A LAYER OF THIS TYPE
[FR] PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE À MATÉRIAU DE TYPE PÉROVSKITE ET DISPOSITIF DOTÉ D'UNE TELLE COUCHE
71/73 Anmelder/Inhaber PA SIEMENS AG, DE ; UNIVERSITÄT BAYREUTH, DE
72 Erfinder IN FLEISCHER MAXIMILIAN, DE ; GUJAR TANAJI, DE ; HANFT DOMINIK, DE ; MOOS RALF, DE ; PANZER FABIAN, DE ; THELAKKAT MUKUNDAN, DE
22/96 Anmeldedatum AD 17.02.2017
21 Anmeldenummer AN 2017053636
Anmeldeland AC EP
Veröffentlichungsdatum PUB 24.08.2017
33
31
32
Priorität PRC
PRN
PRD
DE
102016202607
20160219
51 IPC-Hauptklasse ICM C23C 24/04 (2006.01)
51 IPC-Nebenklasse ICS H01L 51/00 (2006.01)
H01L 51/42 (2006.01)
IPC-Zusatzklasse ICA
IPC-Indexklasse ICI
Gemeinsame Patentklassifikation CPC C23C 24/04
C23C 28/04
H01G 9/0036
H01G 9/2009
H10K 2102/351
H10K 30/15
H10K 30/30
H10K 30/50
H10K 39/36
H10K 50/11
H10K 50/135
H10K 71/16
H10K 71/811
H10K 85/30
H10K 85/50
Y02E 10/542
Y02E 10/549
Y02P 70/50
MCD-Hauptklasse MCM C23C 24/04 (2006.01)
MCD-Nebenklasse MCS H01L 51/00 (2006.01)
H01L 51/42 (2006.01)
MCD-Zusatzklasse MCA
57 Zusammenfassung AB [DE] Das Verfahren dient zur Fertigung einer elektrooptischen und/oder optoelektronischen Schicht. Bei dem Verfahren wird die Schicht mit perowskitischem Material der Zusammensetzung ABX3 mittels Kaltgasspritzens zumindest eines das perowskitische Material aufweisenden Ausgangsmaterials gebildet. X ist dabei mit mindestens einem Halogen oder einer Mischung mehrerer Halogene gebildet. Bei dem Verfahren zur Herstellung einer elektrooptischen oder optoelektronischen Vorrichtung mit mindestens einer elektrooptischen oder optoelektronischen Schicht wird die zumindest eine elektrooptische oder optoelektronische Schicht mit einem perowskitischen Material mittels des zuvor genannten Verfahrens gebildet. Die Vorrichtung ist insbesondere eine elektrooptische oder optoelektronische Vorrichtung, idealerweise ein Energiewandler und/oder eine Solarzelle oder eine Leuchtdiode oder ein Röntgendetektor. Die Vorrichtung weist eine solche elektrooptische Schicht auf.
[EN] The method is for producing an electro-optical and/or optoelectronic layer. In the method, the layer is formed with perovskite material of the composition ABX3 by means of cold gas spraying at least a starting material having the perovskite material. X is also formed with at least one halogen or a mixture of multiple halogens. In the method for producing an electro-optical or optoelectronic device with at least one electro-optical or optoelectronic layer, the at least one electro-optical or optoelectronic layer is formed with a perovskite material by means of said method. The device is in particular an electro-optical or optoelectronic device, ideally an energy converter and/or a solar cell or a light diode or an X-ray detector. The device has an electro-optical layer of this type.
[FR] Le procédé selon l'invention sert à produire une couche électro-optique et/ou optoélectronique. Selon ledit procédé, la couche présentant le matériau de type pérovskite de la composition ABX3est formée par projection dynamique à froid d'au moins un matériau de départ comportant le matériau de type pérovskite. A cet effet, X est formé avec au moins un halogène ou un mélange de plusieurs halogènes. Selon le procédé de production d'un dispositif électro-optique ou optoélectronique doté d'au moins une couche électro-optique ou optoélectronique, la au moins une couche électro-optique ou optoélectronique munie d'un matériau de type pérovskite est réalisée au moyen du procédé mentionnée précédemment. Le dispositif est en particulier un dispositif électro-optique ou optoélectronique, idéalement un convertisseur d'énergie et/ou une cellule solaire ou une diode électroluminescente ou un détecteur de rayons X. Ledit dispositif comporte une telle couche électro-optique.
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
in Recherche ermittelt
CT WO002015139082A1
WO002015160838A1
WO002016021112A1
56 Entgegengehaltene Patentdokumente/Zitate,
vom Anmelder genannt
CT US000007553376B2
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
in Recherche ermittelt
CTNP CHANG-WEN CHEN ET AL: "Efficient and Uniform Planar-Type Perovskite Solar Cells by Simple Sequential Vacuum Deposition", ADVANCED MATERIALS, vol. 26, no. 38, 1 October 2014 (2014-10-01), DE, pages 6647 - 6652, XP055298089, ISSN: 0935-9648, DOI: 10.1002/adma.201402461 7;
LUIS K. ONO ET AL: "Fabrication of semi-transparent perovskite films with centimeter-scale superior uniformity by the hybrid deposition method", ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, vol. 7, no. 12, 1 January 2014 (2014-01-01), UK, pages 3989 - 3993, XP055234875, ISSN: 1754-5692, DOI: 10.1039/C4EE02539C 7;
QIANQIAN LIN ET AL: "Electro-optics of perovskite solar cells", NATURE PHOTONICS, vol. 9, no. 2, 1 December 2015 (2015-12-01), UK, pages 106 - 112, XP055371459, ISSN: 1749-4885, DOI: 10.1038/nphoton.2014.284 7;
QIANQIAN LIN ET AL: "Electro-optics of perovskite solar cells- Supplementary Information", NATURE PHOTONICS, vol. 9, no. 2, 1 December 2015 (2015-12-01), UK, pages 106 - 112, XP055371454, ISSN: 1749-4885, DOI: 10.1038/nphoton.2014.284 7;
XIAO DU, YAN WANG, ZHONG GAO XIA, HANG ZHOU: "Perovskite CH3NH3PbI3 Heterojunction Solar Cells via Ultrasonic Spray Deposition", APPLIED MECHANICS AND MATERIALS, 1 April 2015 (2015-04-01), pages 39 - 43, XP009194348, DOI: 10.4028/www.scientific.net/AMM.748.39 7
56 Entgegengehaltene Nichtpatentliteratur/Zitate,
vom Anmelder genannt
CTNP
Zitierende Dokumente Dokumente ermitteln
Sequenzprotokoll
Prüfstoff-IPC ICP C07F 7/24
C23C 24/04
H01G 9/00
H01G 9/20
H01L 51/00
H01L 51/42